୨ ଇଞ୍ଚ ୫୦.୮ମିମି ନୀଳମଣି ୱେଫର ସି-ପ୍ଲେନ୍ ଏମ୍-ପ୍ଲେନ୍ ଆର-ପ୍ଲେନ୍ ଏ-ପ୍ଲେନ୍ ଘନତା ୩୫୦ମ ୪୩୦ମ ୫୦୦ମ
ବିଭିନ୍ନ ଦିଗର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
| ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶନ | C(0001)-ଅକ୍ଷ | R(1-102)-ଅକ୍ଷ | M(10-10) -ଅକ୍ଷ | A(11-20)-ଅକ୍ଷ | ||
| ଭୌତିକ ସମ୍ପତ୍ତି | C ଅକ୍ଷରେ ସ୍ଫଟିକ ଆଲୋକ ଅଛି, ଏବଂ ଅନ୍ୟ ଅକ୍ଷଗୁଡ଼ିକରେ ଋଣାତ୍ମକ ଆଲୋକ ଅଛି। ସମତଳ C ସମତଳ, କଟା ପସନ୍ଦ କରାଯାଏ। | A ଅପେକ୍ଷା R-ପ୍ଲେନ୍ ଟିକିଏ କଠିନ। | M ପ୍ଲେନଟି ଷ୍ଟେପ୍ ସେରେଟେଡ୍, କାଟିବା ସହଜ ନୁହେଁ, କାଟିବା ସହଜ। | A-ପ୍ଲେନର କଠିନତା C-ପ୍ଲେନ ଅପେକ୍ଷା ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ, ଯାହା ପରିଧାନ ପ୍ରତିରୋଧ, ସ୍କ୍ରାଚ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କଠିନତାରେ ପ୍ରକାଶିତ ହୁଏ; ପାର୍ଶ୍ୱ A-ପ୍ଲେନ ଏକ ଜିଗ୍ଜାଗ୍ ବିମାନ, ଯାହାକୁ କାଟିବା ସହଜ; | ||
| ଆପ୍ଲିକେସନ୍ଗୁଡ଼ିକ | C-ଅରିଏଣ୍ଟେଡ୍ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ III-V ଏବଂ II-VI ଜମା ହୋଇଥିବା ଫିଲ୍ମଗୁଡ଼ିକ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, ଯାହା ନୀଳ LED ଉତ୍ପାଦ, ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାରେଡ୍ ଡିଟେକ୍ଟର୍ ପ୍ରୟୋଗ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ। | ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟରେ ବ୍ୟବହୃତ ବିଭିନ୍ନ ଜମା ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ଏକ୍ସଟ୍ରାସିଷ୍ଟଲର R-ଆଧାରିତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବୃଦ୍ଧି। | ଏହାକୁ ମୁଖ୍ୟତଃ ଅଣ-ପୋଲାର୍ / ଅର୍ଦ୍ଧ-ପୋଲାର୍ GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଫିଲ୍ମ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ଆଲୋକ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ। | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରତି A-ଆଧାରିତ ଏକ ସମାନ ଅନୁମତି/ମଧ୍ୟମ ଉତ୍ପାଦନ କରେ, ଏବଂ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ଉଚ୍ଚ ପରିମାଣର ଇନସୁଲେସନ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। A-ଆଧାର ଦୀର୍ଘ ସ୍ଫଟିକରୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ କରାଯାଇପାରିବ। | ||
| ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ୍ଷମତା | ପ୍ୟାଟର୍ନ ନୀଳମାଧବ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ (PSS): ଅଭିବୃଦ୍ଧି କିମ୍ବା ଏଚ୍ଚିଂ ଆକାରରେ, ନୀଳମାଧବ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ନାନୋସ୍କେଲ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନିୟମିତ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରକ୍ଚର ପ୍ୟାଟର୍ନ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ତିଆରି କରାଯାଇଛି ଯାହା ଦ୍ୱାରା LEDର ଆଲୋକ ଆଉଟପୁଟ୍ ଫର୍ମକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ, ଏବଂ ନୀଳମାଧବ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ବଢ଼ୁଥିବା GaN ମଧ୍ୟରେ ବିଭେଦକ ତ୍ରୁଟି ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ, ଏପିଟାକ୍ସି ଗୁଣବତ୍ତା ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ, ଏବଂ LEDର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ଆଲୋକ ନିଷ୍କାସନର ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇପାରିବ। ଏହା ସହିତ, ନୀଳମଣି ପ୍ରିଜିମ୍, ଦର୍ପଣ, ଲେନ୍ସ, ଗାତ, କୋନ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଗଠନମୂଳକ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକୁ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁସାରେ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରାଯାଇପାରିବ। | |||||
| ସମ୍ପତ୍ତି ଘୋଷଣା | ଘନତ୍ୱ | କଠିନତା | ତରଳିବା ବିନ୍ଦୁ | ପ୍ରତିସରଣ ସୂଚକାଙ୍କ (ଦୃଶ୍ୟମାନ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାରେଡ୍) | ଟ୍ରାନ୍ସମିଟାନ୍ସ (DSP) | ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିରାଙ୍କ |
| ୩.୯୮ ଗ୍ରାମ/ସେମି୩ | ୯(ମାସ) | ୨୦୫୩ ℃ | ୧.୭୬୨~୧.୭୭୦ | ≥୮୫% | C ଅକ୍ଷରେ 11.58@300K (A ଅକ୍ଷରେ 9.4) | |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
