4H-N 4 ଇଞ୍ଚ SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଡମି ରିସର୍ଚ୍ଚ ଗ୍ରେଡ୍ |

4-ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ 4 ଇଞ୍ଚ (ପ୍ରାୟ 101.6 ମିମି), ଭୂପୃଷ୍ଠ Ra <0.5 nm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ମୋଟା 600 ± 25 μm | ୱେଫରର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ହେଉଛି N ପ୍ରକାର କିମ୍ବା P ପ୍ରକାର ଏବଂ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ | ଏହା ସହିତ, ଚିପ୍ ର ମଧ୍ୟ ଉତ୍ତମ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା ଅଛି, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଚାପ ଏବଂ କମ୍ପନକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିପାରେ |

ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପଦାର୍ଥ ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏଥିରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ନୂତନ ସାମଗ୍ରୀର ଗବେଷଣା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଆମେ ବିଭିନ୍ନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ଏବଂ କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ବିକଳ୍ପ ପ୍ରଦାନ କରୁ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ର ଉତ୍ପାଦ ସୂଚନା ବିଷୟରେ ଅଧିକ ଜାଣିବାକୁ ଦୟାକରି ଆମର ସ୍ independent ାଧୀନ ସାଇଟ୍ ପ୍ରତି ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ |

ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡିକ: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱାଫର୍, 4 ଇଞ୍ଚ, ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ପାୱାର୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଲେଡ୍, ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍, ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, କଷ୍ଟମ୍ ବିକଳ୍ପ |