8ଇଞ୍ଚ 200mm 4H-N SiC ୱେଫର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡମି ରିସର୍ଚ୍ଚ ଗ୍ରେଡ୍

ଏହାର ଅନନ୍ୟ ଭୌତିକ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ, 200mm SiC ୱେଫର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମତା, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ, ବିକିରଣ-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ହେବା ଏବଂ ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବା ସହିତ 8 ଇଞ୍ଚ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମୂଲ୍ୟ ଧୀରେ ଧୀରେ ହ୍ରାସ ପାଉଛି। ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକାଶ 200mm SiC ୱେଫରର ଉତ୍ପାଦନ ସ୍କେଲ୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ନେଇଯାଏ। Si ଏବଂ GaAs ୱେଫର ତୁଳନାରେ SiC ୱେଫର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା: ହିମସ୍ଖଳନ ଭାଙ୍ଗିବା ସମୟରେ 4H-SiC ର ବୈଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି Si ଏବଂ GaAs ପାଇଁ ଅନୁରୂପ ମୂଲ୍ୟ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମରୁ ଅଧିକ। ଏହା ଅନ-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧିତା Ron ରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହ୍ରାସ ଘଟାଇଥାଏ। ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ ଘନତ୍ୱ ଏବଂ ତାପଜ ପରିବାହିତା ସହିତ ମିଳିତ ଭାବରେ କମ୍ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧିତା, ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ବହୁତ ଛୋଟ ଡାଇ ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ। SiC ର ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଚିପ୍ ର ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରେ। SiC ୱେଫର ଉପରେ ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସ୍ ଗୁଡିକର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗୁଣ ସମୟ ସହିତ ବହୁତ ସ୍ଥିର ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ଥିର, ଯାହା ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କଠିନ ବିକିରଣ ପ୍ରତି ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧୀ, ଯାହା ଚିପ୍‌ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକୁ ହ୍ରାସ କରେ ନାହିଁ। ସ୍ଫଟିକର ଉଚ୍ଚ ସୀମିତ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା (6000C ରୁ ଅଧିକ) ଆପଣଙ୍କୁ କଠୋର କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ପରିସ୍ଥିତି ଏବଂ ବିଶେଷ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଉପକରଣ ତିଆରି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ। ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆମେ ସ୍ଥିର ଏବଂ ନିରନ୍ତର ଭାବରେ ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ 200mmSiC ୱେଫର୍ ଯୋଗାଣ କରିପାରିବା ଏବଂ ଗୋଦାମରେ କିଛି ଷ୍ଟକ୍ ଅଛି।