SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ Dia200mm 4H-N ଏବଂ HPSI ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |
4H-N ଏବଂ HPSI ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ର ଏକ ପଲିଟାଇପ୍, ଚାରିଟି କାର୍ବନ ଏବଂ ଚାରିଟି ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁରେ ଗଠିତ ଷୋଡଶାଳିଆ ୟୁନିଟ୍ ସହିତ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନ | ଏହି structure ାଞ୍ଚା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ ପଦାର୍ଥକୁ ପ୍ରଦାନ କରେ | ସମସ୍ତ ସିସି ପଲିଟାଇପ୍ ମଧ୍ୟରେ, 4H-N ଏବଂ HPSI ଏହାର ସନ୍ତୁଳିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଗାତର ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ଅଧିକ ତାପଜ ଚାଳନା କାରଣରୁ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
8inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟଗୁଡିକର ଆବିର୍ଭାବ ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଗ୍ରଗତିକୁ ପ୍ରତିପାଦିତ କରେ | ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପରି ଚରମ ଅବସ୍ଥାରେ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାରେ ଏକ ମହତ୍ତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହ୍ରାସ ପାଇଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବଜାୟ ରଖିପାରେ | ଛୋଟ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତୁଳନାରେ, 8inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏକ ବୃହତ ଏକକ-ଖଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କମ୍ ଖର୍ଚ୍ଚକୁ ଅନୁବାଦ କରେ, SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବ୍ୟବସାୟିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚଳାଇବା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
8inch ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଇଁ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧତା ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଗୁଣ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ, ତେଣୁ ନିର୍ମାତାମାନେ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଦ୍ଧତା ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟଗୁଡିକର ନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ସାନ୍ଧ୍ରତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଉନ୍ନତ ଜ୍ଞାନକ technologies ଶଳ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହା ସାଧାରଣତ complex ଜଟିଳ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ସଠିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ କାଟିବା କ ques ଶଳ ସହିତ ଜଡିତ | 4H-N ଏବଂ HPSI SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପାୱାର କନଭର୍ଟର, ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ପାଇଁ ଟ୍ରାକ୍ସନ୍ ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ |
ଆମେ 4H-N 8inch SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରେଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଷ୍ଟକ୍ ୱାଫର୍ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବା | ଆମେ ମଧ୍ୟ ଆପଣଙ୍କର ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା କରିପାରିବା | ସ୍ Welcome ାଗତ ଅନୁସନ୍ଧାନ!