3inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ Dia76.2mm 4H-N |

Inch ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ମସଫେଟ୍ ୱାଫର୍ ର ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ;

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ | ଏହି ଗୁଣଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରୟୋଗରେ ସିସି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ କରିଥାଏ | ବିଶେଷକରି 4H-SiC ପଲିଟାଇପ୍ ରେ ଏହାର ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଯାହା ଏହାକୁ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପସନ୍ଦ ସାମଗ୍ରୀ କରିଥାଏ |

3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫର୍ ହେଉଛି N- ପ୍ରକାରର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ ଏକ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍-ଡୋପ୍ ୱେଫର୍ | ଏହି ଡୋପିଂ ପଦ୍ଧତି ୱେଫରକୁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏକାଗ୍ରତା ଦେଇଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଡିଭାଇସର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବ ancing ିଥାଏ | ୱେଫରର ଆକାର, 3 ଇଞ୍ଚ (ବ୍ୟାସ 76.2 ମିଲିମିଟର), ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ପରିମାଣ, ବିଭିନ୍ନ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |

3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫର୍ ଫିଜିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ (PVT) ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସିସି ପାଉଡରକୁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକରେ ପରିଣତ କରିବା, ୱାଫରର ସ୍ଫଟିକ ଗୁଣ ଏବଂ ସମାନତା ସୁନିଶ୍ଚିତ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ୱେଫର୍ ର ଘନତା ସାଧାରଣତ 0.35 0.35 ମିଲିମିଟର ଅଟେ, ଏବଂ ଏହାର ପୃଷ୍ଠଟି ଏକ ଉଚ୍ଚ ସ୍ତରର ସମତଳତା ଏବଂ ଚିକ୍କଣତା ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଦୁଇ-ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସିଂର ଶିକାର ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |

3-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ 4H-N ୱେଫର୍ ର ପ୍ରୟୋଗ ପରିସର ବ୍ୟାପକ ଅଟେ, ଏଥିରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସେନ୍ସର, ଆରଏଫ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ | ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ଚରମ ଅବସ୍ଥାରେ ସ୍ଥିର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରେ, ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରେ |

ଆମେ 4H-N 3inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରେଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଷ୍ଟକ୍ ୱାଫର୍ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବା | ଆମେ ମଧ୍ୟ ଆପଣଙ୍କର ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା କରିପାରିବା | ସ୍ Welcome ାଗତ ଅନୁସନ୍ଧାନ!