4H-N 8 ଇଞ୍ଚ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡମି ରିସର୍ଚ୍ଚ ଗ୍ରେଡ୍ 500um ମୋଟା |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ୱାଫର୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବାଛିବାବେଳେ, ଅନେକ କାରଣ ବିଷୟରେ ବିଚାର କରିବାକୁ ପଡିବ | ଏଠାରେ କିଛି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ମାନଦଣ୍ଡ ଅଛି:

ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରକାର: 4C-SiC କିମ୍ବା 6H-SiC ପରି ଆପଣଙ୍କର ଅନୁପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ SiC ପଦାର୍ଥର ପ୍ରକାର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରନ୍ତୁ | ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ହେଉଛି 4H-SiC |

ଡୋପିଂ ପ୍ରକାର: ଆପଣ ଏକ ଡୋପେଡ୍ କିମ୍ବା ଅନାବୃତ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି କି ନାହିଁ ସ୍ଥିର କରନ୍ତୁ | ସାଧାରଣ ଡୋପିଂ ପ୍ରକାରଗୁଡିକ ହେଉଛି ଆପଣଙ୍କର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି N- ପ୍ରକାର (n-doped) କିମ୍ବା P-type (p-doped) |

ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ: SiC ୱାଫର୍ କିମ୍ବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣର ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କର | ଇଚ୍ଛିତ ଗୁଣବତ୍ତା ପାରାମିଟର ଦ୍ determined ାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ ଯେପରିକି ତ୍ରୁଟି ସଂଖ୍ୟା, ସ୍ଫଟିକ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ରୁଗ୍ଣତା |

ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ: ଆପଣଙ୍କର ଅନୁପ୍ରୟୋଗ ଉପରେ ଆଧାର କରି ଉପଯୁକ୍ତ ୱେଫର୍ ଆକାର ବାଛନ୍ତୁ | ସାଧାରଣ ଆକାରରେ 2 ଇଞ୍ଚ, 3 ଇଞ୍ଚ, 4 ଇଞ୍ଚ, ଏବଂ 6 ଇଞ୍ଚ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ବ୍ୟାସ ଯେତେ ବଡ, ତୁମେ ପ୍ରତି ୱାଫର୍ରେ ଅଧିକ ଅମଳ ପାଇପାରିବ |

ଘନତା: SiC ୱାଫର୍ କିମ୍ବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଇଚ୍ଛିତ ଘନତାକୁ ବିଚାର କରନ୍ତୁ | ସାଧାରଣ ଘନତା ବିକଳ୍ପଗୁଡିକ କିଛି ମାଇକ୍ରୋମିଟରରୁ ଅନେକ ଶହ ମାଇକ୍ରୋମିଟର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ |

ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍: କ୍ରିଷ୍ଟାଲୋଗ୍ରାଫିକ୍ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରନ୍ତୁ ଯାହା ଆପଣଙ୍କର ଅନୁପ୍ରୟୋଗର ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସମାନ ଅଟେ | ସାଧାରଣ ଆଭିମୁଖ୍ୟରେ 4H-SiC ପାଇଁ (0001) ଏବଂ (0001) କିମ୍ବା 6H-SiC ପାଇଁ (0001̅) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

ସର୍ଫେସ୍ ଫିନିଶ୍: SiC ୱାଫର୍ କିମ୍ବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତିକୁ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କର | ଭୂପୃଷ୍ଠ ଚିକ୍କଣ, ପଲିସ୍ ଏବଂ ସ୍କ୍ରାଚ୍ କିମ୍ବା ଦୂଷିତରୁ ମୁକ୍ତ ହେବା ଉଚିତ୍ |

ଯୋଗାଣକାରୀ ପ୍ରତିଷ୍ଠା: ଉଚ୍ଚମାନର SiC ୱାଫର୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟାପକ ଅଭିଜ୍ଞତା ସହିତ ଏକ ପ୍ରତିଷ୍ଠିତ ଯୋଗାଣକାରୀ ବାଛନ୍ତୁ | ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷମତା, ଗୁଣବତ୍ତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଏବଂ ଗ୍ରାହକ ସମୀକ୍ଷା ପରି କାରକଗୁଡିକୁ ବିଚାର କରନ୍ତୁ |

ମୂଲ୍ୟ: ୱାଫର୍ କିମ୍ବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରତି ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ଯେକ additional ଣସି ଅତିରିକ୍ତ କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ଖର୍ଚ୍ଚ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି ମୂଲ୍ୟର ପ୍ରଭାବ ବିଷୟରେ ବିଚାର କରନ୍ତୁ |

ଏହି କାରଣଗୁଡିକର ଯତ୍ନର ସହ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରିବା ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ବିଶେଷଜ୍ଞ କିମ୍ବା ଯୋଗାଣକାରୀଙ୍କ ସହିତ ପରାମର୍ଶ କରିବା ଜରୁରୀ ଅଟେ ଯେ ମନୋନୀତ SiC ୱାଫର୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ଆପଣଙ୍କର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ |