2 ଇଞ୍ଚ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍ସ 6H କିମ୍ବା 4H N- ପ୍ରକାର କିମ୍ବା ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |

4H SiC ୱେଫର୍ N- ପ୍ରକାର |

ବ୍ୟାସ: 2 ଇଞ୍ଚ 50.8 ମିମି | |4 ଇଞ୍ଚ 100 ମିମି |6 ଇଞ୍ଚ 150 ମିମି |

ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍: ଅଫ୍ ଅକ୍ଷ 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ ଆଡକୁ |

ପ୍ରତିରୋଧକତା: <0.1 ohm.cm

କଠିନତା: ସି-ଫେସ୍ CMP Ra <0.5nm, C- ଚେହେରା ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପଲିସ୍ Ra <1 nm |

4H SiC ୱେଫର୍ ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ |

ବ୍ୟାସ: 2 ଇଞ୍ଚ 50.8 ମିମି | |4 ଇଞ୍ଚ 100 ମିମି |6 ଇଞ୍ଚ 150 ମିମି |

ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍: ଅକ୍ଷରେ {0001} ± 0.25˚ |

ପ୍ରତିରୋଧକତା:> 1E5 ohm.cm |

କଠିନତା: ସି-ଫେସ୍ CMP Ra <0.5nm, C- ଚେହେରା ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପଲିସ୍ Ra <1 nm |

1. 5G ଭିତ୍ତିଭୂମି - ଯୋଗାଯୋଗ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ |

ଯୋଗାଯୋଗ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ହେଉଛି ସର୍ଭର ଏବଂ ଆଧାର ଷ୍ଟେସନ ଯୋଗାଯୋଗ ପାଇଁ ଶକ୍ତି ଆଧାର |ଯୋଗାଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀର ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏହା ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରେରଣ ଉପକରଣ ପାଇଁ ବିଦ୍ୟୁତ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଏ |

2. ନୂତନ ଶକ୍ତି ଯାନଗୁଡିକର ଗଦା ଚାର୍ଜ - ପାଇଲ ଚାର୍ଜିଂର ପାୱାର୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍ |

ଚାର୍ଜିଂ ପାଇଲ ପାୱାର ମଡ୍ୟୁଲର ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଚାର୍ଜିଂ ପାଇଲ ପାୱାର ମଡ୍ୟୁଲରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ହୃଦୟଙ୍ଗମ ହୋଇପାରିବ, ଯାହାଫଳରେ ଚାର୍ଜିଂ ବେଗକୁ ଉନ୍ନତ କରି ଚାର୍ଜିଂ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ |

3. ବଡ ଡାଟା କେନ୍ଦ୍ର, ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଇଣ୍ଟରନେଟ୍ - ସର୍ଭର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ |

ସର୍ଭର ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ହେଉଛି ସର୍ଭର ଶକ୍ତି ଲାଇବ୍ରେରୀ |ସର୍ଭର ସିଷ୍ଟମର ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ସର୍ଭର ଶକ୍ତି ଯୋଗାଏ |ସର୍ଭର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାୱାର୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ବ୍ୟବହାର ସର୍ଭର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଏବଂ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ, ତଥ୍ୟ କେନ୍ଦ୍ରର ପରିମାଣକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ଡାଟା କେନ୍ଦ୍ରର ସାମଗ୍ରିକ ନିର୍ମାଣ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପରିବେଶ ହାସଲ କରିପାରିବ | ଦକ୍ଷତା

4. Uhv - ନମନୀୟ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଡିସି ସର୍କିଟ ବ୍ରେକରର ପ୍ରୟୋଗ |

5. ଆନ୍ତ c ରାଜ୍ୟ ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ରେଳ ଏବଂ ଆନ୍ତ c ରାଜ୍ୟ ରେଳ ଗମନାଗମନ - ଟ୍ରାକ୍ସନ୍ କନଭର୍ଟର, ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର, ସହାୟକ କନଭର୍ଟର, ସହାୟକ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ |