ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି), ଏକ ପ୍ରକାର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ, ଆଧୁନିକ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ପ୍ରୟୋଗରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା, ଉଚ୍ଚ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସହନଶୀଳତା, ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟମୂଳକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ ରହିଛି ଏବଂ ଏହା ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ସ ar ର ଉପକରଣରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଏବଂ ସ୍ଥିର ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଚାହିଦା ହେତୁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏକ ଗରମ ସ୍ଥାନ ପାଲଟିଛି |
ତେବେ SiC ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିଷୟରେ ଆପଣ କେତେ ଜାଣନ୍ତି?
ଆଜି ଆମେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ତିନୋଟି ମୁଖ୍ୟ କ ques ଶଳ ବିଷୟରେ ଆଲୋଚନା କରିବୁ: ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ (PVT), ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (HT-CVD) |
ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପଦ୍ଧତି (PVT)
ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା |ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ବୃଦ୍ଧି ମୁଖ୍ୟତ s ସିକ୍ ପାଉଡରର ସବ୍ଲିମିସନ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଉପରେ ପୁନ ep ପ୍ରତିଷ୍ଠା ଉପରେ ନିର୍ଭରଶୀଳ |ଏକ ବନ୍ଦ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡରକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଗରମ କରାଯାଏ, ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବାଷ୍ପ ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ ପୃଷ୍ଠରେ ଘନୀଭୂତ ହୁଏ ଏବଂ ଧୀରେ ଧୀରେ ଏକ ବଡ଼ ଆକାରର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ବ ows େ |
ଆମେ ବର୍ତ୍ତମାନ ପ୍ରଦାନ କରୁଥିବା ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ SiC ର ଅଧିକାଂଶ ଅଂଶ ଏହି ଅଭିବୃଦ୍ଧିରେ ତିଆରି |ଏହା ମଧ୍ୟ ଶିଳ୍ପରେ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଅଟେ |
ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE)
କଠିନ-ତରଳ ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ |ଏହି ପଦ୍ଧତିରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକ ସିଲିକନ୍-କାର୍ବନ ଦ୍ରବଣରେ ଦ୍ରବୀଭୂତ ହୁଏ, ଏବଂ ତାପରେ ତାପମାତ୍ରା ହ୍ରାସ ହୁଏ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସମାଧାନରୁ ନିର୍ଗତ ହୋଇ ବିହନ ସ୍ଫଟିକରେ ବ ows େ |LPE ପଦ୍ଧତିର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା ହେଉଛି କମ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରାରେ ଉଚ୍ଚମାନର ସ୍ଫଟିକ୍ ପାଇବା କ୍ଷମତା, ମୂଲ୍ୟ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଏବଂ ଏହା ବୃହତ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (HT-CVD)
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଥିବା ଗ୍ୟାସ୍ ଉପସ୍ଥାପନ କରି, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ସିଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଧାସଳଖ ଜମା ହୋଇଥାଏ |ଏହି ପଦ୍ଧତିର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଗ୍ୟାସର ପ୍ରବାହ ହାର ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଅବସ୍ଥା ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ high ାରା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ କିଛି ତ୍ରୁଟି ସହିତ ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ମିଳିବ |HT-CVD ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ସହିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ, ଯାହା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ବିଶେଷ ମୂଲ୍ୟବାନ ଯେଉଁଠାରେ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚମାନର ସାମଗ୍ରୀ ଆବଶ୍ୟକ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏହାର ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ବିକାଶର ମୂଳଦୁଆ |କ୍ରମାଗତ ବ techn ଷୟିକ ଉଦ୍ଭାବନ ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ, ଏହି ତିନୋଟି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ବିଭିନ୍ନ ଘଟଣାର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ନିଜସ୍ୱ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଥିତିକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ବ techn ଷୟିକ ପ୍ରଗତିର ଗଭୀରତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ହେବ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଆହୁରି ଉନ୍ନତ ହେବ |
(ସେନ୍ସର କରିବା)
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁନ୍ -23-2024 |