ସିଲିକନ୍ 8-ଇଞ୍ଚ ଏବଂ 6-ଇଞ୍ଚ SOI (ସିଲିକନ୍-ଅନ୍-ଇନ୍ସୁଲେଟର) ୱେଫରରେ SOI ୱେଫର ଇନସୁଲେଟର

ଏକ ଉପର ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର, ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ଏକ ତଳ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କୁ ନେଇ ଗଠିତ, ତିନି-ସ୍ତର SOI ୱେଫର ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ RF ଡୋମେନରେ ଅତୁଳନୀୟ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ। ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସ୍ଫଟିକ ସିଲିକନ୍ ବିଶିଷ୍ଟ ଉପର ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର, ସଠିକତା ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ସହିତ ଜଟିଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଏକୀକରଣକୁ ସହଜ କରିଥାଏ। ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପାସିଟାନ୍ସକୁ କମ କରିବା ପାଇଁ ସତର୍କତାର ସହିତ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ କରାଯାଇଥିବା ଇନସୁଲେଟିଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର, ଅନାବଶ୍ୟକ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ହସ୍ତକ୍ଷେପକୁ ହ୍ରାସ କରି ଡିଭାଇସ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରେ। ତଳ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସମର୍ଥନ ପ୍ରଦାନ କରେ ଏବଂ ବିଦ୍ୟମାନ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ।

ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ, SOI ୱେଫର ଉନ୍ନତ ଗତି, ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସହିତ ଉନ୍ନତ ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟ (ICs) ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଏକ ଭିତ୍ତିଭୂମି ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ। ଏହାର ତିନି-ସ୍ତର ସ୍ଥାପତ୍ୟ CMOS (ପରିପୂରକ ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ଅର୍ଦ୍ଧପରିଚାଳକ) ICs, MEMS (ମାଇକ୍ରୋ-ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସିଷ୍ଟମ) ଏବଂ ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ଭଳି ଜଟିଳ ଅର୍ଦ୍ଧପରିଚାଳକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।

RF କ୍ଷେତ୍ରରେ, SOI ୱାଫର RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମର ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟାନ୍ୱୟନରେ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ। ଏହାର କମ ପରଜୀବୀ କାପାସିଟାନ୍ସ, ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପୃଥକୀକରଣ ଗୁଣ ଏହାକୁ RF ସ୍ୱିଚ୍, ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, ଫିଲ୍ଟର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ RF ଉପାଦାନ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କରିଥାଏ। ଏହା ସହିତ, SOI ୱାଫରର ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ବିକିରଣ ସହନଶୀଳତା ଏହାକୁ ମହାକାଶ ଏବଂ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ ଯେଉଁଠାରେ କଠୋର ପରିବେଶରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସର୍ବୋପରି।

ଅଧିକନ୍ତୁ, SOI ୱେଫରର ବହୁମୁଖୀତା ଫଟୋନିକ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ (PICs) ଭଳି ଉଦୀୟମାନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିସ୍ତାରିତ, ଯେଉଁଠାରେ ଗୋଟିଏ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ସମନ୍ୱୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପିଢ଼ିର ଦୂରସଂଚାର ଏବଂ ତଥ୍ୟ ଯୋଗାଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ପ୍ରତିଶ୍ରୁତି ରଖେ।

ସଂକ୍ଷେପରେ, ତିନି-ସ୍ତର ସିଲିକନ୍-ଅନ୍-ଇନସୁଲେଟର (SOI) ୱେଫର ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ RF ପ୍ରୟୋଗରେ ନବସୃଜନର ସର୍ବାଗ୍ରେ ରହିଛି। ଏହାର ଅନନ୍ୟ ସ୍ଥାପତ୍ୟ ଏବଂ ଅସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ବିବିଧ ଶିଳ୍ପରେ ଉନ୍ନତି ପାଇଁ ପଥ ପ୍ରଶସ୍ତ କରେ, ପ୍ରଗତିକୁ ଆଗେଇ ନିଏ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ଭବିଷ୍ୟତକୁ ଆକାର ଦିଏ।