ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍
-
୮ଇଞ୍ଚ ୨୦୦ମିମି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ୱେଫର୍ସ ୪H-N ପ୍ରକାର ଉତ୍ପାଦନ ଗ୍ରେଡ୍ ୫୦୦ମ ଘନତା
-
2ଇଞ୍ଚ 6H-N ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସିକ୍ ୱେଫର ଡବଲ୍ ପଲିସ୍ଡ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ପ୍ରାଇମ୍ ଗ୍ରେଡ୍ Mos ଗ୍ରେଡ୍
-
3 ଇଞ୍ଚ ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା (ଅନଡୋପ୍) ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ସ ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ସିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ସ (HPSl)
-
ନୀଳାଫୁଲ ଡିଆ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ, ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା ମୋର୍ହସ୍ 9 ସ୍କ୍ରାଚ୍-ପ୍ରତିରୋଧୀ କଷ୍ଟମାଇଜେବଲ୍
-
LED ଚିପ୍ସ ପାଇଁ ପ୍ୟାଟର୍ନଡ୍ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ PSS 2 ଇଞ୍ଚ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ ICP ଡ୍ରାଏ ଏଚିଂ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ
-
2 ଇଞ୍ଚ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ ପ୍ୟାଟର୍ଣ୍ଣଡ୍ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ (PSS) ଯାହା ଉପରେ GaN ସାମଗ୍ରୀ ଚାଷ କରାଯାଏ ତାହା LED ଆଲୋକ ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ।
-
Au ଆବୃତ ୱାଫର, ନୀଳମଣି ୱାଫର, ସିଲିକନ୍ ୱାଫର, SiC ୱାଫର, 2 ଇଞ୍ଚ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ, ସୁନା ଆବୃତ ଘନତା 10nm 50nm 100nm
-
ସୁନା ପ୍ଲେଟ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର （Si ୱାଫର） 10nm 50nm 100nm 500nm Au LED ପାଇଁ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପରିବାହୀତା
-
ସୁନା ଆବୃତ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ସ 2 ଇଞ୍ଚ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ ସୁନା ସ୍ତର ଘନତା: 50nm (± 5nm) କିମ୍ବା କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ ଆବରଣ ଫିଲ୍ମ Au, 99.999% ଶୁଦ୍ଧତା
-
AlN-on-NPSS ୱେଫର: ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଏବଂ RF ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଅଣ-ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଆଲୁମିନିୟମ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସ୍ତର
-
ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ କ୍ଷେତ୍ର ପାଇଁ FSS 2 ଇଞ୍ଚ 4 ଇଞ୍ଚ NPSS/FSS AlN ଟେମ୍ପଲେଟ୍ ଉପରେ AlN
-
MEMS ପାଇଁ ନୀଳମଣି ୱେଫର୍ସରେ ଚାଷ କରାଯାଇଥିବା ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ 4 ଇଞ୍ଚ 6 ଇଞ୍ଚ