5G/6G ଯୋଗାଯୋଗ ପାଇଁ LiTaO3 ୱେଫର 2ଇଞ୍ଚ-8ଇଞ୍ଚ 10x10x0.5 ମିମି 1sp 2sp
ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ
| ନାମ | ଅପ୍ଟିକାଲ୍-ଗ୍ରେଡ୍ LiTaO3 | ଶବ୍ଦ ସାରଣୀ ସ୍ତର LiTaO3 |
| ଅକ୍ଷୀୟ | Z କଟ୍ + / - ୦.୨° | 36° Y କଟ୍ / 42° Y କଟ୍ / X କଟ୍ (+ / - ୦.୨°) |
| ବ୍ୟାସ | ୭୬.୨ ମିମି + / - ୦.୩ ମିମି/ ୧୦୦±୦.୨ ମିମି | ୭୬.୨ ମିମି + /-୦.୩ ମିମି ୧୦୦ମିମି + /-୦.୩ମିମି ୦ର ୧୫୦±୦.୫ମିମି |
| ଡାଟମ୍ ପ୍ଲେନ୍ | ୨୨ ମିମି + / - ୨ ମିମି | ୨୨ ମିମି + /-୨ ମିମି ୩୨ ମିମି + /-୨ ମିମି |
| ଘନତା | ୫୦୦ମିମି + /-୫ମିମି ୧୦୦୦ମିମି + /-୫ମିମି | ୫୦୦ମିମି + /-୨୦ମିମି ୩୫୦ମିମି + /-୨୦ମିମି |
| ଟିଟିଭି | ≤ ୧୦ମ | ≤ ୧୦ମ |
| କ୍ୟୁରି ତାପମାତ୍ରା | ୬୦୫ °C + / - ୦.୭ °C (DTA ପଦ୍ଧତି) | ୬୦୫ °C + / -୩ °C (DTA ପଦ୍ଧତି) |
| ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା | ଦୁଇ-ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସିଂ | ଦୁଇ-ପାର୍ଶ୍ୱ ପଲିସିଂ |
| ଚାମ୍ଫର୍ଡ ଧାରଗୁଡ଼ିକ | ଧାର ଗୋଲେଇ | ଧାର ଗୋଲେଇ |
ପ୍ରମୁଖ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୧. ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା
· ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ ଗୁଣାଙ୍କ: r33 30 pm/V (X-କଟ୍) ରେ ପହଞ୍ଚିଥାଏ, LiNbO3 ଅପେକ୍ଷା 1.5× ଅଧିକ, ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ୱାଇଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ ମଡ୍ୟୁଲେସନ୍ (>40 GHz ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍)କୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।
· ବିସ୍ତୃତ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରାଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା: ପ୍ରସାରଣ ପରିସର 0.4–5.0 μm (8 mm ଘନତା), ଅତିବାଇଗଣୀ ଅବଶୋଷଣ ଧାର 280 nm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କମ, UV ଲେଜର ଏବଂ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଡଟ୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
· ନିମ୍ନ ପାଇରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଗୁଣାଙ୍କ: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଇନଫ୍ରାରେଡ୍ ସେନ୍ସରରେ ସ୍ଥିରତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।
୨. ତାପଜ ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ
· ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା: 4.6 W/m·K (X-କଟ୍), କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଅପେକ୍ଷା ଚାରିଗୁଣ, -200–500°C ତାପଜ ସାଇକେଲ ଚାଳନାକୁ ବଜାୟ ରଖିଥାଏ।
· ନିମ୍ନ ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଗୁଣାଙ୍କ: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), ତାପଜ ଚାପକୁ କମ କରିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ।
3. ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସଠିକତା
· ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଘନତା: <0.1 cm⁻² (8-ଇଞ୍ଚ ୱେଫର୍ସ), ସ୍ଥାନଚ୍ୟୁତି ଘନତା <500 cm⁻² (KOH ଏଚ୍ିଙ୍ଗ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଯାଞ୍ଚ କରାଯାଇଛି)।
· ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା: CMP-ପଲିସ୍ Ra <0.5 nm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, EUV ଲିଥୋଗ୍ରାଫି-ଗ୍ରେଡ୍ ଫ୍ଲାଟନେସ୍ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରୁଛି।
ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ
| ଡୋମେନ୍ | ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତି | ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସୁବିଧା |
| ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଯୋଗାଯୋଗ | 100G/400G DWDM ଲେଜର, ସିଲିକନ୍ ଫଟୋନିକ୍ସ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍ | LiTaO3 ୱେଫରର ବିସ୍ତୃତ ବର୍ଣ୍ଣାଳୀ ପ୍ରସାରଣ ଏବଂ କମ ତରଙ୍ଗଗାଇଡ୍ କ୍ଷତି (α <0.1 dB/cm) C-ବ୍ୟାଣ୍ଡ ବିସ୍ତାରକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ। |
| 5G/6G ଯୋଗାଯୋଗ | SAW ଫିଲ୍ଟର (1.8–3.5 GHz), BAW-SMR ଫିଲ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ | 42°Y-କଟ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ Kt² >15% ହାସଲ କରନ୍ତି, କମ ଇନସର୍ସନ୍ କ୍ଷତି (<1.5 dB) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ରୋଲ୍-ଅଫ୍ (>30 dB) ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି। |
| କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିସ୍ | ଏକକ-ଫୋଟନ୍ ଡିଟେକ୍ଟର, ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଡାଉନ୍-ରୂପାନ୍ତର ଉତ୍ସ | ଉଚ୍ଚ ଅଣରୈଖିକ ଗୁଣାଙ୍କ (χ(2)=40 pm/V) ଏବଂ ନିମ୍ନ ଅନ୍ଧକାର ଗଣନା ହାର (<100 ଗଣନା/ସେକେଣ୍ଡ) କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ବିଶ୍ୱସ୍ତତାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରେ। |
| ଶିଳ୍ପ ସେନ୍ସିଂ | ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଚାପ ସେନ୍ସର, କରେଣ୍ଟ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର | LiTaO3 ୱେଫରର ପାଇଜୋଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା (g33 >20 mV/m) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସହନଶୀଳତା (>400°C) ଅତ୍ୟନ୍ତ ପରିବେଶ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ। |
XKH ସେବାଗୁଡ଼ିକ
୧. କଷ୍ଟମ୍ ୱେଫର ନିର୍ମାଣ
· ଆକାର ଏବଂ କଟିଂ: X/Y/Z-କଟ୍, 42°Y-କଟ୍, ଏବଂ କଷ୍ଟମ୍ କୋଣିଆ କଟ୍ (±0.01° ସହନଶୀଳତା) ସହିତ 2-8-ଇଞ୍ଚ ୱେଫର୍।
· ଡୋପିଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ: ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ ଗୁଣାଙ୍କ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଜୋକ୍ରାଲସ୍କି ପଦ୍ଧତି (ସାନ୍ଦ୍ରତା ପରିସର 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) ମାଧ୍ୟମରେ Fe, Mg ଡୋପିଂ।
୨.ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା
· ପିରିୟଡିକ୍ ପୋଲିଂ (PPLT): LTOI ୱେଫର୍ସ ପାଇଁ ସ୍ମାର୍ଟ-କଟ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା, ±10 nm ଡୋମେନ୍ ପିରିୟଡ୍ ପ୍ରିସିସନ୍ ଏବଂ କ୍ୱାସି-ଫେଜ୍-ମେଚ୍ଡ୍ (QPM) ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କନଭର୍ସନ ହାସଲ କରେ।
· ବିଷମ ସମନ୍ୱୟ: ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି SAW ଫିଲ୍ଟର ପାଇଁ ଘନତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ (300–600 nm) ଏବଂ 8.78 W/m·K ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପଜ ପରିବାହିତା ସହିତ Si-ଆଧାରିତ LiTaO3 କମ୍ପୋଜିଟ୍ ୱେଫର୍ସ (POI)।
3. ଗୁଣବତ୍ତା ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀ
· ଶେଷରୁ ଶେଷ ପରୀକ୍ଷଣ: ରମନ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋସ୍କୋପି (ପଲିଟାଇପ୍ ଯାଞ୍ଚ), XRD (ସ୍ଫଟିକାଲିନିଟି), AFM (ପୃଷ୍ଠ ଆକୃତି), ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ୟୁନିଫର୍ମଟି ପରୀକ୍ଷଣ (Δn <5×10⁻⁵)।
୪. ବିଶ୍ୱସ୍ତରୀୟ ଯୋଗାଣ ଶୃଙ୍ଖଳା ସମର୍ଥନ
· ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷମତା: ମାସିକ ଉତ୍ପାଦନ 5,000 ୱେଫର (8-ଇଞ୍ଚ: 70%), 48 ଘଣ୍ଟା ଜରୁରୀକାଳୀନ ବିତରଣ ସହିତ।
· ଲଜିଷ୍ଟିକ୍ସ ନେଟୱାର୍କ: ତାପମାତ୍ରା-ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ବାୟୁ/ସମୁଦ୍ର ମାଲ ପରିବହନ ମାଧ୍ୟମରେ ୟୁରୋପ, ଉତ୍ତର ଆମେରିକା ଏବଂ ଏସିଆ-ପ୍ରଶାନ୍ତ ମହାସାଗରରେ କଭରେଜ୍।
