3 ଇଞ୍ଚ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ Dia76.2mm 4H-N
3 ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ମସଫେଟ୍ ୱେଫରର ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ନିମ୍ନଲିଖିତ;
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଭାଙ୍ଗିବା ବୈଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ। ଏହି ଗୁଣଗୁଡ଼ିକ SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କରିଥାଏ। ବିଶେଷକରି 4H-SiC ପଲିଟାଇପ୍ରେ, ଏହାର ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଏହାକୁ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ପସନ୍ଦର ସାମଗ୍ରୀ କରିଥାଏ।
3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫର ହେଉଛି N-ପ୍ରକାର ପରିବାହିତା ସହିତ ଏକ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍-ଡୋପ୍ଡ୍ ୱେଫର। ଏହି ଡୋପିଂ ପଦ୍ଧତି ୱେଫରକୁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଡିଭାଇସର ପରିବାହୀ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ପାଏ। 3 ଇଞ୍ଚ (76.2 ମିମି ବ୍ୟାସ) ବିଶିଷ୍ଟ ୱେଫରର ଆକାର ହେଉଛି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଶିଳ୍ପରେ ଏକ ସାଧାରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପରିମାପ, ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫର ଭୌତିକ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ (PVT) ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ। ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ SiC ପାଉଡରକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକରେ ରୂପାନ୍ତରିତ କରାଯାଏ, ଯାହା ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ୱେଫରର ସମାନତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ। ଏହା ସହିତ, ୱେଫରର ଘନତା ସାଧାରଣତଃ ପ୍ରାୟ 0.35 ମିମି ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ଏହାର ପୃଷ୍ଠକୁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ସ୍ତରର ସମତଳତା ଏବଂ ସ୍ମୁଥ୍ତା ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଡବଲ-ସାଇଡ୍ ପଲିସିଂ କରାଯାଏ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫରର ପ୍ରୟୋଗ ପରିସର ବ୍ୟାପକ, ଯେଉଁଥିରେ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ସେନ୍ସର୍, RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏହି ଡିଭାଇସ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଚରମ ପରିସ୍ଥିତିରେ ସ୍ଥିର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଶିଳ୍ପରେ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିଥାଏ।
ଆମେ 4H-N 3 ଇଞ୍ଚ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରେଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଷ୍ଟକ୍ ୱେଫର୍ ଯୋଗାଇ ପାରିବୁ। ଆମେ ଆପଣଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁସାରେ କଷ୍ଟୋମାଇଜେସନ୍ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବସ୍ଥା କରିପାରିବା। ସ୍ୱାଗତ ପଚାର!
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
