2inch 50.8mm ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ୱାଫର୍ସ ଡୋପେଡ୍ ସି N- ପ୍ରକାର ଉତ୍ପାଦନ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ |

ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ: 4H ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (4H-SiC)

ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ: ଟେଟ୍ରାହେକ୍ସେଡ୍ରାଲ୍ (4H)

ଡୋପିଂ: ଅନାବୃତ (4H-N)

ଆକାର: 2 ଇଞ୍ଚ |

ଚାଳନା ପ୍ରକାର: N- ପ୍ରକାର (n-doped)

ଚାଳନା: ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର |

ମାର୍କେଟ ଆଉଟଲୁକ୍: 4H-N ଅଣ-ଡୋପଡ୍ SiC ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକର ଅନେକ ସୁବିଧା ଅଛି, ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, କମ୍ ଚାଳନା କ୍ଷତି, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା, ଏବଂ ଏହିପରି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଆରଏଫ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଏକ ବ୍ୟାପକ ବଜାର ଦୃଷ୍ଟିକୋଣ ରହିଛି |ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି, ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗର ବିକାଶ ସହିତ, ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ସହନଶୀଳତା ଥିବା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଚାହିଦା ବ, ୁଛି, ଯାହା 4H-N ଅଣ-ଡୋପଡ୍ SiC ୱାଫର୍ ପାଇଁ ଏକ ବ୍ୟାପକ ବଜାର ସୁଯୋଗ ପ୍ରଦାନ କରେ |

ବ୍ୟବହାର: 2-ଇଞ୍ଚ 4H-N ଅଣ-ଡୋପଡ୍ SiC ୱାଫର୍ ବିଭିନ୍ନ ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଆରଏଫ୍ ଡିଭାଇସ୍ ତିଆରି କରିବାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ, ଏଥି ସହିତ ସୀମିତ ନୁହେଁ:

1--4H-SiC MOSFETs: ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି / ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ କମ୍ ଚାଳନା ଏବଂ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ଅଛି |

2--4H-SiC JFETs: RF ପାୱାର୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଏବଂ ସୁଇଚ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଜଙ୍କସନ FET |ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ପ୍ରଦାନ କରେ |

3--4H-SiC Schottky Diodes: ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଡାୟୋଡ୍ |ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ କମ୍ ଚାଳନା ଏବଂ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରେ |

4--4H-SiC ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍: ଉଚ୍ଚ ପାୱାର୍ ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍, UV ଡିଟେକ୍ଟର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପରି କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ଉପକରଣ |ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି |

ସଂକ୍ଷେପରେ, 2-ଇଞ୍ଚ 4H-N ଅଣ-ଡୋପଡ୍ SiC ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଆରଏଫରେ ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ |ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଦୃ strong ପ୍ରତିଯୋଗୀ କରିଥାଏ |