2 ଇଞ୍ଚ 50.8 ମିମି ନୀଳମଣି ୱାଫର୍ ସି-ପ୍ଲେନ ଏମ-ପ୍ଲେନ ଆର-ପ୍ଲେନ ଏ-ପ୍ଲେନ ମୋଟା 350um 430um 500um
ବିଭିନ୍ନ ଆଭିମୁଖ୍ୟର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |
| ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | C (0001) -Axis | R (1-102) -Axis | M (10-10) -Axis | A (11-20) -Axis | ||
| ଶାରୀରିକ ସମ୍ପତ୍ତି | | C ଅକ୍ଷରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଲୋକ ଅଛି ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଅକ୍ଷରେ ନକାରାତ୍ମକ ଆଲୋକ ଅଛି | ପ୍ଲେନ ସି ସମତଳ, ବିଶେଷତ cut କଟା | | R ଠାରୁ ବିମାନ R ଠାରୁ ଟିକେ କଠିନ | | M ବିମାନଟି ଷ୍ଟେପ୍ ହୋଇଛି, କାଟିବା ସହଜ ନୁହେଁ, କାଟିବା ସହଜ | | ଏ-ପ୍ଲେନର କଠିନତା ସି-ପ୍ଲେନ ତୁଳନାରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ, ଯାହା ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ, ସ୍କ୍ରାଚ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କଠିନତାରେ ଦେଖାଯାଏ; ସାଇଡ୍ ଏ-ପ୍ଲେନ ହେଉଛି ଏକ ଜିଗଜାଗ ବିମାନ, ଯାହା କାଟିବା ସହଜ ଅଟେ; | ||
| ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ | ସି-ଆଧାରିତ ନୀଳକଣ୍ଠ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ III-V ଏବଂ II-VI ଜମା ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଯେପରିକି ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ନୀଳ ଏଲଇଡି ଉତ୍ପାଦ, ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଡିଟେକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ | | ମାଇକ୍ରୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବ୍ୟବହୃତ ବିଭିନ୍ନ ଜମା ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ଏକ୍ସଟ୍ରାଷ୍ଟାଲ୍ ର ଆର-ଆଧାରିତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବୃଦ୍ଧି | | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ the ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଅଣ-ପୋଲାର / ସେମି-ପୋଲାର GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଇଁ ଏକ-ଆଧାରିତ ଏକ ସମାନ ଅନୁମତି / ମଧ୍ୟମ ଉତ୍ପାଦନ କରେ ଏବଂ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ ସ୍ତରର ଇନସୁଲେସନ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏ-ବେସ୍ ବିସ୍ତାରିତ ସ୍ଫଟିକରୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ କରାଯାଇପାରିବ | | ||
| ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ୍ଷମତା | | ପାଟର୍ନ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ (PSS): ଅଭିବୃଦ୍ଧି କିମ୍ବା ଏଚିଂ ଆକାରରେ, ନାନୋସ୍କାଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନିୟମିତ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏଲଇଡିର ହାଲୁକା ଆଉଟପୁଟ୍ ଫର୍ମକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଏବଂ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ବ growing ୁଥିବା GaN ମଧ୍ୟରେ ଭିନ୍ନ ଭିନ୍ନ ତ୍ରୁଟି ହ୍ରାସ କରିବା | , ଏପିଟାକ୍ସି ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣ, ଏବଂ ଏଲଇଡିର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ହାଲୁକା ଉତ୍ତୋଳନର ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କର | ଏଥିସହ ନୀଳକଣ୍ଠ ପ୍ରିଜିମ୍, ଦର୍ପଣ, ଲେନ୍ସ, ଛିଦ୍ର, କୋଣ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଗଠନମୂଳକ ଅଂଶ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ | | |||||
| ସମ୍ପତ୍ତି ଘୋଷଣା | ଘନତା | କଠିନତା | | ତରଳିବା ବିନ୍ଦୁ | | ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ (ଦୃଶ୍ୟମାନ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାଡ୍) | ଟ୍ରାନ୍ସମିଟାନ୍ସ (DSP) | ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିର | |
| 3.98g / cm3 | 9 (ମୋହସ୍) | 2053 ℃ | 1.762 ~ 1.770 | ≥85% | C ଅକ୍ଷରେ 11.58@300K (ଏକ ଅକ୍ଷରେ 9.4）) | |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
