କ୍ୟାରିଅର ସି-ପ୍ଲେନ୍ ଡିଏସ୍ପି ଟିଟିଭି ପାଇଁ ୧୫୬ମିମି ୧୫୯ମିମି ୬ ଇଞ୍ଚ ନୀଳମଣି ୱେଫର
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ଆଇଟମ୍ | ୬-ଇଞ୍ଚ ସି-ପ୍ଲେନ୍ (୦୦୦୧) ନୀଳମଣି ୱେଫର୍ସ | |
| ସ୍ଫଟିକ ସାମଗ୍ରୀ | ୯୯,୯୯୯%, ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା, ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ Al2O3 | |
| ଗ୍ରେଡ୍ | ପ୍ରାଇମ୍, ଏପି-ରେଡି | |
| ପୃଷ୍ଠ ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶ | ସି-ପ୍ଲେନ୍(୦୦୦୧) | |
| M-ଅକ୍ଷ ଆଡ଼କୁ C-ପ୍ଲେନ୍ ଅଫ୍-କୋଣ 0.2 +/- 0.1° | ||
| ବ୍ୟାସ | ୧୦୦.୦ ମିମି +/- ୦.୧ ମିମି | |
| ଘନତା | ୬୫୦ μm +/- ୨୫ μm | |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | ସି-ପ୍ଲେନ୍ (୦୦-୦୧) +/- ୦.୨° | |
| ସିଙ୍ଗଲ ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | ସମ୍ମୁଖ ପୃଷ୍ଠ | ଏପି-ପଲିସ୍ଡ, Ra < 0.2 nm (AFM ଦ୍ୱାରା) |
| (ଏସ୍ଏସ୍ପି) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ସୂକ୍ଷ୍ମ ଭୂମି, Ra = 0.8 μm ରୁ 1.2 μm |
| ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି | ସମ୍ମୁଖ ପୃଷ୍ଠ | ଏପି-ପଲିସ୍ଡ, Ra < 0.2 nm (AFM ଦ୍ୱାରା) |
| (ଡିଏସ୍ପି) | ପଛ ପୃଷ୍ଠ | ଏପି-ପଲିସ୍ଡ, Ra < 0.2 nm (AFM ଦ୍ୱାରା) |
| ଟିଟିଭି | < 20 μମି | |
| ନତମସ୍ତକ | < 20 μମି | |
| ୱାର୍ପ୍ | < 20 μମି | |
| ସଫା କରିବା / ପ୍ୟାକେଜିଂ | ୧୦୦ ଶ୍ରେଣୀର କ୍ଲିନରୁମ୍ ସଫା କରିବା ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ, | |
| ଗୋଟିଏ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ କିମ୍ବା ସିଙ୍ଗଲ୍ ପିସ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂରେ 25 ଖଣ୍ଡ। | ||
ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ନୀଳମଣି ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ ବର୍ତ୍ତମାନ ଚୀନର ଅନେକ କମ୍ପାନୀ ଦ୍ୱାରା କାଇଲୋପୋଲୋସ୍ ପଦ୍ଧତି (KY ପଦ୍ଧତି) ବ୍ୟବହାର କରାଯାଉଛି।
ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ 2100 ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକ କ୍ରୁସିବଲରେ ତରଳିଯାଏ। ସାଧାରଣତଃ କ୍ରୁସିବଲଟି ଟଙ୍ଗଷ୍ଟନ୍ କିମ୍ବା ମୋଲିବଡେନମ୍ ରେ ତିଆରି ହୋଇଥାଏ। ଏକ ସଠିକ୍ ଦିଗକୁ ନେଇ ଗଠିତ ବୀଜ ସ୍ଫଟିକକୁ ତରଳାଇ ଆଲୁମିନାରେ ବୁଡ଼ାଯାଇଥାଏ। ବୀଜ ସ୍ଫଟିକକୁ ଧୀରେ ଧୀରେ ଉପରକୁ ଟାଣି ନିଆଯାଏ ଏବଂ ଏକକାଳୀନ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରାଯାଇପାରେ। ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରାଡିଏଣ୍ଟ, ଟାଣିବା ହାର ଏବଂ ଶୀତଳୀକରଣ ହାରକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି, ତରଳିବାରୁ ଏକ ବଡ଼, ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ, ପ୍ରାୟ ନଳାକାର ଇଙ୍ଗଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରାଯାଇପାରିବ।
ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ନୀଳାକାର ଇଙ୍ଗଟ୍ ବଢ଼ିବା ପରେ, ସେଗୁଡ଼ିକୁ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରାଲ୍ ରଡ୍ରେ ଖୋଳାଯାଏ, ଯାହାକୁ ତା’ପରେ ଇଚ୍ଛିତ ଝରକା ଘନତାରେ କଟାଯାଏ ଏବଂ ଶେଷରେ ଇଚ୍ଛିତ ପୃଷ୍ଠ ଫିନିସ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପଲିସ୍ କରାଯାଏ।
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
