4inch ସେମି-ଅପମାନଜନକ SiC ୱାଫର୍ HPSI SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରାଇମ୍ ପ୍ରଡକ୍ସନ୍ ଗ୍ରେଡ୍ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

4-ଇଞ୍ଚ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସେମି-ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ପଲିସିଂ ପ୍ଲେଟ୍ ମୁଖ୍ୟତ 5 5G ଯୋଗାଯୋଗ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସର, ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଦୂରତା ଚିହ୍ନ, ଆଣ୍ଟି-ଇଣ୍ଟରଫେରେନ୍ସ, ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ | , ବୃହତ କ୍ଷମତା ସୂଚନା ପ୍ରସାରଣ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ, ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ତିଆରି ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଉତ୍ପାଦ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ହେଉଛି ଏକ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପଦାର୍ଥ ଯାହା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଉପାଦାନକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ସାମଗ୍ରୀ |ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ (ସି) ସହିତ ତୁଳନା କଲେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ନିଷେଧ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଓସାର ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ ତିନି ଗୁଣ ଅଧିକ |ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 4-5 ଗୁଣ ଅଟେ;ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 8-10 ଗୁଣ ଅଟେ;ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁରେସନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ ହାର ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ 2-3 ଗୁଣ ଅଟେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପାଇଁ ଆଧୁନିକ ଶିଳ୍ପର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ ଏବଂ ଏହା ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ ଗତି, ଉଚ୍ଚ- ତିଆରିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଆଲୋକ-ନିର୍ଗତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡିକ ଏବଂ ଏହାର ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍, ନୂତନ ଶକ୍ତି ଯାନ, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ପବନ ଶକ୍ତି, 5G ଯୋଗାଯୋଗ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ MOSFET ଗୁଡିକ ଆରମ୍ଭ ହେବାରେ ଲାଗିଛି | ବ୍ୟବସାୟିକ ଭାବରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ |

SiC ୱାଫର୍ / SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ସୁବିଧା |

ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ନିଷେଧ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଓସାର ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 2-3 ଗୁଣ ଅଟେ, ତେଣୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଡେଇଁବାର ସମ୍ଭାବନା କମ୍ ଏବଂ ଅଧିକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରାକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରନ୍ତି ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ତାପଜ ଚାଳନା ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 4-5 ଗୁଣ ଅଧିକ | ଡିଭାଇସରୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର କରିବା ଏବଂ ଅଧିକ ସୀମିତ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦେବା ସହଜ ଅଟେ |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତାକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବ, ଯେତେବେଳେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକତା ହ୍ରାସ କରିବ, ଟର୍ମିନାଲ୍ କୁ ଅଧିକ ହାଲୁକା ଏବଂ କ୍ଷୁଦ୍ରତର କରିବ |

ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡର ଶକ୍ତି ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 10 ଗୁଣ ଅଧିକ, ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଏହାକୁ ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |

ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରତିରୋଧ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ସିଲିକନ୍ ର ସାଚୁଚରେସନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ ହାରର ଦୁଇଗୁଣ ଅଛି, ଫଳସ୍ୱରୂପ ବନ୍ଦ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏହାର ଡିଭାଇସ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଡ୍ରାଗ୍ ଘଟଣାରେ ବିଦ୍ୟମାନ ନାହିଁ, ଡିଭାଇସ୍ ମିନିଟ୍ରାଇଜେସନ୍ ହାସଲ କରିବାକୁ ଡିଭାଇସ୍ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ |

କମ୍ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡରେ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଛି, କମ୍ ଚାଳନା କ୍ଷତି;ସେହି ସମୟରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଉଚ୍ଚ ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ବିଦ୍ୟୁତ୍ କ୍ଷୟକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ କରେ |ଏହା ସହିତ, ବନ୍ଦ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଡ୍ରାଗ୍ ଘଟଣାରେ ନାହିଁ, ସ୍ୱଳ୍ପ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି |