8 ଇଞ୍ଚ 200mm 4H-N SiC ୱାଫର୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡମି ଗବେଷଣା ଗ୍ରେଡ୍ |

8 ଇଞ୍ଚ 200mm 4H-N SiC ୱାଫର୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଡମି ରିସର୍ଚ୍ଚ ଗ୍ରେଡ୍ ବ Feat ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଚିତ୍ର |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ପରିବହନ, ଶକ୍ତି ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ବଜାର ବିକଶିତ ହେବା ସହିତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ, ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସର ଚାହିଦା ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି | ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ, ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାତାମାନେ ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀକୁ ଚାହିଁଥାନ୍ତି, ଯେପରିକି ଆମର 4H SiC ପ୍ରାଇମ ଗ୍ରେଡ୍ ପୋର୍ଟଫୋଲିଓ 4H n- ପ୍ରକାର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ୱାଫର୍ |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଏହାର ଅନନ୍ୟ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ, 200 ମିମି ସିସି ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ବିକିରଣ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ହେବା ସହ ଚାହିଦା ବ as ଼ିବା ସହିତ 8inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମୂଲ୍ୟ ଧୀରେ ଧୀରେ ହ୍ରାସ ପାଉଛି | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକାଶ 200 ମିମି ସିସି ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ସ୍କେଲ୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ନେଇଥାଏ | Si ଏବଂ GaAs ୱାଫର୍ ତୁଳନାରେ SiC ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା: ବାଘ ଭାଙ୍ଗିବା ସମୟରେ 4H-SiC ର ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଶକ୍ତି Si ଏବଂ GaA ପାଇଁ ଅନୁରୂପ ମୂଲ୍ୟଠାରୁ ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମାଙ୍କଠାରୁ ଅଧିକ | ଏହା ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ରୋନ୍ ରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହ୍ରାସ ଘଟାଇଥାଏ | କମ୍ ଅନ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ୍ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇ, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ବହୁତ ଛୋଟ ଡାଏର ବ୍ୟବହାରକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ | SiC ର ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଚିପ୍ ର ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରେ | SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିର ଉପରେ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର, ଯାହା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ଉଚ୍ଚ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କଠିନ ବିକିରଣ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧୀ, ଯାହା ଚିପ୍ ର ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣକୁ ଖରାପ କରେ ନାହିଁ | ସ୍ଫଟିକର ଉଚ୍ଚ ସୀମିତ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା (6000C ରୁ ଅଧିକ) ଆପଣଙ୍କୁ କଠିନ ଅପରେଟିଂ ଅବସ୍ଥା ଏବଂ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଉପକରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ | ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆମେ ସ୍ଥିର ଏବଂ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ 200mmSiC ୱାଫର୍ ଯୋଗାଇ ପାରିବା ଏବଂ ଗୋଦାମରେ କିଛି ଷ୍ଟକ୍ ରଖିପାରିବା |

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ

ସଂଖ୍ୟା	ଆଇଟମ୍ \|	ୟୁନିଟ୍	ଉତ୍ପାଦନ	ଅନୁସନ୍ଧାନ \|	ଡମି
ପାରାମିଟରଗୁଡିକ
1.1	ପଲିଟାଇପ୍ \|	--	4H	4H	4H
1.2। 1.2	ପୃଷ୍ଠଭୂମି	°	<11-20> 4 ± 0.5	<11-20> 4 ± 0.5	<11-20> 4 ± 0.5
ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକାଲ୍ ପାରାମିଟର
2.1	ଡୋପାଣ୍ଟ \|	--	n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ \|	n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ \|	n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ \|
2.2	ପ୍ରତିରୋଧକତା \|	ohm · cm	0.015 ~ 0.025	0.01 ~ 0.03	NA
ମେକାନିକାଲ୍ ପାରାମିଟର
3.1	ବ୍ୟାସ	mm	200 ± 0.2	200 ± 0.2	200 ± 0.2
3.2	ମୋଟା \|	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	ଖଣ୍ଡ ଆଭିମୁଖ୍ୟ \|	°	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5
3.4	ଖଣ୍ଡ ଗଭୀରତା \|	mm	1 ~ 1.5	1 ~ 1.5	1 ~ 1.5
3.5। 3.5	LTV	μm	≤5 (10mm * 10mm)	≤5 (10mm * 10mm)	≤10 (10mm * 10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	ଧନୁ	μm	-25 ~ 25	-45 ~ 45	-65 ~ 65
3.8	ଯୁଦ୍ଧ	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4
4.1	ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା \|	ea / cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	ଧାତୁ ବିଷୟବସ୍ତୁ \|	ପରମାଣୁ / cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea / cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea / cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea / cm2	≤7000	≤10000	NA
5। ସକରାତ୍ମକ ଗୁଣ
5.1	ଆଗ	--	Si	Si	Si
5.2	ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତ	--	ସି-ମୁହଁ CMP	ସି-ମୁହଁ CMP	ସି-ମୁହଁ CMP
5.3	କଣିକା	ea / wafer	≤100 (ଆକାର ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	scratch	ea / wafer	≤5, ମୋଟ ଲମ୍ବ ≤200 ମିମି \|	NA	NA
5.5	ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫାଟ / ଦାଗ / ପ୍ରଦୂଷଣ \|	--	କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|	NA
5.6	ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ \|	--	କିଛି ନୁହେଁ \|	କ୍ଷେତ୍ର ≤10% \|	କ୍ଷେତ୍ର ≤30% \|
5.7	ଆଗ ମାର୍କିଂ	--	କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|
6। ପଛ ଗୁଣ
6.1	ପଛକୁ ଶେଷ	--	ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ \|	ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ \|	ସି-ମୁଖ ସାଂସଦ \|
6.2	scratch	mm	NA	NA	NA
6.3	ପଛ ଦୋଷ ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ \|	--	କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|	NA
6.4	ପଛ ରୁଗ୍ଣତା \|	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	ପଛ ମାର୍କିଂ \|	--	ଖଣ୍ଡ	ଖଣ୍ଡ	ଖଣ୍ଡ
7। ଧାର
7.1	ଧାର	--	ଚାମ୍ଫର୍ \|	ଚାମ୍ଫର୍ \|	ଚାମ୍ଫର୍ \|
ପ୍ୟାକେଜ୍
8.1	ପ୍ୟାକେଜିଂ	--	ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ \| ପ୍ୟାକେଜିଂ	ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ \| ପ୍ୟାକେଜିଂ	ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ \| ପ୍ୟାକେଜିଂ
8.2	ପ୍ୟାକେଜିଂ	--	ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ \| କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ \|	ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ \| କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ \|	ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ \| କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ \|