ଶିଳ୍ପ ସମାଚାର
-
ଭବିଷ୍ୟତରେ 8-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କାଟିବା ପାଇଁ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ମୁଖ୍ୟଧାରାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ହେବ। ପ୍ରଶ୍ନୋତ୍ତର ସଂଗ୍ରହ
ପ୍ର: SiC ୱେଫର ସ୍ଲାଇସିଂ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା କ’ଣ? ଉ: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ହୀରା ପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ କଠିନତା ରଖେ ଏବଂ ଏହାକୁ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ କଠିନ ଏବଂ ଭଙ୍ଗୁର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ। ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଯେଉଁଥିରେ ବଢ଼ୁଥିବା ସ୍ଫଟିକକୁ ପତଳା ୱେଫରରେ କାଟିବା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ସମୟ ସାପେକ୍ଷ ଏବଂ ପ୍ରବଣ ...ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ -
SiC ୱେଫର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବର୍ତ୍ତମାନର ସ୍ଥିତି ଏବଂ ଧାରା
ତୃତୀୟ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକର ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣରେ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ଅଛି। SiC ର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ନିର୍ଣ୍ଣାୟକ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ...ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ -
ତୃତୀୟ ପିଢ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ଉଦୀୟମାନ ତାରା: ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଭବିଷ୍ୟତରେ ଅନେକ ନୂତନ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ବିନ୍ଦୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡିଭାଇସ୍ ତୁଳନାରେ, ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ଗୁଡ଼ିକର ଅଧିକ ସୁବିଧା ରହିବ ଯେଉଁଠାରେ ଦକ୍ଷତା, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଆୟତନ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ବ୍ୟାପକ ଦିଗଗୁଡ଼ିକ ଏକା ସମୟରେ ଆବଶ୍ୟକ, ଯେପରିକି ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସ୍ ସଫଳତାର ସହ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇଛି...ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ -
ଘରୋଇ GaN ଶିଳ୍ପର ବିକାଶ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହୋଇଛି
ଚୀନ୍ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ବିକ୍ରେତାଙ୍କ ନେତୃତ୍ୱରେ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ଗ୍ରହଣ ନାଟକୀୟ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି ଏବଂ ପାୱାର GaN ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ବଜାର 2027 ସୁଦ୍ଧା 2 ବିଲିୟନ ଡଲାରରେ ପହଞ୍ଚିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି, ଯାହା 2021 ରେ 126 ନିୟୁତ ଡଲାର ଥିଲା। ବର୍ତ୍ତମାନ, ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ର ହେଉଛି ଗାଲିୟମ୍ ନିର ମୁଖ୍ୟ ଚାଳକ...ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ