8 ଇଞ୍ଚ 200mm 4H-N SiC ୱାଫର୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡମି ଗବେଷଣା ଗ୍ରେଡ୍ |
ଏହାର ଅନନ୍ୟ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ, 200 ମିମି ସିସି ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ବିକିରଣ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ହେବା ସହ ଚାହିଦା ବ as ଼ିବା ସହିତ 8inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମୂଲ୍ୟ ଧୀରେ ଧୀରେ ହ୍ରାସ ପାଉଛି |ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକାଶ 200 ମିମି ସିସି ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ସ୍କେଲ୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ନେଇଥାଏ |Si ଏବଂ GaAs ୱାଫର୍ ତୁଳନାରେ SiC ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା: ବାଘ ଭାଙ୍ଗିବା ସମୟରେ 4H-SiC ର ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି Si ଏବଂ GaA ପାଇଁ ଅନୁରୂପ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମାଙ୍କଠାରୁ ଅଧିକ |ଏହା ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ରୋନ୍ ରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହ୍ରାସ ଘଟାଇଥାଏ |କମ୍ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇ, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ବହୁତ ଛୋଟ ଡାଏର ବ୍ୟବହାରକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |SiC ର ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଚିପ୍ ର ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରେ |SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିର ଉପରେ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର, ଯାହା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ଉଚ୍ଚ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କଠିନ ବିକିରଣ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧୀ, ଯାହା ଚିପ୍ ର ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣକୁ ଖରାପ କରେ ନାହିଁ |ସ୍ଫଟିକର ଉଚ୍ଚ ସୀମିତ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା (6000C ରୁ ଅଧିକ) ଆପଣଙ୍କୁ କଠିନ ଅପରେଟିଂ ଅବସ୍ଥା ଏବଂ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଉପକରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆମେ ସ୍ଥିର ଏବଂ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ 200mmSiC ୱାଫର୍ ଯୋଗାଇ ପାରିବା ଏବଂ ଗୋଦାମରେ କିଛି ଷ୍ଟକ୍ ରଖିପାରିବା |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ସଂଖ୍ୟା | ଆଇଟମ୍ | | ୟୁନିଟ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| 1. ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | |||||
| 1.1 | ପଲିଟାଇପ୍ | | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2। 1.2 | ପୃଷ୍ଠଭୂମି | ° | <11-20> 4 ± 0.5 | <11-20> 4 ± 0.5 | <11-20> 4 ± 0.5 |
| 2. ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟର | |||||
| 2.1 | ଡୋପାଣ୍ଟ | | -- | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | |
| 2.2 | ପ୍ରତିରୋଧକତା | | ohm · cm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟର | |||||
| 3.1 | ବ୍ୟାସ | mm | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 |
| 3.2 | ମୋଟା | | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | ଖଣ୍ଡ ଆଭିମୁଖ୍ୟ | | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | ଖଣ୍ଡ ଗଭୀରତା | | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5। 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | ଧନୁ | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | ଯୁଦ୍ଧ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ଗଠନ | |||||
| 4.1 | ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ଧାତୁ ବିଷୟବସ୍ତୁ | | ପରମାଣୁ / cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea / cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea / cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ସକରାତ୍ମକ ଗୁଣ | |||||
| 5.1 | ଆଗ | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତ | -- | ସି-ମୁହଁ CMP | ସି-ମୁହଁ CMP | ସି-ମୁହଁ CMP |
| 5.3 | କଣିକା | ea / wafer | ≤100 (ଆକାର ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea / wafer | ≤5, ମୋଟ ଲମ୍ବ ≤200 ମିମି | | NA | NA |
| 5.5 | ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫାଟ / ଦାଗ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA |
| 5.6 | ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କ୍ଷେତ୍ର ≤10% | | କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| 5.7 | ଆଗ ମାର୍କିଂ | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | |
| 6. ପଛ ଗୁଣ | |||||
| 6.1 | ପଛକୁ ଶେଷ | -- | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | ପଛ ଦୋଷ ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA |
| 6.4 | ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | ପଛ ମାର୍କିଂ | | -- | ଖଣ୍ଡ | ଖଣ୍ଡ | ଖଣ୍ଡ |
| 7. ଧାର | |||||
| 7.1 | ଧାର | -- | ଚାମ୍ଫର୍ | | ଚାମ୍ଫର୍ | | ଚାମ୍ଫର୍ | |
| 8. ପ୍ୟାକେଜ୍ | |||||
| 8.1 | ପ୍ୟାକେଜିଂ | -- | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ |
| 8.2 | ପ୍ୟାକେଜିଂ | -- | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
