ନୀଳମଣି ଏପି-ଲେୟାର୍ ୱେଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ 200 ମିମି 8inch GaN |
ଉତ୍ପାଦ ପରିଚୟ
8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-sapphire ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହାକି ଏକ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ସ୍ତରରୁ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବ grown ଼ିଥାଏ |ଏହି ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପରିବହନ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରେ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପାୱାର୍ ଏବଂ ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ଅଟେ |
ଉତ୍ପାଦନ ପଦ୍ଧତି |
ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ GaN ସ୍ତରର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଉନ୍ନତ କ techni ଶଳଗୁଡିକ ଧାତୁ-ଜ organic ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (MOCVD) କିମ୍ବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ବ୍ୟବହାର କରି |ଉଚ୍ଚ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସମାନତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଅବସ୍ଥାରେ ଏହି ଜମା କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଏ |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ
8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ, ରାଡାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ବେତାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଥାଏ |କେତେକ ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
1. ଆରଏଫ୍ ପାୱାର୍ ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ସ |
2. ଏଲଇଡି ଆଲୋକ ଶିଳ୍ପ |
3. ବେତାର ନେଟୱର୍କ ଯୋଗାଯୋଗ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |
4. ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶ ପାଇଁ ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |
5. Optoelectronic ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ |
ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |
- ପରିମାପ: ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆକାର 8 ଇଞ୍ଚ (200 ମିମି) ବ୍ୟାସ |
- ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା: ଭୂପୃଷ୍ଠଟି ଏକ ଉଚ୍ଚତର ସଫାସୁତୁରା ପଲିସ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ଦର୍ପଣ ପରି ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |
- ଘନତା: ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି GaN ସ୍ତରର ଘନତା କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ |
- ପ୍ୟାକେଜିଂ: ଗମନାଗମନ ସମୟରେ କ୍ଷତି ନହେବା ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଣ୍ଟି-ଷ୍ଟାଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ଯତ୍ନର ସହିତ ପ୍ୟାକେଜ୍ ହୋଇଛି |
- ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ଫ୍ଲାଟ: ଡିଭାଇସ୍ ଫ୍ୟାବ୍ରିକେସନ୍ ପ୍ରୋସେସ୍ ସମୟରେ ୱେଫର୍ ଆଲାଇନ୍ମେଣ୍ଟ ଏବଂ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ଫ୍ଲାଟ ଅଛି |
- ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ: ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଘନତା, ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟ ଏକାଗ୍ରତାର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା |
ଏହାର ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଗୁଣ ଏବଂ ବହୁମୁଖୀ ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ, 8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN-on-sapphire ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଭିନ୍ନ ଶିଳ୍ପରେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ପସନ୍ଦ |
GaN-On-Sapphire ବ୍ୟତୀତ, ଆମେ ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ମଧ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବା, ଉତ୍ପାଦ ପରିବାରରେ 8-ଇଞ୍ଚ୍ AlGaN / GaN-on-Si epitaxial ୱାଫର୍ ଏବଂ 8-ଇଞ୍ଚ୍ P-cap AlGaN / GaN-on-Si epitaxial ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ୱାଫର୍ସେହି ସମୟରେ, ଆମେ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ଉନ୍ନତ 8-ଇଞ୍ଚ୍ GaN ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରୟୋଗକୁ ଉଦ୍ଭାବନ କଲୁ ଏବଂ ଏକ 8-ଇଞ୍ଚ୍ AlGaN / GAN-on-HR Si ଏପିଟାକ୍ସି ୱାଫର୍ ବିକଶିତ କଲୁ ଯାହା ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବଡ଼ ଆକାର, ସ୍ୱଳ୍ପ ମୂଲ୍ୟ ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରେ | ଏବଂ ମାନକ 8-ଇଞ୍ଚ ଉପକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ |ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ବ୍ୟତୀତ, ଆମର ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏପିଟ୍ୟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଆମର AlGaN / GaN-on-SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ର ଏକ ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନ ଅଛି |
ବିସ୍ତୃତ ଚିତ୍ର
