SiO2 ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର ୪ଇଞ୍ଚ ୬ଇଞ୍ଚ ୮ଇଞ୍ଚ ୧୨ଇଞ୍ଚ

ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ତିଆରି କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସାଧାରଣତଃ ନିମ୍ନଲିଖିତ ପଦକ୍ଷେପଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ ହୋଇଥାଏ: ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ବୃଦ୍ଧି, ୱେଫର୍ କାଟିବା, ପଲିସ୍ କରିବା, ସଫା କରିବା ଏବଂ ଅକ୍ସିଡାଇଜନ୍।

ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ବୃଦ୍ଧି: ପ୍ରଥମତଃ, ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ କୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଜୋକ୍ରାଲ୍ସ୍କି ପଦ୍ଧତି କିମ୍ବା ଫ୍ଲୋଟ୍-ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି ପରି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ଚାଷ କରାଯାଏ। ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଜାଲି ଅଖଣ୍ଡତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।

ଡାଇସିଂ: ବଢ଼ିଥିବା ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ସାଧାରଣତଃ ଏକ ନଳାକାର ଆକାରର ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଏହାକୁ ୱାଫର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ ପତଳା ୱାଫରରେ କାଟିବାକୁ ପଡ଼ିଥାଏ। କଟିଂ ସାଧାରଣତଃ ହୀରା କଟର ସାହାଯ୍ୟରେ କରାଯାଏ।

ପଲିସିଂ: କଟା ୱାଫରର ପୃଷ୍ଠ ଅସମାନ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଏକ ମସୃଣ ପୃଷ୍ଠ ପାଇବା ପାଇଁ ରାସାୟନିକ-ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ।

ସଫା କରିବା: ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା ୱାଫରକୁ ଅପରିଷ୍କାର ଏବଂ ଧୂଳି ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ସଫା କରାଯାଏ।

ଅକ୍ସିଡାଇଜିଂ: ଶେଷରେ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଅକ୍ସିଡାଇଜିଂ ଚିକିତ୍ସା ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ରେ ରଖାଯାଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡର ଏକ ସୁରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ କରାଯାଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ଏହାର ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତିକୁ ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ, ଏବଂ ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରାଯାଇପାରିବ।

ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫରର ମୁଖ୍ୟ ବ୍ୟବହାର ମଧ୍ୟରେ ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟ୍ ନିର୍ମାଣ, ସୌର କୋଷ ନିର୍ମାଣ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ନିର୍ମାଣ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ, ମାତ୍ରା ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଚାପରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାର କ୍ଷମତା, ଏବଂ ଭଲ ଇନସୁଲେଟିଂ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।

ଏହାର ସୁବିଧା ମଧ୍ୟରେ ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ, ବିଶୁଦ୍ଧ ରାସାୟନିକ ଗଠନ, ସଠିକ୍ ପରିମାପ, ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ। ଏହି ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସମନ୍ୱିତ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ମାଇକ୍ରୋଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।