ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆମର କମ୍ପାନୀ 8inchN ପ୍ରକାର SiC ୱାଫର୍ ର ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ ଯୋଗାଇବା ଜାରି ରଖିପାରେ, ଯଦି ଆପଣଙ୍କର ନମୁନା ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି, ଦୟାକରି ମୋ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ ମୁକ୍ତ ମନ ଦିଅନ୍ତୁ |ଆମର କିଛି ନମୁନା ୱାଫର୍ ପଠାଇବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷେତ୍ରରେ, କମ୍ପାନୀ ବଡ଼ ଆକାରର SiC ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ବିକାଶରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସଫଳତା ହାସଲ କରିଛି |ଏକାଧିକ ରାଉଣ୍ଡ ବ୍ୟାସ ବୃଦ୍ଧି ପରେ ନିଜସ୍ୱ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ବ୍ୟବହାର କରି, କମ୍ପାନୀ ସଫଳତାର ସହିତ 8-ଇଞ୍ଚ N- ପ୍ରକାର ସିସି ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି କରିଛି, ଯାହା ଅସମାନ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ର, ସ୍ଫଟିକ କ୍ରାକିଂ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ ଚରଣ କଞ୍ଚାମାଲ ବଣ୍ଟନ ପରି କଠିନ ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିଥାଏ | 8-ଇଞ୍ଚ୍ SIC ସ୍ଫଟିକ୍, ଏବଂ ବଡ଼ ଆକାରର SIC ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଶାସିତ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରେ |SiC ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିରେ କମ୍ପାନୀର ମୂଳ ପ୍ରତିଦ୍ୱନ୍ଦ୍ୱିତାକୁ ବହୁତ ଭଲ ଭାବରେ ବ enhance ାନ୍ତୁ |ସେହି ସମୟରେ, କମ୍ପାନୀ ସକ୍ରିୟ ଭାବରେ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ବୃହତ ଆକାରର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଲାଇନର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ, ଅପଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ଏବଂ ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ technical ଷୟିକ ବିନିମୟ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ସହଯୋଗକୁ ଦୃ strengthen କରେ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ପୁନରାବୃତ୍ତି କରିବାକୁ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ସହ ସହଯୋଗ କରେ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଶିଳ୍ପ ପ୍ରୟୋଗର ଗତିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ |
| 8inch N- ପ୍ରକାର SiC DSP ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ | | |||||
| ସଂଖ୍ୟା | ଆଇଟମ୍ | | ୟୁନିଟ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| 1. ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | |||||
| 1.1 | ପଲିଟାଇପ୍ | | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2। 1.2 | ପୃଷ୍ଠଭୂମି | ° | <11-20> 4 ± 0.5 | <11-20> 4 ± 0.5 | <11-20> 4 ± 0.5 |
| 2. ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟର | |||||
| 2.1 | ଡୋପାଣ୍ଟ | | -- | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | |
| 2.2 | ପ୍ରତିରୋଧକତା | | ohm · cm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟର | |||||
| 3.1 | ବ୍ୟାସ | mm | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 |
| 3.2 | ମୋଟା | | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | ଖଣ୍ଡ ଆଭିମୁଖ୍ୟ | | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | ଖଣ୍ଡ ଗଭୀରତା | | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5। 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | ଧନୁ | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | ଯୁଦ୍ଧ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ଗଠନ | |||||
| 4.1 | ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ଧାତୁ ବିଷୟବସ୍ତୁ | | ପରମାଣୁ / cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea / cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea / cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ସକରାତ୍ମକ ଗୁଣ | |||||
| 5.1 | ଆଗ | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତ | -- | ସି-ମୁହଁ CMP | ସି-ମୁହଁ CMP | ସି-ମୁହଁ CMP |
| 5.3 | କଣିକା | ea / wafer | ≤100 (ଆକାର ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea / wafer | ≤5, ମୋଟ ଲମ୍ବ ≤200 ମିମି | | NA | NA |
| 5.5 | ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫାଟ / ଦାଗ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA |
| 5.6 | ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କ୍ଷେତ୍ର ≤10% | | କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| 5.7 | ଆଗ ମାର୍କିଂ | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | |
| 6. ପଛ ଗୁଣ | |||||
| 6.1 | ପଛକୁ ଶେଷ | -- | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | | ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ | |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | ପଛ ଦୋଷ ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ | | -- | କିଛି ନୁହେଁ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA |
| 6.4 | ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | ପଛ ମାର୍କିଂ | | -- | ଖଣ୍ଡ | ଖଣ୍ଡ | ଖଣ୍ଡ |
| 7. ଧାର | |||||
| 7.1 | ଧାର | -- | ଚାମ୍ଫର୍ | | ଚାମ୍ଫର୍ | | ଚାମ୍ଫର୍ | |
| 8. ପ୍ୟାକେଜ୍ | |||||
| 8.1 | ପ୍ୟାକେଜିଂ | -- | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ପ୍ୟାକେଜିଂ |
| 8.2 | ପ୍ୟାକେଜିଂ | -- | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ | କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଏପ୍ରିଲ -18-2023 |