ନୀଳମଣି ଏପି-ଲେୟାର୍ ୱେଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ 200mm 8inch GaN |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ GaN ସ୍ତରର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଉନ୍ନତ କ techni ଶଳଗୁଡିକ ଧାତୁ-ଜ organic ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(MOCVD) କିମ୍ବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ବ୍ୟବହାର କରି | ଉଚ୍ଚ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସମାନତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଅବସ୍ଥାରେ ଏହି ଜମା କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଏ |


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଉତ୍ପାଦ ପରିଚୟ

8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-sapphire ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହାକି ଏକ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ସ୍ତରରୁ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବ grown ଼ିଥାଏ | ଏହି ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପରିବହନ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରେ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପାୱାର୍ ଏବଂ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ଅଟେ |

ଉତ୍ପାଦନ ପଦ୍ଧତି |

ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ GaN ସ୍ତରର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଉନ୍ନତ କ techni ଶଳଗୁଡିକ ଧାତୁ-ଜ organic ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(MOCVD) କିମ୍ବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ବ୍ୟବହାର କରି | ଉଚ୍ଚ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସମାନତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଅବସ୍ଥାରେ ଏହି ଜମା କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଏ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ

8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ, ରାଡାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ବେତାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଥାଏ | କେତେକ ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:

1। ଆରଏଫ୍ ପାୱାର୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ସ |

2। ଏଲଇଡି ଆଲୋକ ଶିଳ୍ପ |

ବେତାର ନେଟୱାର୍କ ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |

ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶ ପାଇଁ ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |

5. Optoelectronic ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |

ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |

- ପରିମାପ: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆକାର 8 ଇଞ୍ଚ (200 ମିମି) ବ୍ୟାସ |

- ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା: ଭୂପୃଷ୍ଠଟି ଏକ ଉଚ୍ଚତର ସଫାସୁତୁରା ପଲିସ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଦର୍ପଣ ପରି ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |

- ଘନତା: ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି GaN ସ୍ତରର ଘନତା କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ |

- ପ୍ୟାକେଜିଂ: ଗମନାଗମନ ସମୟରେ କ୍ଷତି ନହେବା ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଣ୍ଟି-ଷ୍ଟାଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ଯତ୍ନର ସହିତ ପ୍ୟାକେଜ୍ ହୋଇଛି |

- ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ଫ୍ଲାଟ: ଡିଭାଇସ୍ ଫ୍ୟାବ୍ରିକେସନ୍ ପ୍ରୋସେସ୍ ସମୟରେ ୱେଫର୍ ଆଲାଇନ୍ମେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ଫ୍ଲାଟ ଅଛି |

- ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ: ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଘନତା, ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟ ଏକାଗ୍ରତାର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା |

ଏହାର ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଗୁଣ ଏବଂ ବହୁମୁଖୀ ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, 8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-sapphire ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଭିନ୍ନ ଶିଳ୍ପରେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ପସନ୍ଦ |

GaN-On-Sapphire ବ୍ୟତୀତ, ଆମେ ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବା, ଉତ୍ପାଦ ପରିବାରରେ 8-ଇଞ୍ଚ୍ AlGaN / GaN-on-Si epitaxial ୱାଫର୍ ଏବଂ 8-ଇଞ୍ଚ୍ P-cap AlGaN / GaN-on-Si epitaxial ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ୱାଫର୍ ସେହି ସମୟରେ, ଆମେ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ଉନ୍ନତ 8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରୟୋଗକୁ ଉଦ୍ଭାବନ କଲୁ ଏବଂ ଏକ 8-ଇଞ୍ଚ୍ AlGaN / GAN-on-HR Si ଏପିଟାକ୍ସି ୱାଫର୍ ବିକଶିତ କଲୁ ଯାହା ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବଡ଼ ଆକାର, ସ୍ୱଳ୍ପ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରେ | ଏବଂ ମାନକ 8-ଇଞ୍ଚ ଉପକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ | ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ବ୍ୟତୀତ, ଆମର ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏପିଟ୍ୟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଆମର AlGaN / GaN-on-SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ର ଏକ ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନ ଅଛି |

ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର

WechatIM450 (1)
WechatIM450 (2)

  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ:

  • ତୁମର ବାର୍ତ୍ତା ଏଠାରେ ଲେଖ ଏବଂ ଆମକୁ ପଠାନ୍ତୁ |