3ଇଞ୍ଚ Dia76.2mm SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ HPSI ପ୍ରାଇମ୍ ରିସର୍ଚ୍ଚ ଏବଂ ଡମି ଗ୍ରେଡ୍
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଦୁଇଟି ବର୍ଗରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ।
ପରିବାହୀ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍: 15~30mΩ-ସେମି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ପ୍ରତିରୋଧକତାକୁ ବୁଝାଏ। ପରିବାହୀ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍କୁ ଆହୁରି ଶକ୍ତି ଉପକରଣରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇପାରିବ, ଯାହା ନୂତନ ଶକ୍ତି ଯାନ, ଫଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ସ, ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍ ଏବଂ ରେଳ ପରିବହନରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ 100000Ω-ସେମି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଠାରୁ ଅଧିକ ପ୍ରତିରୋଧକତାକୁ ବୁଝାଏ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତଃ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏହା ବେତାର ଯୋଗାଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରର ଆଧାର।
ଏହା ତାରହୀନ ଯୋଗାଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏକ ମୌଳିକ ଉପାଦାନ।
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପରିବାହୀ ଏବଂ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଶକ୍ତି ଉପକରଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେଉଁଥିରେ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କିନ୍ତୁ ସୀମିତ ନୁହେଁ:
ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉପକରଣ (ପରିବାହୀ): ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ଭାଙ୍ଗିବା କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି ଏବଂ ତାପଜ ପରିବାହୀତା ଥାଏ, ଏବଂ ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଶକ୍ତି ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
RF ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ (ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧିତ): ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ ସୁଇଚିଂ ଗତି ଏବଂ ଶକ୍ତି ସହନଶୀଳତା ଥାଏ, ଯାହା RF ପାୱାର ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସ୍ୱିଚ୍ ଭଳି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ (ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧିତ): ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ଏକ ବିସ୍ତୃତ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବଧାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଥାଏ, ଯାହା ଫଟୋଡାୟୋଡ୍, ସୌର କୋଷ ଏବଂ ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
ତାପମାତ୍ରା ସେନ୍ସର (ପରିବାହୀ): ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଥାଏ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ତାପଜ ସେନ୍ସର ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ମାପ ଯନ୍ତ୍ର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପରିବାହୀ ଏବଂ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁଷଙ୍ଗ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗର ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ସମ୍ଭାବନା ରହିଛି, ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଶକ୍ତି ଉପକରଣର ବିକାଶ ପାଇଁ ନୂତନ ସମ୍ଭାବନା ପ୍ରଦାନ କରେ।
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
