4H-N HPSI SiC ୱାଫର 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS କିମ୍ବା SBD ପାଇଁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ SiC ଏପି-ୱେଫର ସଂକ୍ଷିପ୍ତ
ଆମେ ବହୁବିଧ ପଲିଟାଇପ୍ ଏବଂ ଡୋପିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲରେ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ sic ୱେଫରର ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପୋର୍ଟଫୋଲିଓ ପ୍ରଦାନ କରୁ - ଯେଉଁଥିରେ 4H-N (n-ଟାଇପ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ), 4H-P (p-ଟାଇପ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ), 4H-HPSI (ଉଚ୍ଚ-ପବିତ୍ରତା ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁରୋଧକ), ଏବଂ 6H-P (p-ଟାଇପ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ - 4″, 6″, ଏବଂ 8″ ରୁ 12″ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବ୍ୟାସରେ। ଖାଲି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବ୍ୟତୀତ, ଆମର ମୂଲ୍ୟ-ସଂଯୋଜିତ ଏପି ୱାଫର ବୃଦ୍ଧି ସେବାଗୁଡ଼ିକ କଡ଼ା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଘନତା (1-20 µm), ଡୋପିଂ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ତ୍ରୁଟି ଘନତା ସହିତ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ (epi) ୱେଫର ପ୍ରଦାନ କରେ।
ପ୍ରତ୍ୟେକ sic ୱେଫର ଏବଂ epi ୱେଫର କଠୋର ଇନ-ଲାଇନ୍ ଯାଞ୍ଚ (ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତା <0.1 cm⁻², ପୃଷ୍ଠର ରୁକ୍ଷତା Ra <0.2 nm) ଏବଂ ପୂର୍ଣ୍ଣ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଚରିତ୍ରକରଣ (CV, ପ୍ରତିରୋଧକତା ମ୍ୟାପିଂ) ଦେଇ ଗତି କରନ୍ତି ଯାହା ଦ୍ଵାରା ଅସାଧାରଣ ସ୍ଫଟିକ ସମାନତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ ହୁଏ। ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି RF ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, କିମ୍ବା ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ (LEDs, ଫଟୋଡିଟେକ୍ଟର) ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉ, ଆମର SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ epi ୱେଫର ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନଗୁଡ଼ିକ ଆଜିର ସବୁଠାରୁ ଦାବି କରୁଥିବା ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା, ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଭାଙ୍ଗିବା ଶକ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି।
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ 4H-N ପ୍ରକାରର ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ
-
4H-N SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଲିଟାଇପ୍ (ଷଡ଼ଭୁଜ) ଗଠନ
~3.26 eV ର ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ବୈଦ୍ୟୁତିକ-କ୍ଷେତ୍ର ପରିସ୍ଥିତିରେ ସ୍ଥିର ବୈଦ୍ୟୁତିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ତାପଜ ଦୃଢ଼ତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।
-
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଏନ-ଟାଇପ୍ ଡୋପିଂ
ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଡୋପିଂ 1×10¹⁶ ରୁ 1×10¹⁹ cm⁻³ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବାହକ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ କୋଠରୀ-ତାପମାନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ~900 cm²/V·s ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ପରିବହନ କ୍ଷତିକୁ କମ କରିଥାଏ।
-
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ବିସ୍ତୃତ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ଏକରୂପତା
ଡୋପିଂ ଏବଂ ଘନତା ଉଭୟରେ ±5% ସହନଶୀଳତା ସହିତ 0.01–10 Ω·cm ର ଉପଲବ୍ଧ ପ୍ରତିରୋଧକତା ପରିସର ଏବଂ 350–650 µm ର ୱେଫର ଘନତା - ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
-
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଅତ୍ୟଧିକ-ନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ଘନତା
ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତା < 0.1 cm⁻² ଏବଂ ବେସାଲ୍-ପ୍ଲେନ୍ ଡିସଲୋକେସନ୍ ଘନତା < 500 cm⁻², ଯାହା 99% ରୁ ଅଧିକ ଡିଭାଇସ୍ ଉପଜ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସ୍ଫଟିକ ଅଖଣ୍ଡତା ପ୍ରଦାନ କରେ।
- SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଅସାଧାରଣ ତାପଜ ପରିବାହିତା
~370 W/m·K ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପଜ ପରିବାହୀତା ଦକ୍ଷ ତାପ ଅପସାରଣକୁ ସହଜ କରିଥାଏ, ଡିଭାଇସର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ଘନତାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ।
-
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଟାର୍ଗେଟ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ଗୁଡ଼ିକ
ବୈଦ୍ୟୁତିକ-ଯାନ ଡ୍ରାଇଭ, ସୌର ଇନଭର୍ଟର, ଶିଳ୍ପ ଡ୍ରାଇଭ, ଟ୍ରାକ୍ସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଚାହିଦାପୂର୍ଣ୍ଣ ପାୱାର-ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ବଜାର ପାଇଁ SiC MOSFETs, Schottky ଡାୟୋଡ୍, ପାୱାର ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଏବଂ RF ଡିଭାଇସ୍।
6 ଇଞ୍ଚ 4H-N ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫରର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ | ୧୪୯.୫ ମିମି - ୧୫୦.୦ ମିମି | ୧୪୯.୫ ମିମି - ୧୫୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୩୫୦ µm ± ୧୫ µm | ୩୫୦ µm ± ୨୫ µm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ବାହାରେ: <1120> ± 0.5° ଆଡକୁ 4.0° | ଅକ୍ଷ ବାହାରେ: <1120> ± 0.5° ଆଡକୁ 4.0° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୦.୨ ସେମି² | ≤ ୧୫ ସେମି² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ୦.୦୧୫ - ୦.୦୨୪ Ω·ସେମି | ୦.୦୧୫ - ୦.୦୨୮ Ω·ସେମି |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | [୧୦-୧୦] ± ୫୦° | [୧୦-୧୦] ± ୫୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୪୭୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୪୭୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV/TIV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm | |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm |
| ସିଏମପି ରା | ≤ ୦.୨ ନମି | ≤ ୦.୫ ଏନଏମ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଧାର ଫାଟିଯାଏ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.1% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 3% |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 5% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସିଟି ଅନୁମତି ନାହିଁ ≥ 0.2 ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ୭ ଅନୁମୋଦିତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤ ୧ ମିମି |
| ଥ୍ରେଡିଂ ସ୍କ୍ରୁ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା | < 500 ସେମି³ | < 500 ସେମି³ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
8ଇଞ୍ଚ 4H-N ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫରର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ | ୧୯୯.୫ ମିମି - ୨୦୦.୦ ମିମି | ୧୯୯.୫ ମିମି - ୨୦୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୫୦୦ µm ± ୨୫ µm | ୫୦୦ µm ± ୨୫ µm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | <110> ± 0.5° ଆଡ଼କୁ 4.0° | <110> ± 0.5° ଆଡ଼କୁ 4.0° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୦.୨ ସେମି² | ≤ ୫ ସେମି² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ୦.୦୧୫ - ୦.୦୨୫ Ω·ସେମି | ୦.୦୧୫ - ୦.୦୨୮ Ω·ସେମି |
| ମହାନ ଦିଗବିବରଣୀ | ||
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV/TIV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm | |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm |
| ସିଏମପି ରା | ≤ ୦.୨ ନମି | ≤ ୦.୫ ଏନଏମ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଧାର ଫାଟିଯାଏ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.1% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 3% |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 5% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସିଟି ଅନୁମତି ନାହିଁ ≥ 0.2 ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ୭ ଅନୁମୋଦିତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤ ୧ ମିମି |
| ଥ୍ରେଡିଂ ସ୍କ୍ରୁ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା | < 500 ସେମି³ | < 500 ସେମି³ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
4H-SiC ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। "4H" ସ୍ଫଟିକ ଗଠନକୁ ବୁଝାଏ, ଯାହା ଷଡ଼ଭୁଜ, ଏବଂ "N" ସାମଗ୍ରୀର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଅନୁକୂଳ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଏକ ଡୋପିଂ ପ୍ରକାରକୁ ସୂଚାଏ।
ଦି4H-SiCପ୍ରକାର ସାଧାରଣତଃ ଏଥିପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ:
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ:ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ପାୱାରଟ୍ରେନ୍, ଶିଳ୍ପ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡାୟୋଡ୍, MOSFET ଏବଂ IGBT ଭଳି ଡିଭାଇସରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
5G ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା:5G ର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ଉପାଦାନର ଚାହିଦା ସହିତ, SiC ର ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାର କ୍ଷମତା ଏହାକୁ ବେସ୍ ଷ୍ଟେସନ ପାୱାର ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଏବଂ RF ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ।
ସୌର ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ:SiCର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପାୱାର ପରିଚାଳନା ଗୁଣ ଫଟୋଭୋଲଟାଇକ୍ (ସୌରଶକ୍ତି) ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ କନଭର୍ଟର ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ।
ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନବାହନ (EV):ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ, କମ୍ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଅଧିକ ଶକ୍ତି ଘନତା ପାଇଁ SiC କୁ EV ପାୱାରଟ୍ରେନରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ କରାଯାଏ।
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ 4H ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ପ୍ରକାରର ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ
ଗୁଣଧର୍ମ:
-
ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍-ମୁକ୍ତ ଘନତ୍ୱ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ର ଅନୁପସ୍ଥିତିକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଣବତ୍ତା ଉନ୍ନତ କରେ।
-
ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ବର୍ଦ୍ଧିତ ସାମଗ୍ରୀ ଗୁଣ ପାଇଁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ଗଠନର ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦିଏ।
-
ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ଏକ ଶୁଦ୍ଧ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରି, ଅଶୁଦ୍ଧତା କିମ୍ବା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତିର ଉପସ୍ଥିତିକୁ ସର୍ବନିମ୍ନ କରିଥାଏ।
-
ପ୍ରତିରୋଧକତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧର ସଠିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
-
ଅପରିଷ୍କାରତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ଅଶୁଦ୍ଧତାର ପ୍ରବେଶକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ସୀମିତ କରେ।
-
ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଷ୍ଟେପ୍ ପ୍ରସ୍ଥ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କୌଶଳ: ଷ୍ଟେପ୍ ପ୍ରସ୍ଥ ଉପରେ ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ସ୍ଥିରତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।
6ଇଞ୍ଚ 4H-ସେମି SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ (ମିମି) | ୧୪୫ ମିମି - ୧୫୦ ମିମି | ୧୪୫ ମିମି - ୧୫୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା (ଉ.ମ.) | ୫୦୦ ± ୧୫ | ୫୦୦ ± ୨୫ |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: ±0.0001° | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: ±0.05° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୧୫ ସେମି-୨ | ≤ ୧୫ ସେମି-୨ |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା (Ωସେମି) | ≥ ୧୦E୩ | ≥ ୧୦E୩ |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | (୦-୧୦)° ± ୫.୦° | (୧୦-୧୦)° ± ୫.୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ନଚ୍ | ନଚ୍ |
| ଧାର ବହିଷ୍କରଣ (ମିମି) | ≤ ୨.୫ µm / ≤ ୧୫ µm | ≤ ୫.୫ µm / ≤ ୩୫ µm |
| LTV / ବୋଲ୍ / ୱାର୍ପ୍ | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1.5 µm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1.5 µm |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | ≤ ୨୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର | ≤ ୬୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଗରମ ପ୍ଲେଟଗୁଡ଼ିକ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 3% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 3% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | ≤ ୦.୦୫% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 4% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ (ଆକାର) ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | ଅନୁମତି ନାହିଁ > ୦୨ ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ଅନୁମତି ନାହିଁ > ୦୨ ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା |
| ସହାୟକ ସ୍କ୍ରୁ ଡାଇଲେସନ୍ | ≤ ୫୦୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର | ≤ ୫୦୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ≤ ୧ x ୧୦^୫ | ≤ ୧ x ୧୦^୫ |
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
4-ଇଞ୍ଚ 4H-ସେମି ଇନସୁଲେଟିଂ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ପାରାମିଟର | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
|---|---|---|
| ଭୌତିକ ଗୁଣଧର୍ମ | ||
| ବ୍ୟାସ | ୯୯.୫ ମିମି – ୧୦୦.୦ ମିମି | ୯୯.୫ ମିମି – ୧୦୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୫୦୦ μm ± ୧୫ μm | ୫୦୦ μm ± ୨୫ μm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: <600ଘଣ୍ଟା > 0.5° | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: <000ଘଣ୍ଟା > 0.5° |
| ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣଧର୍ମ | ||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତା (MPD) | ≤1 ସେମି⁻² | ≤୧୫ ସେମି⁻² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ≥୧୫୦ Ω·ସେମି | ≥୧.୫ Ω·ସେମି |
| ଜ୍ୟାମିତିକ ସହନଶୀଳତା | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | (୦x୧୦) ± ୫.୦° | (୦x୧୦) ± ୫.୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୫୨.୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୫୨.୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଦ୍ୱିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୧୮.୦ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୧୮.୦ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଦ୍ୱିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ପ୍ରାଇମ୍ ଫ୍ଲାଟ୍ ରୁ 90° CW ± 5.0° (Si ମୁହଁ ଉପରକୁ) | ପ୍ରାଇମ୍ ଫ୍ଲାଟ୍ ରୁ 90° CW ± 5.0° (Si ମୁହଁ ଉପରକୁ) |
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV / TTV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |
| ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା | ||
| ପୃଷ୍ଠ ରୁକ୍ଷତା (ପୋଲିସ୍ ରା) | ≤1 ଏନଏମ | ≤1 ଏନଏମ |
| ପୃଷ୍ଠ ରୁକ୍ଷତା (CMP Ra) | ≤0.2 ଏନଏମ | ≤0.2 ଏନଏମ |
| ଧାର ଫାଟ (ଉଚ୍ଚ-ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ) | ଅନୁମତି ନାହିଁ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≥10 ମିମି, ଏକକ ଫାଟ ≤2 ମିମି |
| ଷଡ଼କୋଣୀୟ ପ୍ଲେଟ୍ ତ୍ରୁଟି | ≤0.05% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ | ≤0.1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ପଲିଟାଇପ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକ | ଅନୁମତି ନାହିଁ | ≤1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | ≤0.05% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ | ≤1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | ଅନୁମତି ନାହିଁ | ≤1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସି ଅନୁମତି ନାହିଁ (≥0.2 ମିମି ପ୍ରସ୍ଥ/ଗଭୀରତା) | ≤5 ଚିପ୍ସ (ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤1 ମିମି) |
| ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନୁହେଁ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନୁହେଁ |
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍-ୱେଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା |
ପ୍ରୟୋଗ:
ଦିSiC 4H ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ମୁଖ୍ୟତଃ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ବିଶେଷକରିRF କ୍ଷେତ୍ର। ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ଯେଉଁଥିରେମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀ, ପର୍ଯ୍ୟାୟବଦ୍ଧ ଆରେ ରାଡାର, ଏବଂତାରହୀନ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଡିଟେକ୍ଟର। ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କୁ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀରେ ଦାବିଦାର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ।
SiC epi wafer 4H-N ପ୍ରକାରର ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ
SiC 4H-N ପ୍ରକାରର ଏପି ୱାଫର ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ
SiC 4H-N ପ୍ରକାରର ଏପି ୱେଫରର ଗୁଣଧର୍ମ:
ସାମଗ୍ରୀ ଗଠନ:
SiC (ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍): ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କଠୋରତା, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା, SiC ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ।
4H-SiC ପଲିଟାଇପ୍: 4H-SiC ପଲିଟାଇପ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥିରତା ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା।
ଏନ-ଟାଇପ୍ ଡୋପିଂ: N-ଟାଇପ୍ ଡୋପିଂ (ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ସହିତ ଡୋପିଂ) ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା SiC କୁ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା:
SiC ୱେଫରଗୁଡିକର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହୀତା ଅଛି, ସାଧାରଣତଃ୧୨୦–୨୦୦ ୱାଟ୍/ମି·କେଲିଟାର୍, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତିଯୁକ୍ତ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ତାପ ପରିଚାଳନା କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ।
ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍:
ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସହିତ୩.୨୬ ଇଭି, ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସ୍ ତୁଳନାରେ 4H-SiC ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ, ଯାହା ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ।
ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣଧର୍ମ:
SiC ର ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ପରିବାହିତା ଏହାକୁ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ଭୋଲଟେଜ ପରିଚାଳନା କ୍ଷମତା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଫଳରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ।
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ:
SiC ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ କଠିନ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରୁ ଗୋଟିଏ, ହୀରା ପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ, ଏବଂ ଏହା ଅକ୍ସିଡେସନ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତି ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧୀ, ଯାହା ଏହାକୁ କଠୋର ପରିବେଶରେ ସ୍ଥାୟୀ କରିଥାଏ।
SiC 4H-N ପ୍ରକାରର ଏପି ୱେଫରର ପ୍ରୟୋଗ:
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ:
SiC 4H-N ପ୍ରକାରର ଏପି ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏପାୱାର MOSFETs, ଆଇଜିବିଟି, ଏବଂଡାୟୋଡ୍ଗୁଡ଼ିକପାଇଁଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତରଭଳି ସିଷ୍ଟମରେସୌର ଇନଭର୍ଟର, ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନବାହନ, ଏବଂଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣ ପ୍ରଣାଳୀ, ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରୁଛି।
ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନବାହନ (EV):
In ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ ପାୱାରଟ୍ରେନ୍, ମୋଟର ନିୟନ୍ତ୍ରକ, ଏବଂଚାର୍ଜିଂ ଷ୍ଟେସନ୍ଗୁଡ଼ିକ, SiC ୱେଫର୍ସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାକୁ ପରିଚାଳନା କରିବାର କ୍ଷମତା ହେତୁ ଉନ୍ନତ ବ୍ୟାଟେରୀ ଦକ୍ଷତା, ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରିକ ଶକ୍ତି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରନ୍ତି।
ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ:
ସୌର ଇନଭର୍ଟର: SiC ୱେଫରଗୁଡିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏସୌର ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀସୌର ପ୍ୟାନେଲରୁ AC କୁ DC ପାୱାରକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ, ସାମଗ୍ରିକ ସିଷ୍ଟମ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ।
ପବନ ଟର୍ବାଇନ: SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏଥିରେ ନିୟୋଜିତ ହୁଏପବନ ଟର୍ବାଇନ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଣାଳୀ, ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା।
ମହାକାଶ ଏବଂ ପ୍ରତିରକ୍ଷା:
SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତଏରୋସ୍ପେସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସଏବଂସାମରିକ ପ୍ରୟୋଗ, ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତରାଡାର ସିଷ୍ଟମଏବଂସାଟେଲାଇଟ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ଯେଉଁଠାରେ ଉଚ୍ଚ ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ:
SiC ୱେଫର୍ସ ଏଥିରେ ଉତ୍କର୍ଷ ହାସଲ କରେଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ବ୍ୟବହୃତବିମାନ ଇଞ୍ଜିନଗୁଡ଼ିକ, ମହାକାଶଯାନ, ଏବଂଶିଳ୍ପ ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, କାରଣ ସେମାନେ ଅତ୍ୟଧିକ ଗରମ ପରିସ୍ଥିତିରେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବଜାୟ ରଖନ୍ତି। ଏହା ସହିତ, ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗପସନ୍ଦ କରିବାRF ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକଏବଂମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ.
| 6-ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ ଏପିଟ୍ ଆକ୍ସିଆଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | |||
| ପାରାମିଟର | ୟୁନିଟ୍ | Z-MOSName | |
| ପ୍ରକାର | ସହଜତା / ଡୋପାଣ୍ଟ | - | N-ଟାଇପ୍ / ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |
| ବଫର ସ୍ତର | ବଫର ସ୍ତର ଘନତା | um | 1 |
| ବଫର ସ୍ତର ଘନତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧.୦୦ଇ+୧୮ | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ପ୍ରଥମ ଏପି ସ୍ତର | ଏପି ସ୍ତର ଘନତା | um | ୧୧.୫ |
| ଏପି ସ୍ତର ଘନତା ଏକରୂପତା | % | ±୪% | |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସହନଶୀଳତା ((ବିଶେଷ- ସର୍ବାଧିକ, ସର୍ବନିମ୍ନ)/ବିଶେଷ) | % | ±୫% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧ଇ ୧୫~ ୧ଇ ୧୮ | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | 6% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏକରୂପତା (σ) /ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤5% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏକରୂପତା <(ସର୍ବାଧିକ-ମିନିଟ୍)/(ସର୍ବାଧିକ+ମିନିଟ୍> | % | ≤ ୧୦% | |
| ଏପିଟାକ୍ସାଲ୍ ୱେଫର ଆକୃତି | ଧନୁ | um | ≤±୨୦ |
| ୱାର୍ପ୍ | um | ≤30 | |
| ଟିଟିଭି | um | ≤ ୧୦ | |
| ଏଲଟିଭି | um | ≤2 | |
| ସାଧାରଣ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ | ସ୍କ୍ରାଚ୍ ଲମ୍ବ | mm | ≤30 ମିମି |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | - | କିଛି ନୁହେଁ | |
| ତ୍ରୁଟି ପରିଭାଷା | ≥୯୭% (୨*୨ ସହିତ ମାପ କରାଯାଇଛି,) ଘାତକ ତ୍ରୁଟି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ତ୍ରୁଟି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ /ବଡ଼ ଗାତ, ଗାଜର, ତ୍ରିକୋଣୀୟ | ||
| ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି² | ଡି ଏଫ୍ ଏଲ୍ ଲି ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ | ପ୍ୟାକିଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ପିସି/ବାକ୍ସ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
| 8-ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | |||
| ପାରାମିଟର | ୟୁନିଟ୍ | Z-MOSName | |
| ପ୍ରକାର | ସହଜତା / ଡୋପାଣ୍ଟ | - | N-ଟାଇପ୍ / ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |
| ବଫର ସ୍ତର | ବଫର ସ୍ତର ଘନତା | um | 1 |
| ବଫର ସ୍ତର ଘନତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧.୦୦ଇ+୧୮ | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ପ୍ରଥମ ଏପି ସ୍ତର | ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ହାରାହାରି | um | ୮~ ୧୨ |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସମାନତା (σ/ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤୨.୦ | |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସହନଶୀଳତା ((ବିଶେଷ - ସର୍ବାଧିକ, ସର୍ବନିମ୍ନ)/ବିଶେଷ) | % | ±6 | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ହାରାହାରି ଡୋପିଂ | ସେମି-୩ | ୮ଇ+୧୫ ~୨ଇ+୧୬ | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ଡୋପିଂ ୟୁନିଫର୍ମିଟି (σ/ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤5 | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ଡୋପିଂ ସହନଶୀଳତା ((ସ୍ପେକ୍ସ -ସର୍ବାଧିକ, | % | ± ୧୦.୦ | |
| ଏପିଟାକ୍ସାଲ୍ ୱେଫର ଆକୃତି | ମି )/ସେ ) ୱାର୍ପ୍ | um | ≤୫୦.୦ |
| ଧନୁ | um | ± ୩୦.୦ | |
| ଟିଟିଭି | um | ≤ ୧୦.୦ | |
| ଏଲଟିଭି | um | ≤୪.୦ (୧୦ମିମି×୧୦ମିମି) | |
| ସାଧାରଣ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ | ସ୍କ୍ରାଚ୍ସ | - | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ≤ 1/2ୱେଫର ବ୍ୟାସ |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | - | ≤2 ଚିପ୍ସ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ≤1.5 ମିମି | |
| ପୃଷ୍ଠ ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି2 | ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ତ୍ରୁଟି ନିରୀକ୍ଷଣ | % | ≥ ୯୬.୦ (2X2 ତ୍ରୁଟି ମଧ୍ୟରେ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ /ବଡ଼ ଗାତ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଗାଜର, ତ୍ରିକୋଣୀୟ ଦୋଷ, ପତନ, ରେଖୀୟ/IGSF-s, BPD) | |
| ପୃଷ୍ଠ ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି2 | ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ | ପ୍ୟାକିଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | - | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
SiC ୱାଫରର ପ୍ରଶ୍ନୋତ୍ତର
ପ୍ରଶ୍ନ ୧: ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଅପେକ୍ଷା SiC ୱେଫର୍ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା କ’ଣ?
କ୧:
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ (Si) ୱେଫର ତୁଳନାରେ SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ଅନେକ ପ୍ରମୁଖ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି, ଯେଉଁଥିରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା: ସିଲିକନ୍ (1.1 eV) ତୁଳନାରେ SiC ର ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ (3.26 eV) ଅଧିକ, ଯାହା ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ। ଏହା ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ପ୍ରଣାଳୀରେ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରେ।
ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା: SiC ର ତାପଜ ପରିବାହୀତା ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ ବହୁତ ଅଧିକ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍ତମ ତାପ ଅପଚୟକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଶକ୍ତି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଜୀବନକାଳକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ।
ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପରିଚାଳନା: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ସ୍ତରକୁ ପରିଚାଳନା କରିପାରିବ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭ ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ବେଗ: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ କ୍ଷମତା ଥାଏ, ଯାହା ଶକ୍ତି କ୍ଷତି ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ ଆକାର ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
Q2: ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପରେ SiC ୱେଫରର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
କ୨:
ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପରେ, SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତଃ ନିମ୍ନଲିଖିତ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ:
ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ (EV) ପାୱାରଟ୍ରେନ୍: SiC-ଆଧାରିତ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଯେପରିକିଇନଭର୍ଟରଏବଂପାୱାର MOSFETsଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତାକୁ ସକ୍ଷମ କରି ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ପାୱାରଟ୍ରେନର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରନ୍ତୁ। ଏହା ବ୍ୟାଟେରୀ ଲାଇଫ୍ ଅଧିକ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଯାନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ।
ଅନ୍-ବୋର୍ଡ ଚାର୍ଜରଗୁଡ଼ିକ: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂ ସମୟ ଏବଂ ଉତ୍ତମ ଥର୍ମାଲ୍ ପରିଚାଳନାକୁ ସକ୍ଷମ କରି ଅନ୍-ବୋର୍ଡ ଚାର୍ଜିଂ ସିଷ୍ଟମର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚାର୍ଜିଂ ଷ୍ଟେସନଗୁଡ଼ିକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ EV ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ବ୍ୟାଟେରୀ ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ (BMS): SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏହାର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେବ୍ୟାଟେରୀ ପରିଚାଳନା ସିଷ୍ଟମ, ଯାହା ଉତ୍ତମ ଭୋଲଟେଜ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଅଧିକ ପାୱାର ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଅଧିକ ବ୍ୟାଟେରୀ ଜୀବନ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ।
DC-DC କନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକ: SiC ୱେଫରଗୁଡିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏDC-DC କନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ଡିସି ପାୱାରକୁ କମ୍-ଭୋଲଟେଜ ଡିସି ପାୱାରରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା, ଯାହା ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନରେ ବ୍ୟାଟେରୀରୁ ଯାନର ବିଭିନ୍ନ ଉପାଦାନକୁ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା କରିବା ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ପ୍ରୟୋଗରେ SiCର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପ୍ରଦର୍ଶନ ଏହାକୁ ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପର ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗତିଶୀଳତାକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ ପାଇଁ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ କରିଥାଏ।
6 ଇଞ୍ଚ 4H-N ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫରର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ | ୧୪୯.୫ ମିମି – ୧୫୦.୦ ମିମି | ୧୪୯.୫ ମିମି – ୧୫୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୩୫୦ µm ± ୧୫ µm | ୩୫୦ µm ± ୨୫ µm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ବାହାରେ: <1120> ± 0.5° ଆଡକୁ 4.0° | ଅକ୍ଷ ବାହାରେ: <1120> ± 0.5° ଆଡକୁ 4.0° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୦.୨ ସେମି² | ≤ ୧୫ ସେମି² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ୦.୦୧୫ – ୦.୦୨୪ Ω·ସେମି | ୦.୦୧୫ – ୦.୦୨୮ Ω·ସେମି |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | [୧୦-୧୦] ± ୫୦° | [୧୦-୧୦] ± ୫୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୪୭୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୪୭୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV/TIV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm | |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm |
| ସିଏମପି ରା | ≤ ୦.୨ ନମି | ≤ ୦.୫ ଏନଏମ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଧାର ଫାଟିଯାଏ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.1% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 3% |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 5% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସିଟି ଅନୁମତି ନାହିଁ ≥ 0.2 ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ୭ ଅନୁମୋଦିତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤ ୧ ମିମି |
| ଥ୍ରେଡିଂ ସ୍କ୍ରୁ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା | < 500 ସେମି³ | < 500 ସେମି³ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
8ଇଞ୍ଚ 4H-N ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫରର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ | ୧୯୯.୫ ମିମି – ୨୦୦.୦ ମିମି | ୧୯୯.୫ ମିମି – ୨୦୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୫୦୦ µm ± ୨୫ µm | ୫୦୦ µm ± ୨୫ µm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | <110> ± 0.5° ଆଡ଼କୁ 4.0° | <110> ± 0.5° ଆଡ଼କୁ 4.0° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୦.୨ ସେମି² | ≤ ୫ ସେମି² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ୦.୦୧୫ – ୦.୦୨୫ Ω·ସେମି | ୦.୦୧୫ – ୦.୦୨୮ Ω·ସେମି |
| ମହାନ ଦିଗବିବରଣୀ | ||
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV/TIV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm | |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1 nm |
| ସିଏମପି ରା | ≤ ୦.୨ ନମି | ≤ ୦.୫ ଏନଏମ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଧାର ଫାଟିଯାଏ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 20 ମିମି ଏକକ ଲମ୍ବ ≤ 2 ମିମି |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.1% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 3% |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤ 5% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≤ 1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସିଟି ଅନୁମତି ନାହିଁ ≥ 0.2 ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ୭ ଅନୁମୋଦିତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤ ୧ ମିମି |
| ଥ୍ରେଡିଂ ସ୍କ୍ରୁ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା | < 500 ସେମି³ | < 500 ସେମି³ |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
6ଇଞ୍ଚ 4H-ସେମି SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ||
| ସମ୍ପତ୍ତି | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
| ବ୍ୟାସ (ମିମି) | ୧୪୫ ମିମି – ୧୫୦ ମିମି | ୧୪୫ ମିମି – ୧୫୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା (ଉ.ମ.) | ୫୦୦ ± ୧୫ | ୫୦୦ ± ୨୫ |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: ±0.0001° | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: ±0.05° |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ≤ ୧୫ ସେମି-୨ | ≤ ୧୫ ସେମି-୨ |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା (Ωସେମି) | ≥ ୧୦E୩ | ≥ ୧୦E୩ |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | (୦-୧୦)° ± ୫.୦° | (୧୦-୧୦)° ± ୫.୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ନଚ୍ | ନଚ୍ |
| ଧାର ବହିଷ୍କରଣ (ମିମି) | ≤ ୨.୫ µm / ≤ ୧୫ µm | ≤ ୫.୫ µm / ≤ ୩୫ µm |
| LTV / ବୋଲ୍ / ୱାର୍ପ୍ | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| ରୁକ୍ଷତା | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1.5 µm | ପୋଲିଶ୍ ରା ≤ 1.5 µm |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | ≤ ୨୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର | ≤ ୬୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଗରମ ପ୍ଲେଟଗୁଡ଼ିକ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 3% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି ≤ 0.05% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 3% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | ≤ ୦.୦୫% | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ≤ 4% |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ (ଆକାର) ଦ୍ୱାରା ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | ଅନୁମତି ନାହିଁ > ୦୨ ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା | ଅନୁମତି ନାହିଁ > ୦୨ ମିମି ଓସାର ଏବଂ ଗଭୀରତା |
| ସହାୟକ ସ୍କ୍ରୁ ଡାଇଲେସନ୍ | ≤ ୫୦୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର | ≤ ୫୦୦ ମାଇକ୍ରୋମିଟର |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ≤ ୧ x ୧୦^୫ | ≤ ୧ x ୧୦^୫ |
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
4-ଇଞ୍ଚ 4H-ସେମି ଇନସୁଲେଟିଂ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ପାରାମିଟର | ଶୂନ୍ୟ MPD ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ (Z ଗ୍ରେଡ୍) | ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ (ଡି ଗ୍ରେଡ୍) |
|---|---|---|
| ଭୌତିକ ଗୁଣଧର୍ମ | ||
| ବ୍ୟାସ | ୯୯.୫ ମିମି – ୧୦୦.୦ ମିମି | ୯୯.୫ ମିମି – ୧୦୦.୦ ମିମି |
| ପଲି-ଟାଇପ୍ | 4H | 4H |
| ଘନତା | ୫୦୦ μm ± ୧୫ μm | ୫୦୦ μm ± ୨୫ μm |
| ୱେଫର ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: <600ଘଣ୍ଟା > 0.5° | ଅକ୍ଷ ଉପରେ: <000ଘଣ୍ଟା > 0.5° |
| ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣଧର୍ମ | ||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତା (MPD) | ≤1 ସେମି⁻² | ≤୧୫ ସେମି⁻² |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | ≥୧୫୦ Ω·ସେମି | ≥୧.୫ Ω·ସେମି |
| ଜ୍ୟାମିତିକ ସହନଶୀଳତା | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | (୦×୧୦) ± ୫.୦° | (୦×୧୦) ± ୫.୦° |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୫୨.୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୫୨.୫ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଦ୍ୱିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | ୧୮.୦ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି | ୧୮.୦ ମିମି ± ୨.୦ ମିମି |
| ଦ୍ୱିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ପ୍ରାଇମ୍ ଫ୍ଲାଟ୍ ରୁ 90° CW ± 5.0° (Si ମୁହଁ ଉପରକୁ) | ପ୍ରାଇମ୍ ଫ୍ଲାଟ୍ ରୁ 90° CW ± 5.0° (Si ମୁହଁ ଉପରକୁ) |
| ଏଜ୍ ଏକ୍ସକ୍ଲୁଜନ୍ | ୩ ମିମି | ୩ ମିମି |
| LTV / TTV / ବୋ / ୱାର୍ପ | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |
| ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା | ||
| ପୃଷ୍ଠ ରୁକ୍ଷତା (ପୋଲିସ୍ ରା) | ≤1 ଏନଏମ | ≤1 ଏନଏମ |
| ପୃଷ୍ଠ ରୁକ୍ଷତା (CMP Ra) | ≤0.2 ଏନଏମ | ≤0.2 ଏନଏମ |
| ଧାର ଫାଟ (ଉଚ୍ଚ-ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ) | ଅନୁମତି ନାହିଁ | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ ≥10 ମିମି, ଏକକ ଫାଟ ≤2 ମିମି |
| ଷଡ଼କୋଣୀୟ ପ୍ଲେଟ୍ ତ୍ରୁଟି | ≤0.05% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ | ≤0.1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ପଲିଟାଇପ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକ | ଅନୁମତି ନାହିଁ | ≤1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତି | ≤0.05% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ | ≤1% କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ |
| ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ସ୍କ୍ରାଚ୍ | ଅନୁମତି ନାହିଁ | ≤1 ୱାଫର ବ୍ୟାସ କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | କୌଣସି ଅନୁମତି ନାହିଁ (≥0.2 ମିମି ପ୍ରସ୍ଥ/ଗଭୀରତା) | ≤5 ଚିପ୍ସ (ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤1 ମିମି) |
| ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନୁହେଁ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନୁହେଁ |
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍-ୱେଫର କଣ୍ଟେନର | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା |
| 6-ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ ଏପିଟ୍ ଆକ୍ସିଆଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | |||
| ପାରାମିଟର | ୟୁନିଟ୍ | Z-MOSName | |
| ପ୍ରକାର | ସହଜତା / ଡୋପାଣ୍ଟ | - | N-ଟାଇପ୍ / ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |
| ବଫର ସ୍ତର | ବଫର ସ୍ତର ଘନତା | um | 1 |
| ବଫର ସ୍ତର ଘନତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧.୦୦ଇ+୧୮ | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ପ୍ରଥମ ଏପି ସ୍ତର | ଏପି ସ୍ତର ଘନତା | um | ୧୧.୫ |
| ଏପି ସ୍ତର ଘନତା ଏକରୂପତା | % | ±୪% | |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସହନଶୀଳତା ((ବିଶେଷ- ସର୍ବାଧିକ, ସର୍ବନିମ୍ନ)/ବିଶେଷ) | % | ±୫% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧ଇ ୧୫~ ୧ଇ ୧୮ | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | 6% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏକରୂପତା (σ) /ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤5% | |
| ଏପି ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏକରୂପତା <(ସର୍ବାଧିକ-ମିନିଟ୍)/(ସର୍ବାଧିକ+ମିନିଟ୍> | % | ≤ ୧୦% | |
| ଏପିଟାକ୍ସାଲ୍ ୱେଫର ଆକୃତି | ଧନୁ | um | ≤±୨୦ |
| ୱାର୍ପ୍ | um | ≤30 | |
| ଟିଟିଭି | um | ≤ ୧୦ | |
| ଏଲଟିଭି | um | ≤2 | |
| ସାଧାରଣ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ | ସ୍କ୍ରାଚ୍ ଲମ୍ବ | mm | ≤30 ମିମି |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | - | କିଛି ନୁହେଁ | |
| ତ୍ରୁଟି ପରିଭାଷା | ≥୯୭% (୨*୨ ସହିତ ମାପ କରାଯାଇଛି,) ଘାତକ ତ୍ରୁଟି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ତ୍ରୁଟି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ /ବଡ଼ ଗାତ, ଗାଜର, ତ୍ରିକୋଣୀୟ | ||
| ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି² | ଡି ଏଫ୍ ଏଲ୍ ଲି ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ | ପ୍ୟାକିଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | ପିସି/ବାକ୍ସ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
| 8-ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | |||
| ପାରାମିଟର | ୟୁନିଟ୍ | Z-MOSName | |
| ପ୍ରକାର | ସହଜତା / ଡୋପାଣ୍ଟ | - | N-ଟାଇପ୍ / ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |
| ବଫର ସ୍ତର | ବଫର ସ୍ତର ଘନତା | um | 1 |
| ବଫର ସ୍ତର ଘନତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା | ସେମି-୩ | ୧.୦୦ଇ+୧୮ | |
| ବଫର ସ୍ତର ସାନ୍ଦ୍ରତା ସହନଶୀଳତା | % | ±୨୦% | |
| ପ୍ରଥମ ଏପି ସ୍ତର | ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ହାରାହାରି | um | ୮~ ୧୨ |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସମାନତା (σ/ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤୨.୦ | |
| ଏପି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ଘନତା ସହନଶୀଳତା ((ବିଶେଷ - ସର୍ବାଧିକ, ସର୍ବନିମ୍ନ)/ବିଶେଷ) | % | ±6 | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ହାରାହାରି ଡୋପିଂ | ସେମି-୩ | ୮ଇ+୧୫ ~୨ଇ+୧୬ | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ଡୋପିଂ ୟୁନିଫର୍ମିଟି (σ/ମଧ୍ୟରେ) | % | ≤5 | |
| ଏପି ଲେୟର୍ସ ନେଟ୍ ଡୋପିଂ ସହନଶୀଳତା ((ସ୍ପେକ୍ସ -ସର୍ବାଧିକ, | % | ± ୧୦.୦ | |
| ଏପିଟାକ୍ସାଲ୍ ୱେଫର ଆକୃତି | ମି )/ସେ ) ୱାର୍ପ୍ | um | ≤୫୦.୦ |
| ଧନୁ | um | ± ୩୦.୦ | |
| ଟିଟିଭି | um | ≤ ୧୦.୦ | |
| ଏଲଟିଭି | um | ≤୪.୦ (୧୦ମିମି×୧୦ମିମି) | |
| ସାଧାରଣ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ | ସ୍କ୍ରାଚ୍ସ | - | କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଲମ୍ବ≤ 1/2ୱେଫର ବ୍ୟାସ |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | - | ≤2 ଚିପ୍ସ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ≤1.5 ମିମି | |
| ପୃଷ୍ଠ ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି2 | ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ତ୍ରୁଟି ନିରୀକ୍ଷଣ | % | ≥ ୯୬.୦ (2X2 ତ୍ରୁଟି ମଧ୍ୟରେ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ /ବଡ଼ ଗାତ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଗାଜର, ତ୍ରିକୋଣୀୟ ଦୋଷ, ପତନ, ରେଖୀୟ/IGSF-s, BPD) | |
| ପୃଷ୍ଠ ଧାତୁ ପ୍ରଦୂଷଣ | ପରମାଣୁ/ସେମି2 | ≤5E10 ପରମାଣୁ / cm2 (ଅଲ୍, କ୍ର, ଫେ, ନି, କୁ, Zn, (Hg,Na,K, Ti, Ca ଏବଂ Mn) | |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ | ପ୍ୟାକିଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | - | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର କଣ୍ଟେନର |
ପ୍ରଶ୍ନ ୧: ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଅପେକ୍ଷା SiC ୱେଫର୍ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା କ’ଣ?
କ୧:
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ (Si) ୱେଫର ତୁଳନାରେ SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ଅନେକ ପ୍ରମୁଖ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି, ଯେଉଁଥିରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା: ସିଲିକନ୍ (1.1 eV) ତୁଳନାରେ SiC ର ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ (3.26 eV) ଅଧିକ, ଯାହା ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ, ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ। ଏହା ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ପ୍ରଣାଳୀରେ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରେ।
ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା: SiC ର ତାପଜ ପରିବାହୀତା ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ ବହୁତ ଅଧିକ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍ତମ ତାପ ଅପଚୟକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଶକ୍ତି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଜୀବନକାଳକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ।
ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପରିଚାଳନା: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ସ୍ତରକୁ ପରିଚାଳନା କରିପାରିବ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ମୋଟର ଡ୍ରାଇଭ ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ବେଗ: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ କ୍ଷମତା ଥାଏ, ଯାହା ଶକ୍ତି କ୍ଷତି ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ ଆକାର ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
Q2: ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପରେ SiC ୱେଫରର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
କ୨:
ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପରେ, SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତଃ ନିମ୍ନଲିଖିତ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ:
ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ (EV) ପାୱାରଟ୍ରେନ୍: SiC-ଆଧାରିତ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଯେପରିକିଇନଭର୍ଟରଏବଂପାୱାର MOSFETsଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତାକୁ ସକ୍ଷମ କରି ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ପାୱାରଟ୍ରେନର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରନ୍ତୁ। ଏହା ବ୍ୟାଟେରୀ ଲାଇଫ୍ ଅଧିକ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଯାନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ।
ଅନ୍-ବୋର୍ଡ ଚାର୍ଜରଗୁଡ଼ିକ: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜିଂ ସମୟ ଏବଂ ଉତ୍ତମ ଥର୍ମାଲ୍ ପରିଚାଳନାକୁ ସକ୍ଷମ କରି ଅନ୍-ବୋର୍ଡ ଚାର୍ଜିଂ ସିଷ୍ଟମର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚାର୍ଜିଂ ଷ୍ଟେସନଗୁଡ଼ିକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ EV ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ବ୍ୟାଟେରୀ ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ (BMS): SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏହାର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେବ୍ୟାଟେରୀ ପରିଚାଳନା ସିଷ୍ଟମ, ଯାହା ଉତ୍ତମ ଭୋଲଟେଜ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଅଧିକ ପାୱାର ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଅଧିକ ବ୍ୟାଟେରୀ ଜୀବନ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ।
DC-DC କନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକ: SiC ୱେଫରଗୁଡିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏDC-DC କନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ଡିସି ପାୱାରକୁ କମ୍-ଭୋଲଟେଜ ଡିସି ପାୱାରରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା, ଯାହା ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନରେ ବ୍ୟାଟେରୀରୁ ଯାନର ବିଭିନ୍ନ ଉପାଦାନକୁ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା କରିବା ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ପ୍ରୟୋଗରେ SiCର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପ୍ରଦର୍ଶନ ଏହାକୁ ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଶିଳ୍ପର ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗତିଶୀଳତାକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ ପାଇଁ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ କରିଥାଏ।
ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ
-
3ଇଞ୍ଚ Dia76.2mm SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ HPSI ପ୍ରାଇମ୍ ରିସ...
-
SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ Dia200mm 4H-N ଏବଂ HPSI ସିଲିକନ୍ ca...
-
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-SiC ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ଇଙ୍ଗ...ରେ 6
-
୨ଇଞ୍ଚ SiC ଇନଗଟ୍ Dia50.8mmx10mmt 4H-N ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍
-
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ଇଙ୍ଗଟ୍ 6 ଇଞ୍ଚ N ପ୍ରକାରର ଡମି/ପ୍ର...
-
6 ଇଞ୍ଚ SiC ଏପିଟାକ୍ସି ୱାଫର N/P ପ୍ରକାର କଷ୍ଟମ ଗ୍ରହଣ କରେ...