କ୍ୟାରିଅର୍-ପ୍ଲେନ DSP TTV ପାଇଁ 156 ମିମି 159 ମିମି 6 ଇଞ୍ଚ ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ |
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
ଆଇଟମ୍ | | 6-ଇଞ୍ଚ୍ ସି-ପ୍ଲେନ୍ (0001) ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ସ | | |
ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ | | 99,999%, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ Al2O3 | | |
ଗ୍ରେଡ୍ | ପ୍ରାଇମ୍, ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | | |
ସର୍ଫେସ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | ସି-ବିମାନ (0001) | |
ସି-ପ୍ଲେନ୍ ଅଫ୍ ଆଙ୍ଗଲ୍ M-axis 0.2 +/- 0.1 ° ଆଡକୁ | | ||
ବ୍ୟାସ | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
ମୋଟା | | 650 μm +/- 25 μm | | |
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | ସି-ପ୍ଲେନ୍ (00-01) +/- 0.2 ° | | |
ଏକକ ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସ୍ | | ସାମ୍ନା ପୃଷ୍ଠ | | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
(SSP) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ଉତ୍ତମ ଭୂମି, Ra = 0.8 μm ରୁ 1.2 μm | |
ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ | | ସାମ୍ନା ପୃଷ୍ଠ | | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
(DSP) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ଏପି-ପଲିସ୍, ରା <0.2 nm (AFM ଦ୍) ାରା) |
TTV | <20 μm | |
ଧନୁ | <20 μm | |
WARP | <20 μm | |
ସଫା / ପ୍ୟାକେଜିଂ | କ୍ଲାସ୍ 100 କ୍ଲିନରୁମ୍ ସଫା କରିବା ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ, | |
ଗୋଟିଏ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ କିମ୍ବା ଏକକ ଖଣ୍ଡ ପ୍ୟାକେଜିଂରେ 25 ଖଣ୍ଡ | |
କାଇଲୋପୁଲୋସ୍ ପଦ୍ଧତି (KY ପଦ୍ଧତି) ବର୍ତ୍ତମାନ ଚାଇନାର ଅନେକ କମ୍ପାନୀ ଦ୍ୱାରା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ନୀଳମଣି ସ୍ଫଟିକ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି |
ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ 2100 ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଥାନରେ ତରଳିଯାଏ | ସାଧାରଣତ the କ୍ରୁସିବଲ୍ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ କିମ୍ବା ମଲାଇବେଡେନମ୍ରେ ତିଆରି | ଏକ ସଠିକ୍ ଭିତ୍ତିକ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ତରଳ ଆଲୁମିନାରେ ବୁଡିଯାଏ | ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ ଧୀରେ ଧୀରେ ଉପରକୁ ଟାଣି ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ଏକ ସମୟରେ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ହୋଇପାରେ | ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି, ଟାଣିବା ହାର ଏବଂ ଥଣ୍ଡା ହାର, ତରଳିବା ଠାରୁ ଏକ ବୃହତ, ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ୍, ପ୍ରାୟ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ନୀଳକଣ୍ଠ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ବ grown ଼ିବା ପରେ, ସେଗୁଡିକ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ ରଡରେ ଖୋଳାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ପରେ ଇଚ୍ଛିତ ୱିଣ୍ଡୋ ଘନତାକୁ କାଟି ଶେଷରେ ଇଚ୍ଛା ପୃଷ୍ଠରେ ପଲିସ୍ କରାଯାଏ |