6 ଇଞ୍ଚ GaN-ଅନ୍-ନୀଲମ
ସିଲିକନ୍/ନୀଳକ/SiC ଉପରେ ୧୫୦ମିମି ୬ଇଞ୍ଚ GaN ଏପି-ସ୍ତର ୱାଫର ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର
6-ଇଞ୍ଚ ନୀଳାଫିର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ନୀଳାଫିର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଚାଷ କରାଯାଇଥିବା ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ର ସ୍ତରକୁ ନେଇ ଗଠିତ। ଏହି ସାମଗ୍ରୀରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପରିବହନ ଗୁଣ ରହିଛି ଏବଂ ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ।
ଉତ୍ପାଦନ ପଦ୍ଧତି: ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଧାତୁ-ଜୈବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (MOCVD) କିମ୍ବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ଭଳି ଉନ୍ନତ କୌଶଳ ବ୍ୟବହାର କରି ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ GaN ସ୍ତର ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଥାଏ। ଉଚ୍ଚ ସ୍ଫଟିକ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ସମାନ ଫିଲ୍ମ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଏହି ଜମା ପ୍ରକ୍ରିୟା କରାଯାଏ।
6 ଇଞ୍ଚ GaN-ଅନ୍-ନୀଲମ ପ୍ରୟୋଗ: 6 ଇଞ୍ଚ ନୀଳାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଚିପ୍ସ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ, ରାଡାର ସିଷ୍ଟମ, ତାରହୀନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
କିଛି ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ
୧. ଆରଏଫ ପାୱାର ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର
୨. LED ଆଲୋକ ଶିଳ୍ପ
୩. ତାରହୀନ ନେଟୱାର୍କ ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣ
୪. ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ
୫. ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍
ଉତ୍ପାଦର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ
- ଆକାର: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବ୍ୟାସ 6 ଇଞ୍ଚ (ପ୍ରାୟ 150 ମିମି)।
- ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା: ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଦର୍ପଣ ଗୁଣବତ୍ତା ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ପୃଷ୍ଠକୁ ସୂକ୍ଷ୍ମ ଭାବରେ ପଲିସ୍ କରାଯାଇଛି।
- ଘନତା: GaN ସ୍ତରର ଘନତା ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁସାରେ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରାଯାଇପାରିବ।
- ପ୍ୟାକେଜିଂ: ପରିବହନ ସମୟରେ କ୍ଷତିକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍କୁ ଆଣ୍ଟି-ଷ୍ଟାଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ସାବଧାନତାର ସହ ପ୍ୟାକ୍ କରାଯାଇଛି।
- ଧାରଗୁଡ଼ିକୁ ସ୍ଥାନିତ କରିବା: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥାନିତ କରିବା ଧାର ଥାଏ ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ସମୟରେ ସଂରଚନା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସହଜ କରିଥାଏ।
- ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟର: ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁସାରେ ପତଳାତା, ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ଡୋପିଂ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଭଳି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ସଜାଡ଼ି ଦିଆଯାଇପାରିବ।
ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ ଗୁଣ ଏବଂ ବିବିଧ ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, 6-ଇଞ୍ଚ ନୀଳାଫିର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ବିଭିନ୍ନ ଶିଳ୍ପରେ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ପସନ୍ଦ।
| ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | ୬” ୧ମିମି <୧୧୧> ପି-ଟାଇପ୍ ସି | ୬” ୧ମିମି <୧୧୧> ପି-ଟାଇପ୍ ସି |
| ଏପି ଘନହାରାହାରି | ~୫ ମିନିଟ୍ | ~୭ମ |
| ଏପି ଥିକ୍ୟୁନିଫ୍ | <2% | <2% |
| ଧନୁ | +/-୪୫ ଟଙ୍କା | +/-୪୫ ଟଙ୍କା |
| ଫାଟିବା | <5 ମିମି | <5 ମିମି |
| ଭୂଲମ୍ବ BV | >୧୦୦୦ଭି | >୧୪୦୦ଭି |
| HEMT ଆଲ% | ୨୫-୩୫% | ୨୫-୩୫% |
| HEMT ମୋଟାହାରି | ୨୦-୩୦ନମି | ୨୦-୩୦ନମି |
| ଇନସିଟୁ ସିଏନ କ୍ୟାପ | ୫-୬୦ନମି | ୫-୬୦ନମି |
| 2ଡିଗ୍ରୀ ସଂଖ୍ୟକ | ~୧୦13cm-2 | ~୧୦13cm-2 |
| ଗତିଶୀଳତା | ~୨୦୦୦ସେମି2/ବିପକ୍ଷରେ (<2%) | ~୨୦୦୦ସେମି2/ବିପକ୍ଷରେ (<2%) |
| ଟଙ୍କା | <330ଓମ/ବର୍ଗ (<2%) | <330ଓମ/ବର୍ଗ (<2%) |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
