MEMS ପାଇଁ ନୀଳମଣି ୱେଫର୍ସରେ ଚାଷ କରାଯାଇଥିବା ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ
ନୀଳମଣି ୱେଫର୍ସରେ GaN ର ଗୁଣଧର୍ମ
●ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା:GaN-ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଅପେକ୍ଷା ପାଞ୍ଚ ଗୁଣ ଅଧିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା RF ଆମ୍ପ୍ଲିଫିକେସନ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସମେତ ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରେ।
● ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍:GaN ର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
●ସ୍ଥାୟୀତା:GaN ର ଚରମ ପରିସ୍ଥିତି (ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ବିକିରଣ) ପରିଚାଳନା କରିବାର କ୍ଷମତା କଠୋର ପରିବେଶରେ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।
●ଛୋଟ ଆକାର:GaN ପାରମ୍ପରିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ କମ୍ପାକ୍ଟ ଏବଂ ହାଲୁକା ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ଯାହା ଛୋଟ ଏବଂ ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସକୁ ସହଜ କରିଥାଏ।
ଆବଷ୍ଟ୍ରାକ୍ଟ
RF ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ହାଇ-ସ୍ପିଡ୍ କମ୍ୟୁନିକେସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ LED ଲାଇଟିଂ ଭଳି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ଉନ୍ନତ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ପସନ୍ଦର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଭାବରେ ଉଭା ହେଉଛି। ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଚାଷ ହେଲେ GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀ, ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଏବଂ ବିସ୍ତୃତ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ବେତାର ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣ, ରାଡାର ଏବଂ ଜାମରରେ ସର୍ବୋତ୍ତମ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ। ଏହି ୱେଫର୍ଗୁଡ଼ିକ 4-ଇଞ୍ଚ ଏବଂ 6-ଇଞ୍ଚ ବ୍ୟାସରେ ଉପଲବ୍ଧ, ବିଭିନ୍ନ ବୈଷୟିକ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ GaN ଘନତା ସହିତ। GaN ର ଅନନ୍ୟ ଗୁଣ ଏହାକୁ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସର ଭବିଷ୍ୟତ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରାର୍ଥୀ କରିଥାଏ।
ଉତ୍ପାଦ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ
| ଉତ୍ପାଦ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |
| ୱେଫର ବ୍ୟାସ | ୫୦ମିମି, ୧୦୦ମିମି, ୫୦.୮ମିମି |
| ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | ନୀଳମଣି |
| GaN ସ୍ତର ଘନତା | ୦.୫ μm - ୧୦ μm |
| GaN ପ୍ରକାର/ଡୋପିଂ | N-ଟାଇପ୍ (ଅନୁରୋଧ କଲେ P-ଟାଇପ୍ ଉପଲବ୍ଧ) |
| GaN କ୍ରିଷ୍ଟାଲ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | <0001> |
| ପଲିସିଂ ପ୍ରକାର | ସିଙ୍ଗଲ-ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ଡ୍ (SSP), ଡବଲ୍-ସାଇଡ୍ ପଲିସ୍ଡ୍ (DSP) |
| Al2O3 ଘନତା | ୪୩୦ μm - ୬୫୦ μm |
| TTV (ମୋଟ ଘନତା ପରିବର୍ତ୍ତନ) | ≤ ୧୦ μମି |
| ଧନୁ | ≤ ୧୦ μମି |
| ୱାର୍ପ୍ | ≤ ୧୦ μମି |
| ପୃଷ୍ଠକ୍ଷେତ୍ର | ବ୍ୟବହାରଯୋଗ୍ୟ ପୃଷ୍ଠ କ୍ଷେତ୍ରଫଳ > 90% |
ପ୍ରଶ୍ନ ଏବଂ ଉତ୍ତର
Q1: ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତୁଳନାରେ GaN ବ୍ୟବହାର କରିବାର ପ୍ରମୁଖ ସୁବିଧା କ’ଣ?
A1: GaN ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ ଅନେକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯେଉଁଥିରେ ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଯାହା ଏହାକୁ ଅଧିକ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିଚାଳନା କରିବାକୁ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ। ଏହା GaN କୁ RF ମଡ୍ୟୁଲ୍, ପାୱାର ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଏବଂ LED ପରି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ। GaN ର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତା ପରିଚାଳନା କରିବାର କ୍ଷମତା ମଧ୍ୟ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ବିକଳ୍ପ ତୁଳନାରେ ଛୋଟ ଏବଂ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।
Q2: MEMS (ମାଇକ୍ରୋ-ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ମେକାନିକାଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ସ) ପ୍ରୟୋଗରେ GaN ଅନ୍ ସାଫାୟାର ୱେଫର୍ସ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ କି?
A2: ହଁ, ସାଫାୟାର ୱେଫର୍ସ ଉପରେ GaN MEMS ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ବିଶେଷକରି ଯେଉଁଠାରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ଏବଂ କମ୍ ଶବ୍ଦ ଆବଶ୍ୟକ। ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ପରିବେଶରେ ଏହି ସାମଗ୍ରୀର ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ଏହାକୁ ତାରହୀନ ଯୋଗାଯୋଗ, ସେନ୍ସିଂ ଏବଂ ରାଡାର ସିଷ୍ଟମରେ ବ୍ୟବହୃତ MEMS ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ।
ପ୍ର୩: ବେତାର ଯୋଗାଯୋଗରେ GaN ର ସମ୍ଭାବ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
A3: 5G ଭିତ୍ତିଭୂମି, ରାଡାର ସିଷ୍ଟମ ଏବଂ ଜ୍ୟାମର ସମେତ ତାରହୀନ ଯୋଗାଯୋଗ ପାଇଁ RF ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ମଡ୍ୟୁଲରେ GaN ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତା ଏବଂ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ, ଯାହା ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ସମାଧାନ ତୁଳନାରେ ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଛୋଟ ଫର୍ମ ଫ୍ୟାକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।
Q4: ନୀଳମଣି ୱେଫର୍ସରେ GaN ପାଇଁ ଲିଡ୍ ସମୟ ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ଅର୍ଡର ପରିମାଣ କେତେ?
A4: ୱାଫର ଆକାର, GaN ଘନତା ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଗ୍ରାହକ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ଲିଡ୍ ସମୟ ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ଅର୍ଡର ପରିମାଣ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ। ଆପଣଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ଉପରେ ଆଧାର କରି ବିସ୍ତୃତ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ଉପଲବ୍ଧତା ପାଇଁ ଦୟାକରି ଆମ ସହିତ ସିଧାସଳଖ ଯୋଗାଯୋଗ କରନ୍ତୁ।
Q5: ମୁଁ କ’ଣ କଷ୍ଟମ୍ GaN ସ୍ତର ଘନତା କିମ୍ବା ଡୋପିଂ ସ୍ତର ପାଇପାରିବି?
A5: ହଁ, ଆମେ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ GaN ଘନତା ଏବଂ ଡୋପିଂ ସ୍ତରର କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ପ୍ରଦାନ କରୁ। ଦୟାକରି ଆପଣଙ୍କ ଇଚ୍ଛିତ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ଆମକୁ ଜଣାନ୍ତୁ, ଏବଂ ଆମେ ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିବୁ।
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
