SiO2 ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ 4inch 6inch 8inch 12inch |

ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ the ନିମ୍ନଲିଖିତ ପଦକ୍ଷେପଗୁଡ଼ିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରିଥାଏ: ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ୱାଫର୍ରେ କାଟିବା, ପଲିସିଂ, ସଫା କରିବା ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ |

ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି: ପ୍ରଥମେ, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ Czochralski ପଦ୍ଧତି କିମ୍ବା ଫ୍ଲୋଟ୍-ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ grown ାରା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଲାଟାଇସ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତିକୁ ସକ୍ଷମ କରେ |

ଡ଼ାଇସିଂ: ବ grown ଼ିଥିବା ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ ଆକାରରେ ଥାଏ ଏବଂ ଏହାକୁ ୱେଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ ପତଳା ୱାଫର୍ରେ କାଟିବା ଆବଶ୍ୟକ | କାଟିବା ସାଧାରଣତ a ଏକ ହୀରା କଟର ସହିତ କରାଯାଇଥାଏ |

ପଲିସିଂ: କଟା ୱେଫର୍ ର ପୃଷ୍ଠ ଅସମାନ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇବା ପାଇଁ ରାସାୟନିକ-ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |

ସଫା କରିବା: ଅପରିଷ୍କାର ଏବଂ ଧୂଳି ବାହାର କରିବା ପାଇଁ ପଲିସ୍ ୱେଫର୍ ସଫା କରାଯାଏ |

ଅକ୍ସିଡାଇଜିଂ: ଶେଷରେ, ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ଏକ ବ temperature ଦୁତିକ ଗୁଣ ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତିରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡର ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ କରିବା ପାଇଁ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ଚିକିତ୍ସା ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲିରେ ରଖାଯାଏ, ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ |

ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫରର ମୁଖ୍ୟ ବ୍ୟବହାରରେ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ, ସ ar ର କୋଷ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ କାରଣ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ, ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଚାପରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାର କ୍ଷମତା, ଏବଂ ଭଲ ଇନସୁଲେଟିଂ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ |

ଏହାର ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକରେ ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା, ଶୁଦ୍ଧ ରାସାୟନିକ ରଚନା, ସଠିକ୍ ପରିମାଣ, ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଏହି ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |