4H-N / 6H-N SiC ୱାଫର୍ ପୁନ as ଅନୁସନ୍ଧାନ ଉତ୍ପାଦନ ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ Dia150mm ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |

ଗ୍ରେଡ୍

ଶୂନ MPD

ଉତ୍ପାଦନ

ଅନୁସନ୍ଧାନ ଗ୍ରେଡ୍ |

ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ |

ବ୍ୟାସ

150.0mm ± 0.25mm

ମୋଟା |

4H-N

350um ± 25um

4H-SI

500um ± 25um

ୱେଫର୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ |

ଅକ୍ଷରେ: 4H-SI ପାଇଁ <0001> ± 0.5 ° |
ଅଫ୍ ଅକ୍ଷ: 4H-N ପାଇଁ 4.11 ° <1120> ± 0.5 ° ଆଡକୁ |

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ

{10-10} ± 5.0 ° |

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ |

47.5 ମିମି ± 2.5 ମିମି |

ଧାର ବହିଷ୍କାର |

3 ମିମି

TTV / ଧନୁ / ୱାର୍ପ |

≤15um / ≤40um / ≤60um |

ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା |

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

ପ୍ରତିରୋଧକତା 4H-N 4H-SI |

0.015 ~ 0.028Ω! ସେମି |

≥1E5Ω! Cm

ରୁଗ୍ଣତା |

ପୋଲାଣ୍ଡ Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm |

ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା କ୍ରାକ୍ |

କିଛି ନୁହେଁ |

1 ଅନୁମୋଦିତ, ≤2 ମିମି |

ସଂଗୃହିତ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ ≤10 ମିମି, ଏକକ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ mm2 ମିମି |

* ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤1% |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 2% |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 5% |

* ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର |

କିଛି ନୁହେଁ |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 2% |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤ 5% |

* ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

X ଟି ୱାଫର୍ ବ୍ୟାସ ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟରୁ 3 ଟି ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

1 x ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟରୁ 5 ଟି ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

1 x ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ 5 ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

ଏଜ୍ ଚିପ୍ |

କିଛି ନୁହେଁ |

3 ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤0.5 ମିମି |

5 ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ≤1 ମିମି |

ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଦୂଷଣ |

କିଛି ନୁହେଁ |