4 ଇଞ୍ଚ ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ ସି-ପ୍ଲେନ୍ SSP / DSP 0.43mm 0.65mm |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ
III-V ଏବଂ II-VI ଯ ounds ଗିକ ପାଇଁ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |
● ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ |
● IR ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |
ନୀଳ ନୀଳକଣ୍ଠ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ (SOS) |
● ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ (RFIC) |
ଏଲଇଡି ଉତ୍ପାଦନରେ, ଗାଲିଅମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ଏକ ବ electric ଦୁତିକ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ ହେଲେ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ କରେ |ନୀଳମଣି GaN ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ କାରଣ ଏହାର ସମାନ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ଏବଂ GaN ସହିତ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଅଛି, ଯାହା ତ୍ରୁଟିକୁ କମ୍ କରିଥାଏ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି କରିଥାଏ |
ଅପ୍ଟିକ୍ସରେ ନୀଳକଣ୍ଠ ୱାଫର୍ ଉଚ୍ଚ ଚାପ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ୱିଣ୍ଡୋ ଏବଂ ଲେନ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ଏବଂ କଠିନତା ହେତୁ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ଆଇଟମ୍ | | 4-ଇଞ୍ଚ୍ ସି-ପ୍ଲେନ୍ (0001) 650μm ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ | | |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ | | 99,999%, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ Al2O3 | | |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ପ୍ରାଇମ୍, ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | | |
| ସର୍ଫେସ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | ସି-ବିମାନ (0001) | |
| ସି-ପ୍ଲେନ୍ ଅଫ୍ ଆଙ୍ଗଲ୍ M-axis 0.2 +/- 0.1 ° ଆଡକୁ | | ||
| ବ୍ୟାସ | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| ମୋଟା | | 650 μm +/- 25 μm | | |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | ଏ-ବିମାନ (11-20) +/- 0.2 ° | | |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| ଏକକ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ | | ସାମ୍ନା ପୃଷ୍ଠ | | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
| (SSP) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ଉତ୍ତମ ଭୂମି, Ra = 0.8 μm ରୁ 1.2 μm | |
| ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ | | ସାମ୍ନା ପୃଷ୍ଠ | | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
| (DSP) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
| TTV | <20 μm | |
| ଧନୁ | <20 μm | |
| WARP | <20 μm | |
| ସଫା / ପ୍ୟାକେଜିଂ | କ୍ଲାସ୍ 100 କ୍ଲିନରୁମ୍ ସଫା କରିବା ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ, | |
| ଗୋଟିଏ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ କିମ୍ବା ଏକକ ଖଣ୍ଡ ପ୍ୟାକେଜିଂରେ 25 ଖଣ୍ଡ | | ||
ପ୍ୟାକିଂ ଏବଂ ସିପିଂ
ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ଆମେ 25pcs କ୍ୟାସେଟ୍ ବାକ୍ସ ଦ୍ୱାରା ପ୍ୟାକେଜ୍ ପ୍ରଦାନ କରୁ |ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଆମେ 100 ଗ୍ରେଡ୍ ସଫେଇ କକ୍ଷ ତଳେ ଏକକ ୱେଫର୍ କଣ୍ଟେନର ଦ୍ୱାରା ପ୍ୟାକ୍ କରିପାରିବା |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
