SiC ସେରାମିକ୍ ଫର୍କ ଆର୍ମ / ଏଣ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟର୍ - ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର୍ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ପ୍ରିସିସନ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ

ଏହାର ନିର୍ମାଣSiC ସେରାମିକ୍ ଏଣ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟର୍ସଏଥିରେ ଉଚ୍ଚ-ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା, ଉଚ୍ଚ-ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଏକ ଶୃଙ୍ଖଳା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ ଯାହା କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଉଭୟକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ। ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତଃ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ:

ପ୍ରତିକ୍ରିୟା-ବନ୍ଧିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (RB-SiC)

ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର ଏବଂ ବାଇଣ୍ଡରରୁ ତିଆରି ଏକ ପ୍ରିଫର୍ମକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ (~1500°C) ତରଳ ସିଲିକନ୍ ସହିତ ଅନୁପ୍ରବେଶିତ କରାଯାଏ, ଯାହା ଅବଶିଷ୍ଟ କାର୍ବନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ଏକ ଘନ, କଠୋର SiC-Si କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଗଠନ କରେ। ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପରିମାଣ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ ଏବଂ ବଡ଼ ପରିମାଣର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମୂଲ୍ୟ-ପ୍ରଭାବଶାଳୀ।

ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟର୍ଡ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SSiC)

SSiC ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ (>2000°C) ଅତ୍ୟଧିକ ସୂକ୍ଷ୍ମ, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା SiC ପାଉଡରକୁ ଆଡିଟିଭ୍ କିମ୍ବା ବନ୍ଧନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବ୍ୟବହାର ନକରି ସିଣ୍ଟର କରି ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଏ। ଏହା ପ୍ରାୟ 100% ଘନତା ଏବଂ SiC ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ ଉପଲବ୍ଧ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଏବଂ ତାପଜ ଗୁଣ ସହିତ ଏକ ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରଦାନ କରେ। ଏହା ଅତ୍ୟଧିକ-ସଙ୍କଟମୂଳକ ୱେଫର ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ।

ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପରବର୍ତ୍ତୀ

• ପ୍ରିସିସନ୍ ସିଏନସି ମେସିନିଂ: ଉଚ୍ଚ ସମତଳତା ଏବଂ ସମାନ୍ତରାଳତା ହାସଲ କରେ।

• ପୃଷ୍ଠ ଫିନିସିଂ: ହୀରା ପଲିସିଂ ପୃଷ୍ଠର ରୁକ୍ଷତାକୁ <0.02 µm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହ୍ରାସ କରେ।

• ନିରୀକ୍ଷଣ: ପ୍ରତ୍ୟେକ ଖଣ୍ଡକୁ ଯାଞ୍ଚ କରିବା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଇଣ୍ଟରଫେରୋମେଟ୍ରି, CMM, ଏବଂ ଅଣ-ବିନାଶକ ପରୀକ୍ଷଣ ନିୟୋଜିତ କରାଯାଏ।

ଏହି ପଦକ୍ଷେପଗୁଡ଼ିକ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦିଏ ଯେSiC ଏଣ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟର୍ସ୍ଥିର ୱେଫର ପ୍ଲେସମେଣ୍ଟ ସଠିକତା, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପ୍ଲାନାରିଟି ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ କଣିକା ସୃଷ୍ଟି ପ୍ରଦାନ କରେ।