SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ SiC ଇଙ୍ଗଟ୍ ବୃଦ୍ଧି ୪ଇଞ୍ଚ ୬ଇଞ୍ଚ ୮ଇଞ୍ଚ PTV ଲେଲି TSSG LPE ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି
ମୁଖ୍ୟ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
(୧) ଭୌତିକ ବାଷ୍ପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପଦ୍ଧତି (PTV)
ନୀତି: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ, SiC କଞ୍ଚାମାଲ ଏକ ଗ୍ୟାସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଉତ୍ତପ୍ତ ହୁଏ, ଯାହାକୁ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଉପରେ ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇଜ କରାଯାଏ।
ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ଉଚ୍ଚ ବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା (୨୦୦୦-୨୫୦୦°C)।
ଉଚ୍ଚମାନର, ବଡ଼ ଆକାରର 4H-SiC ଏବଂ 6H-SiC ସ୍ଫଟିକ ଚାଷ କରାଯାଇପାରିବ।
ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଧୀର, କିନ୍ତୁ ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଉଚ୍ଚ।
ପ୍ରୟୋଗ: ମୁଖ୍ୟତଃ ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ସ୍ତରୀୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
(2) ଲେଲି ପଦ୍ଧତି
ନୀତି: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ SiC ପାଉଡରର ସ୍ୱତଃସ୍ଫୂର୍ତ୍ତ ଉପସମନ ଏବଂ ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇଜେସନ୍ ଦ୍ୱାରା ସ୍ଫଟିକଗୁଡ଼ିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଏ।
ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ବିହନ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ ନାହିଁ, ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ ଆକାର ଛୋଟ।
ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଉଚ୍ଚ, କିନ୍ତୁ ବୃଦ୍ଧି ଦକ୍ଷତା କମ।
ପରୀକ୍ଷାଗାର ଗବେଷଣା ଏବଂ ଛୋଟ ବ୍ୟାଚ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
ପ୍ରୟୋଗ: ମୁଖ୍ୟତଃ ବୈଜ୍ଞାନିକ ଗବେଷଣା ଏବଂ ଛୋଟ ଆକାରର SiC ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
(୩) ଶୀର୍ଷ ବିହନ ଦ୍ରବଣ ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି (TSSG)
ନୀତି: ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଦ୍ରବଣରେ, SiC କଞ୍ଚାମାଲ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ଉପରେ ଦ୍ରବୀଭୂତ ହୁଏ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକୀକରଣ ହୁଏ।
ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା କମ୍ (୧୫୦୦-୧୮୦୦°C)।
ଉଚ୍ଚମାନର, କମ୍ ତ୍ରୁଟିଯୁକ୍ତ SiC ସ୍ଫଟିକ ଚାଷ କରାଯାଇପାରିବ।
ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଧୀର, କିନ୍ତୁ ସ୍ଫଟିକ ସମାନତା ଭଲ।
ପ୍ରୟୋଗ: ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଭଳି ଉଚ୍ଚମାନର SiC ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
(୪) ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE)
ନୀତି: ତରଳ ଧାତୁ ଦ୍ରବଣରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ SiC କଞ୍ଚାମାଲର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି।
ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା କମ୍ (୧୦୦୦-୧୫୦୦°C)।
ଫିଲ୍ମ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ଦ୍ରୁତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର।
ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଉଚ୍ଚ, କିନ୍ତୁ ଘନତା ସୀମିତ।
ପ୍ରୟୋଗ: ମୁଖ୍ୟତଃ ସେନ୍ସର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଭଳି SiC ଫିଲ୍ମର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ ଉପାୟ
SiC ସ୍ଫଟିକ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ହେଉଛି sic ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ଉପକରଣ, ଏବଂ ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ ଉପାୟଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
ଶକ୍ତି ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ: ଶକ୍ତି ଉପକରଣ (ଯେପରିକି MOSFET, ଡାୟୋଡ୍) ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା 4H-SiC ଏବଂ 6H-SiC ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ପ୍ରୟୋଗ: ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନବାହନ, ଫଟୋଭୋଲଟାଇକ୍ ଇନଭର୍ଟର, ଶିଳ୍ପ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ, ଇତ୍ୟାଦି।
Rf ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାଣ: 5G ଯୋଗାଯୋଗ, ରାଡାର ଏବଂ ସାଟେଲାଇଟ୍ ଯୋଗାଯୋଗର ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ RF ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ କମ୍-ତ୍ରୁଟି ଥିବା SiC ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ଅପଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ନିର୍ମାଣ: ଏଲ୍ଇଡି, ଅଲ୍ଟ୍ରାଭାୟୋଲେଟ୍ ଡିଟେକ୍ଟର ଏବଂ ଲେଜର ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା SiC ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ବୈଜ୍ଞାନିକ ଗବେଷଣା ଏବଂ କ୍ଷୁଦ୍ର ବ୍ୟାଚ୍ ଉତ୍ପାଦନ: SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ନବସୃଜନ ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ପରୀକ୍ଷାଗାର ଗବେଷଣା ଏବଂ ନୂତନ ସାମଗ୍ରୀ ବିକାଶ ପାଇଁ।
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ: ଅନ୍ତରୀକ୍ଷ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସେନ୍ସର ପାଇଁ ମୂଳ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧୀ SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
କମ୍ପାନୀ ଦ୍ୱାରା ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଇଥିବା SiC ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ସେବା
XKH SIC କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଉପକରଣର ବିକାଶ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇ ନିମ୍ନଲିଖିତ ସେବା ପ୍ରଦାନ କରେ:
କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ଉପକରଣ: XKH ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁସାରେ PTV ଏବଂ TSSG ଭଳି ବିଭିନ୍ନ ବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି ସହିତ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଯୋଗାଇଥାଏ।
ବୈଷୟିକ ସହାୟତା: XKH ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ଠାରୁ ଉପକରଣ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ବୈଷୟିକ ସହାୟତା ପ୍ରଦାନ କରେ।
ତାଲିମ ସେବା: XKH ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଉପକରଣର ଦକ୍ଷ ପରିଚାଳନା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାଲିମ ଏବଂ ବୈଷୟିକ ମାର୍ଗଦର୍ଶନ ପ୍ରଦାନ କରେ।
ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେବା: ଗ୍ରାହକ ଉତ୍ପାଦନର ନିରନ୍ତରତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ XKH ଶୀଘ୍ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେବା ଏବଂ ଉପକରଣ ଅପଗ୍ରେଡ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ।
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା (ଯେପରିକି PTV, Lely, TSSG, LPE) ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରୟୋଗ କରେ। XKH ଉଚ୍ଚମାନର SiC ସ୍ଫଟିକର ବୃହତ ପରିମାଣର ଉତ୍ପାଦନରେ ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ବିକାଶରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ଉନ୍ନତ SiC ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସେବା ପ୍ରଦାନ କରେ।
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
