MOS କିମ୍ବା SBD ଉତ୍ପାଦନ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ ପାଇଁ 6inch 150mm ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ୱାଫର୍ସ 4H-N ପ୍ରକାର |

MOS କିମ୍ବା SBD ଉତ୍ପାଦନ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଡମି ଗ୍ରେଡ୍ ବ ured ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପ୍ରତିଛବି ପାଇଁ 6inch 150mm ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ୱାଫର୍ସ 4H-N ପ୍ରକାର |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

6-ଇଞ୍ଚର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପଦାର୍ଥ ଯାହା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ସହିତ | ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥରୁ ନିର୍ମିତ, ଏହା ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଚାଳନା, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ | ସଠିକ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ନିର୍ମିତ ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ପସନ୍ଦଯୋଗ୍ୟ ପଦାର୍ଥ ହୋଇପାରିଛି |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର

6-ଇଞ୍ଚର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏକାଧିକ ଶିଳ୍ପରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ପ୍ରଥମତ it, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ପାୱାର୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ପରି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଉତ୍ତମ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଉନ୍ନତ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା | ଦ୍ୱିତୀୟତ new, ନୂତନ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ଗବେଷଣା କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ଜରୁରୀ | ଏହା ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏଲଇଡି ଏବଂ ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଥାଏ |

ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |

6-ଇଞ୍ଚର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ବ୍ୟାସ 6 ଇଞ୍ଚ (ପ୍ରାୟ 152.4 ମିଲିମିଟର) | ଭୂପୃଷ୍ଠର ରୁଗ୍ଣତା ହେଉଛି Ra <0.5 nm, ଏବଂ ଘନତା 600 ± 25 μm | ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ N- ପ୍ରକାର କିମ୍ବା P- ପ୍ରକାର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ | ଅଧିକନ୍ତୁ, ଏହା ଅସାଧାରଣ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଚାପ ଏବଂ କମ୍ପନକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାରେ ସକ୍ଷମ |

ବ୍ୟାସ		150 ± 2.0mm （6inch）
ମୋଟା \|		350 μm ± 25μm \|
ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍		ଅକ୍ଷରେ ： <0001> ± 0.5 ° \|		ଅଫ୍ ଅକ୍ଷ ： 4.0 ° ଆଡକୁ 1120 ± 0.5 ° ଆଡକୁ \|
ପଲିଟାଇପ୍ \|		4H
ପ୍ରତିରୋଧକତା (Ω · cm)	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω · cm / 0.015 ~ 0.025ohm · cm
	4 / 6H-SI	> 1E5
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ \|		{10-10} ± 5.0 ° \|
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ (ମିମି)		47.5 mm ± 2.5 mm
ଧାର		ଚାମ୍ଫର୍ \|
TTV / ଧନୁ / ୱାର୍ପ (ଓମ୍)		≤15 / ≤40 / ≤60 \|
AFM ଫ୍ରଣ୍ଟ (ସି-ଚେହେରା)		ପୋଲାଣ୍ଡ Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm (10mm * 10mm)	≤5μm (10mm * 10mm)		≤10μm (10mm * 10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ \|		କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|		କିଛି ନୁହେଁ \|
ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍		କିଛି ନୁହେଁ \|	କିଛି ନୁହେଁ \|		କିଛି ନୁହେଁ \|

--ଇଞ୍ଚର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପଦାର୍ଥ ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଆଣ୍ଡୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ନୂତନ ପଦାର୍ଥ ଅନୁସନ୍ଧାନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଅଟେ | ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଆମେ ବିଭିନ୍ନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ଏବଂ କଷ୍ଟୋମାଇଜେସନ୍ ବିକଳ୍ପ ପ୍ରଦାନ କରୁ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ବିଷୟରେ ଅଧିକ ବିବରଣୀ ପାଇଁ ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରନ୍ତୁ!