ନୀଳମଣି ଟ୍ୟୁବ୍ CZmethod KY ପଦ୍ଧତି ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ Al2O3 99.999% ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ନୀଳମଣି |

ସମ୍ପତ୍ତି

ବର୍ଣ୍ଣନା

ବାସ୍ତୁ ରଚନା |

99.999% ଶୁଦ୍ଧ Al₂O₃ ଏକକ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ନୀଳମଣି |

କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ

ଷୋଡଶାଳିଆ (ରୋମ୍ବୋହେଡ୍ରାଲ୍), ଉଚ୍ଚ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି ନିଶ୍ଚିତ କରେ |

କଠିନତା |

9 ମୋହ ସ୍କେଲରେ, ଉନ୍ନତ ସ୍କ୍ରାଚ୍ ଏବଂ ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ, ହୀରା ପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ |

ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି |

46 W / m · K (100 ° C ରେ), ଦକ୍ଷ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରକୁ ସକ୍ଷମ କରେ |

ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ |

2,040 ° C (3,704 ° F), ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଅସାଧାରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ କରେ |

ସର୍ବାଧିକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା |

1,600 ° C (2,912 ° F) ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପମାତ୍ରାରେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ |

ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ |

5.3 × 10⁻⁶ / ° C (0-1000 ° C), ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଉତ୍ତୋଳନ ଅଧୀନରେ ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ |

ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ |

1.76 (0.589 μm ରେ), UV ରେ IR ପ୍ରୟୋଗରେ ଉପଯୁକ୍ତ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |

ସ୍ୱଚ୍ଛତା

ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟରେ 0.3 ରୁ 5.5 μ ମିଟର ମଧ୍ୟରେ 85% ରୁ ଅଧିକ ସ୍ୱଚ୍ଛତା |

ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ |

ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର ଏବଂ ଅଧିକାଂଶ ରାସାୟନିକ କ୍ଷତିକାରକ ପାଇଁ ଅତ୍ୟଧିକ ପ୍ରତିରୋଧୀ |

ଘନତା

3.98 g / cm³, ଦୃ ust ଼ ଗଠନମୂଳକ ଅଖଣ୍ଡତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ |

ୟଙ୍ଗ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ |

345 GPa, ଉଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ କଠିନତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ପ୍ରଦାନ କରେ |

ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ଇନସୁଲେସନ୍ |

ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଗୁଣ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକୁ ଇନସୁଲେଟ୍ କରିବା ପାଇଁ ଏହା ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |

ଉତ୍ପାଦନ କ ech ଶଳ |

ସଠିକତା ଏବଂ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ପାଇଁ ଉନ୍ନତ Czochralski (CZ) ଏବଂ Kyropoulos (KY) ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ

ସାଧାରଣତ sem ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲା, ଅପ୍ଟିକ୍ସ, ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |