ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆମର କମ୍ପାନୀ 8inchN ପ୍ରକାରର SiC ୱେଫରର ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ ଯୋଗାଣ ଜାରି ରଖିପାରିବ, ଯଦି ଆପଣଙ୍କର ନମୁନା ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି, ଦୟାକରି ମୋ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ ମୁକ୍ତ ହୁଅନ୍ତୁ। ଆମ ପାଖରେ ପଠାଇବା ପାଇଁ କିଛି ନମୁନା ୱେଫର ପ୍ରସ୍ତୁତ ଅଛି।
ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷେତ୍ରରେ, କମ୍ପାନୀ ବଡ଼ ଆକାରର SiC ସ୍ଫଟିକର ଗବେଷଣା ଏବଂ ବିକାଶରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସଫଳତା ହାସଲ କରିଛି। ବ୍ୟାସର ବହୁ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବୃଦ୍ଧି ପରେ ନିଜସ୍ୱ ବୀଜ ସ୍ଫଟିକ ବ୍ୟବହାର କରି, କମ୍ପାନୀ ସଫଳତାର ସହିତ 8-ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ SiC ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ କରିଛି, ଯାହା 8-ଇଞ୍ଚ SIC ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅସମାନ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ର, ସ୍ଫଟିକ ଫାଟିବା ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ କଞ୍ଚାମାଲ ବଣ୍ଟନ ଭଳି କଷ୍ଟକର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରେ, ଏବଂ ବଡ଼ ଆକାରର SIC ସ୍ଫଟିକ ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରେ। SiC ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଶିଳ୍ପରେ କମ୍ପାନୀର ମୂଳ ପ୍ରତିଯୋଗିତାକୁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି କରେ। ସେହି ସମୟରେ, କମ୍ପାନୀ ବଡ଼ ଆକାରର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଲାଇନର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସକ୍ରିୟ ଭାବରେ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ, ଉପର ଏବଂ ତଳ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକରେ ବୈଷୟିକ ବିନିମୟ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ସହଯୋଗକୁ ସୁଦୃଢ଼ କରେ, ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ନିରନ୍ତର ପୁନରାବୃତ୍ତି କରିବା ପାଇଁ ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କ ସହିତ ସହଯୋଗ କରେ, ଏବଂ ମିଳିତ ଭାବରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଶିଳ୍ପ ପ୍ରୟୋଗର ଗତିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ।
| 8 ଇଞ୍ଚ N-ଟାଇପ୍ SiC DSP ସ୍ପେକ୍ସ | |||||
| ସଂଖ୍ୟା | ଆଇଟମ୍ | ୟୁନିଟ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଗବେଷଣା | ଡମି |
| 1. ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ | |||||
| ୧.୧ | ପଲିଟାଇପ୍ | -- | 4H | 4H | 4H |
| ୧.୨ | ପୃଷ୍ଠ ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶ | ° | <11-20> ୪±୦.୫ | <11-20> ୪±୦.୫ | <11-20> ୪±୦.୫ |
| 2. ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟର | |||||
| ୨.୧ | ଡୋପାଣ୍ଟ | -- | n-ଟାଇପ୍ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | n-ଟାଇପ୍ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | n-ଟାଇପ୍ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |
| ୨.୨ | ପ୍ରତିରୋଧକତା | ଓମ ·ସେମି | ୦.୦୧୫~୦.୦୨୫ | ୦.୦୧~୦.୦୩ | NA |
| 3. ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟର | |||||
| ୩.୧ | ବ୍ୟାସ | mm | ୨୦୦±୦.୨ | ୨୦୦±୦.୨ | ୨୦୦±୦.୨ |
| ୩.୨ | ଘନତା | μମି | ୫୦୦±୨୫ | ୫୦୦±୨୫ | ୫୦୦±୨୫ |
| ୩.୩ | ନଚ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ° | [୧- ୧୦୦]±୫ | [୧- ୧୦୦]±୫ | [୧- ୧୦୦]±୫ |
| ୩.୪ | ନଚ୍ ଗଭୀରତା | mm | ୧~୧.୫ | ୧~୧.୫ | ୧~୧.୫ |
| ୩.୫ | ଏଲଟିଭି | μମି | ≤5(୧୦ମିମି*୧୦ମିମି) | ≤5(୧୦ମିମି*୧୦ମିମି) | ≤୧୦(୧୦ମିମି*୧୦ମିମି) |
| ୩.୬ | ଟିଟିଭି | μମି | ≤୧୦ | ≤୧୦ | ≤୧୫ |
| ୩.୭ | ଧନୁ | μମି | -୨୫~୨୫ | -୪୫~୪୫ | -୬୫~୬୫ |
| ୩.୮ | ୱାର୍ପ୍ | μମି | ≤30 | ≤୫୦ | ≤୭୦ |
| ୩.୯ | ଏଏଫ୍ଏମ୍ | nm | ରା≤0.2 | ରା≤0.2 | ରା≤0.2 |
| ୪. ଗଠନ | |||||
| ୪.୧ | ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତ୍ୱ | ଇଏ/ସେମି2 | ≤2 | ≤୧୦ | ≤୫୦ |
| ୪.୨ | ଧାତୁ ସାମଗ୍ରୀ | ପରମାଣୁ/ସେମି2 | ≤1E୧୧ | ≤1E୧୧ | NA |
| ୪.୩ | ଟିଏସଡି | ଇଏ/ସେମି2 | ≤୫୦୦ | ≤1000 | NA |
| ୪.୪ | ବିପିଡି | ଇଏ/ସେମି2 | ≤୨୦୦୦ | ≤୫୦୦୦ | NA |
| ୪.୫ | ଟେଡ୍ | ଇଏ/ସେମି2 | ≤୭୦୦୦ | ≤୧୦୦୦୦ | NA |
| ୫. ସକାରାତ୍ମକ ଗୁଣବତ୍ତା | |||||
| ୫.୧ | ଆଗ | -- | Si | Si | Si |
| ୫.୨ | ପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି | -- | ସି-ଫେସ୍ CMP | ସି-ଫେସ୍ CMP | ସି-ଫେସ୍ CMP |
| ୫.୩ | କଣିକା | ଇଏ/ୱେଫର | ≤100(ଆକାର≥0.3μm) | NA | NA |
| ୫.୪ | ରାମ୍ପୁଡ଼ିବା | ଇଏ/ୱେଫର | ≤5, ମୋଟ ଲମ୍ବ≤200ମିମି | NA | NA |
| ୫.୫ | ଧାର ଚିପ୍ସ/ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟ/ଫଟା/ଦାଗ/ସଂକ୍ରମଣ | -- | କିଛି ନୁହେଁ | କିଛି ନୁହେଁ | NA |
| ୫.୬ | ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ର | -- | କିଛି ନୁହେଁ | କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤୧୦% | କ୍ଷେତ୍ରଫଳ ≤30% |
| ୫.୭ | ଆଗ ଚିହ୍ନ | -- | କିଛି ନୁହେଁ | କିଛି ନୁହେଁ | କିଛି ନୁହେଁ |
| ୬. ପଛ ଗୁଣବତ୍ତା | |||||
| ୬.୧ | ପଛ ଶେଷ | -- | ସି-ଫେସ୍ MP | ସି-ଫେସ୍ MP | ସି-ଫେସ୍ MP |
| ୬.୨ | ରାମ୍ପୁଡ଼ିବା | mm | NA | NA | NA |
| ୬.୩ | ପଛ ପଟେ ତ୍ରୁଟି ଥିବା ଧାର ଚିପ୍ସ/ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ | -- | କିଛି ନୁହେଁ | କିଛି ନୁହେଁ | NA |
| ୬.୪ | ପିଠି ରୁକ୍ଷତା | nm | ରା≤5 | ରା≤5 | ରା≤5 |
| ୬.୫ | ପଛକୁ ଚିହ୍ନିବା | -- | ନଚ୍ | ନଚ୍ | ନଚ୍ |
| ୭. ଧାର | |||||
| ୭.୧ | ଧାର | -- | ଚାମ୍ଫର | ଚାମ୍ଫର | ଚାମ୍ଫର |
| ୮. ପ୍ୟାକେଜ୍ | |||||
| ୮.୧ | ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | -- | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସହିତ ଏପି-ରେଡି ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସହିତ ଏପି-ରେଡି ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସହିତ ଏପି-ରେଡି ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ |
| ୮.୨ | ପ୍ୟାକେଜିଙ୍ଗ୍ | -- | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | ମଲ୍ଟି-ୱେଫର କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଏପ୍ରିଲ-୧୮-୨୦୨୩