ପ୍ର: SiC ୱେଫର ସ୍ଲାଇସିଂ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା କଣ?
A:ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ର କଠିନତା ହୀରା ପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ଏବଂ ଏହାକୁ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ କଠିନ ଏବଂ ଭଙ୍ଗୁର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ। ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଯେଉଁଥିରେ ବଢ଼ୁଥିବା ସ୍ଫଟିକକୁ ପତଳା ୱେଫରରେ କାଟିବା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ସମୟ ସାପେକ୍ଷ ଏବଂ ଚିପିବାର ସମ୍ଭାବନା ଅଧିକ। ପ୍ରଥମ ପଦକ୍ଷେପ ଭାବରେସି.ଆଇ.ସି.ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ସ୍ଲାଇସିଂର ଗୁଣବତ୍ତା ପରବର୍ତ୍ତୀ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ, ପଲିସିଂ ଏବଂ ପତଳାକରଣକୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରେ। ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରାୟତଃ ପୃଷ୍ଠ ଏବଂ ଉପପୃଷ୍ଠ ଫାଟ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ୱେଫର ଭାଙ୍ଗିବା ହାର ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଖର୍ଚ୍ଚ ବୃଦ୍ଧି କରେ। ତେଣୁ, ସ୍ଲାଇସିଂ ସମୟରେ ପୃଷ୍ଠ ଫାଟ କ୍ଷତିକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା SiC ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାଣକୁ ଆଗକୁ ବଢ଼ାଇବା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ବର୍ତ୍ତମାନ ରିପୋର୍ଟ କରାଯାଇଥିବା SiC ସ୍ଲାଇସିଂ ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ସ୍ଥିର-ଘୃଣଶୀଳ, ମୁକ୍ତ-ଘୃଣଶୀଳ ସ୍ଲାଇସିଂ, ଲେଜର କଟିଙ୍ଗ, ସ୍ତର ସ୍ଥାନାନ୍ତର (ଥଣ୍ଡା ପୃଥକୀକରଣ), ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଡିସଚାର୍ଜ ସ୍ଲାଇସିଂ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଏଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ, ସ୍ଥିର ହୀରା ଘୃଣଶୀଳ ସହିତ ମଲ୍ଟି-ୱାୟାର ସ୍ଲାଇସିଂକୁ ପୁନଃନିର୍ମାଣ କରିବା ହେଉଛି SiC ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପଦ୍ଧତି। ତଥାପି, ଇଙ୍ଗଟ୍ ଆକାର 8 ଇଞ୍ଚ ଏବଂ ତା'ଠାରୁ ଅଧିକ ପହଞ୍ଚିବା ପରେ, ଉଚ୍ଚ ଉପକରଣ ଚାହିଦା, ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ କମ ଦକ୍ଷତା ଯୋଗୁଁ ପାରମ୍ପରିକ ତାର ସଇଂ କମ୍ ବ୍ୟବହାରିକ ହୋଇଯାଏ। କମ ମୂଲ୍ୟ, କମ କ୍ଷତି, ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଜରୁରୀ ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି।
ପ୍ର: ପାରମ୍ପରିକ ମଲ୍ଟି-ୱାୟାର କଟିଙ୍ଗ ତୁଳନାରେ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂର କ’ଣ ସୁବିଧା ଅଛି?
A: ପାରମ୍ପରିକ ତାର କାଟିବା ଦ୍ୱାରାସି.ଆଇ.ସି. ଇନଗଟ୍ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଦିଗରେ କିଛି ଶହ ମାଇକ୍ରୋନ ଘନ ଖଣ୍ଡ ତିଆରି କରାଯାଏ। ତା'ପରେ ଖଣ୍ଡଗୁଡ଼ିକୁ ହୀରା ସ୍ଲରି ବ୍ୟବହାର କରି ଗୁଣ୍ଡ କରାଯାଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା କରତ ଚିହ୍ନ ଏବଂ ଉପପୃଷ୍ଠ କ୍ଷତି ଦୂର କରାଯାଏ, ତା'ପରେ ରାସାୟନିକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ (CMP) ଦ୍ୱାରା ବିଶ୍ୱ ପ୍ଲାନରାଇଜେସନ୍ ହାସଲ କରାଯାଏ, ଏବଂ ଶେଷରେ SiC ୱେଫର୍ସ ପାଇବା ପାଇଁ ସଫା କରାଯାଏ।
ତଥାପି, SiC ର ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା ଏବଂ ଭଙ୍ଗୁରତା ଯୋଗୁଁ, ଏହି ପଦକ୍ଷେପଗୁଡ଼ିକ ସହଜରେ ୱାର୍ପିଂ, ଫାଟିବା, ଭଙ୍ଗା ହାର ବୃଦ୍ଧି, ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ପାଦନ ଖର୍ଚ୍ଚ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପୃଷ୍ଠ ଖରସତା ଏବଂ ପ୍ରଦୂଷଣ (ଧୂଳି, ଅପଚୟ ଜଳ, ଇତ୍ୟାଦି) ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ। ଏହା ସହିତ, ତାର କାଟିବା ଧୀର ଏବଂ କମ ଉତ୍ପାଦନ କରେ। ଆକଳନ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ପାରମ୍ପରିକ ମଲ୍ଟି-ୱାୟାର ସ୍ଲାଇସିଂ କେବଳ ପ୍ରାୟ 50% ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର ହାସଲ କରେ, ଏବଂ ପଲିସିଂ ଏବଂ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ପରେ 75% ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସାମଗ୍ରୀ ନଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ। ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ବିଦେଶୀ ଉତ୍ପାଦନ ତଥ୍ୟ ସୂଚାଇଛି ଯେ 10,000 ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ ପ୍ରାୟ 273 ଦିନ ନିରନ୍ତର 24-ଘଣ୍ଟା ଉତ୍ପାଦନ ଲାଗିପାରେ - ବହୁତ ସମୟ-ସର୍ବସାଧାରଣ।
ଘରୋଇ ସ୍ତରରେ, ଅନେକ SiC ସ୍ଫଟିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କମ୍ପାନୀ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ କ୍ଷମତା ବୃଦ୍ଧି ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଉଛନ୍ତି। ତଥାପି, କେବଳ ଉତ୍ପାଦନ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପରିବର୍ତ୍ତେ, କ୍ଷତି କିପରି ହ୍ରାସ କରାଯିବ ତାହା ବିଚାର କରିବା ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ - ବିଶେଷକରି ଯେତେବେଳେ ସ୍ଫଟିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅମଳ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସର୍ବୋତ୍ତମ ନୁହେଁ।
ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତିକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ପରିମାଣରେ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ। ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଏକକ 20 ମି.ମି. ବ୍ୟବହାର କରିସି.ଆଇ.ସି. ଇନଗଟ୍: ତାର ସିଙ୍ଗ୍ ଦ୍ୱାରା 350 μm ଘନତାର ପ୍ରାୟ 30ଟି ୱେଫର୍ ମିଳିପାରିବ। ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଦ୍ୱାରା 50ରୁ ଅଧିକ ୱେଫର୍ ମିଳିପାରିବ। ଯଦି ୱେଫର୍ ଘନତା 200 μm କୁ ହ୍ରାସ କରାଯାଏ, ତେବେ ସମାନ ଇଙ୍ଗଟ୍ ରୁ 80 ରୁ ଅଧିକ ୱେଫର୍ ମିଳିପାରିବ। 6 ଇଞ୍ଚ ଏବଂ ତା'ଠାରୁ ଛୋଟ ୱେଫର୍ ପାଇଁ ତାର ସିଙ୍ଗ୍ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବା ବେଳେ, 8-ଇଞ୍ଚ SiC ଇଙ୍ଗଟ୍ କାଟିବା ପାଇଁ ପାରମ୍ପରିକ ପଦ୍ଧତି ସହିତ 10-15 ଦିନ ଲାଗିପାରେ, ଉଚ୍ଚମାନର ଉପକରଣ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ ଏବଂ କମ ଦକ୍ଷତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଖର୍ଚ୍ଚ ହୁଏ। ଏହି ପରିସ୍ଥିତିରେ, ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂର ସୁବିଧା ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ, ଏହାକୁ 8-ଇଞ୍ଚ ୱେଫର୍ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟଧାରାର ଭବିଷ୍ୟତ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା କରିଥାଏ।
ଲେଜର କଟିଙ୍ଗ ସହିତ, ପ୍ରତି 8-ଇଞ୍ଚ ୱାଫର ପାଇଁ ସ୍ଲାଇସିଂ ସମୟ 20 ମିନିଟରୁ କମ୍ ହୋଇପାରେ, ପ୍ରତି ୱାଫର ପାଇଁ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତି 60 μm ଠାରୁ କମ୍ ହୋଇପାରେ।
ସଂକ୍ଷେପରେ, ମଲ୍ଟି-ୱାୟାର କଟିଂ ତୁଳନାରେ, ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଅଧିକ ଗତି, ଉତ୍ତମ ଅମଳ, କମ୍ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତି ଏବଂ ସଫା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ।
ପ୍ର: SiC ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂରେ ମୁଖ୍ୟ ବୈଷୟିକ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
ଉତ୍ତର: ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପଦକ୍ଷେପ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ଲେଜର ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏବଂ ୱେଫର ପୃଥକୀକରଣ।
ଲେଜର ପରିବର୍ତ୍ତନର ମୂଳ ହେଉଛି ବିମ୍ ଆକାର ଏବଂ ପାରାମିଟର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍। ଲେଜର ପାୱାର, ସ୍ପଟ୍ ବ୍ୟାସ ଏବଂ ସ୍କାନ ଗତି ଭଳି ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ ସାମଗ୍ରୀ ଆବଲେସନର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ୱେଫର ପୃଥକୀକରଣର ସଫଳତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରେ। ପରିବର୍ତ୍ତିତ ଜୋନର ଜ୍ୟାମିତି ପୃଷ୍ଠର ରୁକ୍ଷତା ଏବଂ ପୃଥକୀକରଣର କଷ୍ଟକରତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ। ଉଚ୍ଚ ପୃଷ୍ଠର ରୁକ୍ଷତା ପରେ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂକୁ ଜଟିଳ କରିଥାଏ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତିକୁ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ।
ପରିବର୍ତ୍ତନ ପରେ, ୱେଫର ପୃଥକୀକରଣ ସାଧାରଣତଃ ଶୀୟର ଫୋର୍ସ ମାଧ୍ୟମରେ ହାସଲ କରାଯାଏ, ଯେପରିକି ଥଣ୍ଡା ଫ୍ରାକ୍ଚର କିମ୍ବା ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଚାପ। କିଛି ଘରୋଇ ସିଷ୍ଟମ ପୃଥକୀକରଣ ପାଇଁ କମ୍ପନ ପ୍ରେରଣା ଦେବା ପାଇଁ ଅଲ୍ଟ୍ରାସୋନିକ ଟ୍ରାନ୍ସଡ୍ୟୁସର ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି, କିନ୍ତୁ ଏହା ଚିପିଂ ଏବଂ ଧାର ତ୍ରୁଟି ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ, ଯାହା ଶେଷ ଅମଳକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ।
ଯଦିଓ ଏହି ଦୁଇଟି ପଦକ୍ଷେପ ସ୍ୱାଭାବିକ ଭାବରେ କଷ୍ଟକର ନୁହେଁ, କିନ୍ତୁ ବିଭିନ୍ନ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଡୋପିଂ ସ୍ତର ଏବଂ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ବଣ୍ଟନ ଯୋଗୁଁ ସ୍ଫଟିକ ଗୁଣବତ୍ତାରେ ଅସଙ୍ଗତି ସ୍ଲାଇସିଂ କଷ୍ଟ, ଅମଳ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତିକୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରେ। କେବଳ ସମସ୍ୟା କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକୁ ଚିହ୍ନଟ କରିବା ଏବଂ ଲେଜର ସ୍କାନିଂ ଜୋନଗୁଡ଼ିକୁ ଆଡଜଷ୍ଟ କରିବା ଫଳାଫଳକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ଉନ୍ନତ କରିନପାରେ।
ବ୍ୟାପକ ଗ୍ରହଣର ଚାବିକାଠି ହେଉଛି ଏପରି ଅଭିନବ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଉପକରଣ ବିକଶିତ କରିବା ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ନିର୍ମାତାଙ୍କ ଠାରୁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସ୍ଫଟିକ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ଖାପ ଖୁଆଇପାରିବ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିପାରିବ, ଏବଂ ସାର୍ବଜନୀନ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟତା ସହିତ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ସିଷ୍ଟମ ନିର୍ମାଣ କରିପାରିବ।
ପ୍ର: SiC ବ୍ୟତୀତ ଅନ୍ୟ ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ସାମଗ୍ରୀରେ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରିବ କି?
ଉତ୍ତର: ଲେଜର କଟିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଐତିହାସିକ ଭାବରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସାମଗ୍ରୀରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇଛି। ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀରେ, ଏହା ପ୍ରାରମ୍ଭରେ ୱାଫର ଡାଇସିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିଲା ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଏହା ବଡ଼ ବଲ୍କ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକକୁ କାଟିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିସ୍ତାରିତ ହୋଇଛି।
SiC ବ୍ୟତୀତ, ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂକୁ ହୀରା, ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN), ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (Ga₂O₃) ଭଳି ଅନ୍ୟ କଠିନ କିମ୍ବା ଭଙ୍ଗୁର ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। ଏହି ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ଅଧ୍ୟୟନଗୁଡ଼ିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂର ସମ୍ଭାବ୍ୟତା ଏବଂ ସୁବିଧା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିଛି।
ପ୍ର: ବର୍ତ୍ତମାନ କୌଣସି ପରିପକ୍ୱ ଘରୋଇ ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦ ଅଛି କି? ଆପଣଙ୍କର ଗବେଷଣା କେଉଁ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଛି?
ଉତ୍ତର: ବଡ଼ ବ୍ୟାସର SiC ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଉପକରଣକୁ ଭବିଷ୍ୟତର 8-ଇଞ୍ଚ SiC ୱେଫର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ଉପକରଣ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ। ବର୍ତ୍ତମାନ, କେବଳ ଜାପାନ ଏପରି ପ୍ରଣାଳୀ ଯୋଗାଇ ପାରିବ, ଏବଂ ସେଗୁଡ଼ିକ ମହଙ୍ଗା ଏବଂ ରପ୍ତାନି ପ୍ରତିବନ୍ଧକର ଅଧୀନରେ।
SiC ଉତ୍ପାଦନ ଯୋଜନା ଏବଂ ବିଦ୍ୟମାନ ତାର କରତ କ୍ଷମତା ଉପରେ ଆଧାର କରି ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ/ଥିନିଂ ସିଷ୍ଟମର ଘରୋଇ ଚାହିଦା ପ୍ରାୟ 1,000 ୟୁନିଟ୍ ହେବ ବୋଲି ଆକଳନ କରାଯାଇଛି। ପ୍ରମୁଖ ଘରୋଇ କମ୍ପାନୀଗୁଡ଼ିକ ବିକାଶରେ ପ୍ରଚୁର ନିବେଶ କରିଛନ୍ତି, କିନ୍ତୁ କୌଣସି ପରିପକ୍ୱ, ବାଣିଜ୍ୟିକ ଭାବରେ ଉପଲବ୍ଧ ଘରୋଇ ଉପକରଣ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଶିଳ୍ପ ସ୍ଥାପନରେ ପହଞ୍ଚି ନାହିଁ।
ଗବେଷଣା ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡ଼ିକ 2001 ମସିହାରୁ ମାଲିକାନା ଲେଜର ଲିଫ୍ଟ-ଅଫ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକଶିତ କରିଆସୁଛନ୍ତି ଏବଂ ବର୍ତ୍ତମାନ ଏହାକୁ ବଡ଼ ବ୍ୟାସ SiC ଲେଜର ସ୍ଲାଇସିଂ ଏବଂ ପତଳା କରିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିସ୍ତାର କରିଛନ୍ତି। ସେମାନେ ଏକ ପ୍ରୋଟୋଟାଇପ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ସ୍ଲାଇସିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିକଶିତ କରିଛନ୍ତି ଯାହା ସକ୍ଷମ: 4-6 ଇଞ୍ଚ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗିକ SiC ୱେଫରକୁ କାଟିବା ଏବଂ ପତଳା କରିବା 6-8 ଇଞ୍ଚ ପରିବାହୀ SiC ଇନଗଟ୍ସକୁ କାଟିବା କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମାନଦଣ୍ଡ: 6-8 ଇଞ୍ଚ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗିକ SiC: ସ୍ଲାଇସିଂ ସମୟ 10-15 ମିନିଟ୍/ୱେଫର; ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତି <30 μm6-8 ଇଞ୍ଚ ପରିବାହୀ SiC: ସ୍ଲାଇସିଂ ସମୟ 14-20 ମିନିଟ୍/ୱେଫର; ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷତି <60 μm
ଆନୁମାନିକ ୱାଫର ଉପଜ 50% ରୁ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଛି
ସ୍ଲାଇସିଂ ପରେ, ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଏବଂ ପଲିସ୍ କରିବା ପରେ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ଜ୍ୟାମିତି ପାଇଁ ଜାତୀୟ ମାନଦଣ୍ଡ ପୂରଣ କରନ୍ତି। ଅଧ୍ୟୟନଗୁଡ଼ିକ ଏହା ମଧ୍ୟ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଲେଜର-ପ୍ରେରିତ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରଭାବ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକରେ ଚାପ କିମ୍ବା ଜ୍ୟାମିତିକୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରେ ନାହିଁ।
ହୀରା, GaN, ଏବଂ Ga₂O₃ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ କାଟିବା ପାଇଁ ସମ୍ଭାବ୍ୟତା ଯାଞ୍ଚ କରିବା ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ସମାନ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଛି।
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମଇ-୨୩-୨୦୨୫