SiC ୱାଫର କ'ଣ?

SiC ୱେଫର୍ସ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ରୁ ତିଆରି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ। ଏହି ସାମଗ୍ରୀ 1893 ମସିହାରେ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ। ବିଶେଷକରି ସ୍କୋଟକି ଡାୟୋଡ୍, ଜଙ୍କସନ୍ ବାଧା ସ୍କୋଟକି ଡାୟୋଡ୍, ସ୍ୱିଚ୍ ଏବଂ ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ କ୍ଷେତ୍ର-ପ୍ରଭାବ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ। ଏହାର ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା ଯୋଗୁଁ, ଏହା ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପସନ୍ଦ।

ବର୍ତ୍ତମାନ, ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫର୍ ଅଛି। ପ୍ରଥମଟି ହେଉଛି ଏକ ପଲିସ୍ଡ୍ ୱେଫର୍, ଯାହା ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍। ଏହା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ସ୍ଫଟିକରେ ତିଆରି ଏବଂ 100mm କିମ୍ବା 150mm ବ୍ୟାସ ହୋଇପାରେ। ଏହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ଦ୍ୱିତୀୟ ପ୍ରକାର ହେଉଛି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍। ଏହି ପ୍ରକାରର ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲର ଏକ ସ୍ତର ଯୋଡି ତିଆରି କରାଯାଏ। ଏହି ପଦ୍ଧତି ପାଇଁ ସାମଗ୍ରୀର ଘନତାର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକ ଏବଂ ଏହାକୁ N-ଟାଇପ୍ ଏପିଟାକ୍ସୀ କୁହାଯାଏ।

acsdv (1)

ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକାର ହେଉଛି ବିଟା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍। ବିଟା SiC ୧୭୦୦ ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ। ଆଲଫା କାର୍ବାଇଡ୍ ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ଏବଂ ଏହାର ୱର୍ଟଜାଇଟ୍ ପରି ଏକ ଷଡ଼କୋଣୀୟ ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ ଅଛି। ବିଟା ରୂପ ହୀରା ପରି ଏବଂ କିଛି ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ଏହା ସର୍ବଦା ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଶକ୍ତି ଅର୍ଦ୍ଧ-ସମାପ୍ତ ଉତ୍ପାଦ ପାଇଁ ପ୍ରଥମ ପସନ୍ଦ ହୋଇଆସିଛି। ଅନେକ ତୃତୀୟ-ପକ୍ଷ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର ଯୋଗାଣକାରୀ ବର୍ତ୍ତମାନ ଏହି ନୂତନ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ କାମ କରୁଛନ୍ତି।

acsdv (2)

ZMSH SiC ୱେଫର୍ସଗୁଡ଼ିକ ବହୁତ ଲୋକପ୍ରିୟ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ। ଏହା ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଅନେକ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ। ZMSH ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ସ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୋଗୀ ସାମଗ୍ରୀ। ZMSH ଉଚ୍ଚମାନର SiC ୱେଫର୍ସ ଏବଂ ସବ୍‌ଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ସର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପରିସର ଯୋଗାଇଥାଏ। ଏଗୁଡ଼ିକ N-ପ୍ରକାର ଏବଂ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନ୍ତସୂଚିତ ରୂପରେ ଉପଲବ୍ଧ।

acsdv (3)

୨---ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍: ୱେଫର୍ସର ଏକ ନୂତନ ଯୁଗ ଆଡ଼କୁ

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଭୌତିକ ଗୁଣ ଏବଂ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ ଅଛି, ଯାହା ହୀରା ପରି ଏକ ଷଡ଼କୋଣୀୟ ନିକଟ-ପ୍ୟାକ୍ ହୋଇଥିବା ଗଠନ ବ୍ୟବହାର କରେ। ଏହି ଗଠନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡକୁ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହୀତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରେ। ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଏକ ବଡ଼ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଗ୍ୟାପ୍ ପ୍ରସ୍ଥ ଅଛି, ଯାହା ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ବ୍ୟବଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଫଳରେ ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ କମ୍ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ ହୋଇଥାଏ। ଏହା ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ସଂତୃପ୍ତି ଡ୍ରିଫ୍ଟ ବେଗ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀର କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ମଧ୍ୟ ଅଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉତ୍ତମ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରେ।

acsdv (4)

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ସର ପ୍ରୟୋଗ ମାମଲା ଏବଂ ସମ୍ଭାବନା

ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଆପ୍ଲିକେସନ୍

ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫରର ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ଅଛି। ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଯୋଗୁଁ, SIC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଘନତା ସୁଇଚିଂ ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାଣ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ, ଯେପରିକି ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ସୌର ଇନଭର୍ଟର ପାଇଁ ପାୱାର ମଡ୍ୟୁଲ୍। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫରର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ଏହି ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଅଧିକ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ।

ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ସ

ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ ସେମାନଙ୍କର ଅନନ୍ୟ ସୁବିଧା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଗ୍ୟାପ୍ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି, ଯାହା ଏହାକୁ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ଉଚ୍ଚ ଫଟୋନନ୍ ଶକ୍ତି ଏବଂ କମ୍ ଆଲୋକ କ୍ଷତି ହାସଲ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣ, ଫଟୋଡିଟେକ୍ଟର ଏବଂ ଲେଜର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏବଂ କମ୍ ସ୍ଫଟିକ ତ୍ରୁଟି ଘନତା ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ।

ଆଉଟଲୁକ

ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ଏବଂ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ସହିତ ଏକ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଏକ ଆଶାଜନକ ଭବିଷ୍ୟତ ରହିଛି। ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ନିରନ୍ତର ଉନ୍ନତି ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ ର ବାଣିଜ୍ୟିକ ପ୍ରୟୋଗକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରାଯିବ। ଆଶା କରାଯାଉଛି ଯେ ଆଗାମୀ କିଛି ବର୍ଷ ମଧ୍ୟରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ବଜାରରେ ପ୍ରବେଶ କରିବ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟଧାରାର ପସନ୍ଦ ହେବ।

ଏସିଏସଡିଭି (5)
acsdv (6)

୩---SiC ୱେଫର ବଜାର ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଧାରାଗୁଡ଼ିକର ଗଭୀର ବିଶ୍ଳେଷଣ

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ୱେଫର ବଜାର ଡ୍ରାଇଭରଗୁଡ଼ିକର ଗଭୀର ବିଶ୍ଳେଷଣ

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ୱେଫର ବଜାରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅନେକ ପ୍ରମୁଖ କାରଣ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ, ଏବଂ ବଜାର ଉପରେ ଏହି କାରଣଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରଭାବର ଗଭୀର ବିଶ୍ଳେଷଣ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ। ଏଠାରେ କିଛି ପ୍ରମୁଖ ବଜାର ଚାଳକ ଅଛି:

ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ପରିବେଶ ସୁରକ୍ଷା: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ଏବଂ କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏହାକୁ ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ଏବଂ ପରିବେଶ ସୁରକ୍ଷା କ୍ଷେତ୍ରରେ ଲୋକପ୍ରିୟ କରିଥାଏ। ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ସୌର ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ଉପକରଣର ଚାହିଦା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫରର ବଜାର ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ଚାଳିତ କରୁଛି କାରଣ ଏହା ଶକ୍ତି ଅପଚୟକୁ ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ।

ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗ: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଚାପ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତିର ଲୋକପ୍ରିୟତା ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନର ପ୍ରୋତ୍ସାହନ ସହିତ, ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ବଜାରରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫରର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବାରେ ଲାଗିଛି।

acsdv (7)

SiC ୱେଫର୍ସ ଭବିଷ୍ୟତର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକାଶ ଧାରା ବିସ୍ତୃତ ବିଶ୍ଳେଷଣ

ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ: ଭବିଷ୍ୟତର SiC ୱେଫର ଉତ୍ପାଦନ ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ ଉପରେ ଅଧିକ ଧ୍ୟାନ ଦେବ। ଏଥିରେ ଉତ୍ପାଦକତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କୌଶଳ ଯେପରିକି ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD) ଏବଂ ଭୌତିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଏହା ସହିତ, ବୁଦ୍ଧିମାନ ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ରହଣ କରିବା ଦ୍ୱାରା ଦକ୍ଷତା ଆହୁରି ଉନ୍ନତ ହେବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି।

ନୂତନ ୱାଫର ଆକାର ଏବଂ ଗଠନ: ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଭବିଷ୍ୟତରେ SiC ୱାଫରଗୁଡ଼ିକର ଆକାର ଏବଂ ଗଠନ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୋଇପାରେ। ଏଥିରେ ଅଧିକ ଡିଜାଇନ୍ ନମନୀୟତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବିକଳ୍ପ ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ବଡ଼ ବ୍ୟାସର ୱାଫର, ଭିନ୍ନ ଗଠନ କିମ୍ବା ବହୁସ୍ତରୀୟ ୱାଫର ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ ହୋଇପାରେ।

ଏସିଏସଡିଭି (8)
ଏସିଏସଡିଭି (9)

ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସବୁଜ ଉତ୍ପାଦନ: ଭବିଷ୍ୟତରେ SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସବୁଜ ଉତ୍ପାଦନ ଉପରେ ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱ ଦେବ। ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି, ସବୁଜ ସାମଗ୍ରୀ, ଅପଚୟ ପୁନଃଚକ୍ରଣ ଏବଂ କମ୍ କାର୍ବନ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଚାଳିତ କାରଖାନାଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଧାରା ପାଲଟିବ।


ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜାନୁଆରୀ-୧୯-୨୦୨୪