3ଇଞ୍ଚ 76.2mm 4H-ସେମି SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱାଫର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅପମାନଜନକ SiC ୱାଫର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚମାନର ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ SiC ୱେଫର (ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍)। 3 ଇଞ୍ଚ SiC ୱେଫର ହେଉଛି ଏକ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ, 3 ଇଞ୍ଚ ବ୍ୟାସର ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅନୁରୋଧକ ସିଲିକନ୍-କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର। ଏହି ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ପାୱାର, RF ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଉଦ୍ଦିଷ୍ଟ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ

ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ

ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ

3-ଇଞ୍ଚ 4H ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧିତ SiC (ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ଏକ ସାଧାରଣତଃ ବ୍ୟବହୃତ ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧୀ ସାମଗ୍ରୀ। 4H ଏକ ଟେଟ୍ରାହେକ୍ସାହେଡ୍ରାଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ଗଠନକୁ ସୂଚିତ କରେ। ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧୀ ଅର୍ଥ ହେଉଛି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍‌ର ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧୀ ଗୁଣ ରହିଛି ଏବଂ ଏହାକୁ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରବାହରୁ କିଛି ପରିମାଣରେ ପୃଥକ କରାଯାଇପାରିବ।

ଏହିପରି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକର ନିମ୍ନଲିଖିତ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଅଛି: ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା, କମ୍ ପରିବାହିତା କ୍ଷତି, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବଧାନ ଥିବାରୁ ଏବଂ ଏହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବୈଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସ୍ଥିତି ସହ୍ୟ କରିପାରେ, 4H-SiC ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧିତ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (RF) ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।

4H-SiC ଅର୍ଦ୍ଧ-ଅବରୋଧିତ ୱେଫରର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:

୧--ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ: 4H-SiC ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ MOSFETs (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର), IGBTs (ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ବାଇପୋଲାର୍ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର) ଏବଂ ସ୍କୋଟକି ଡାୟୋଡ୍ ଭଳି ପାୱାର ସୁଇଚିଂ ଡିଭାଇସ୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। ଏହି ଡିଭାଇସ୍‌ଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ କମ୍ ପରିବହନ ଏବଂ ସୁଇଚିଂ କ୍ଷତି ଥାଏ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରଦାନ କରେ।

2--ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (RF) ଡିଭାଇସ୍: 4H-SiC ସେମି-ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି RF ପାୱାର ଆମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍, ଚିପ୍ ରେଜିଷ୍ଟର୍, ଫିଲ୍ଟର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଡିଭାଇସ୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ। ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ସାଚୁରେସନ୍ ଡ୍ରିଫ୍ଟ ହାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଯୋଗୁଁ ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ରହିଛି।

3--ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍: 4H-SiC ସେମି-ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍, UV ଆଲୋକ ଡିଟେକ୍ଟର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟ୍ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ।

ବଜାର ଦିଗ ଦୃଷ୍ଟିରୁ, ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, RF ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସର ବର୍ଦ୍ଧିତ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ 4H-SiC ସେମି-ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ୱେଫରର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି। ଏହା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା, ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନବାହନ, ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗ ସମେତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ହେତୁ। ଭବିଷ୍ୟତରେ, 4H-SiC ସେମି-ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ୱେଫରର ବଜାର ବହୁତ ଆଶାଜନକ ରହିଛି ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀକୁ ବଦଳାଇବା ଆଶା କରାଯାଉଛି।